AI强势推动之下，先进制程芯片重要性日益凸显。当前3nm工艺为业内最先进的制程技术，与此同时台积电、三星、英特尔、Rapidus等厂商积极推动2nm晶圆厂建设，台积电、三星此前曾规划2nm芯片将于2025年量产，Rapidus则计划2nm芯片将于2025年开始试产。随着这一时间逐渐临近，全球2nm晶圆厂建设加速进行中。2nm晶圆厂最快年内建成？近期，国际半导体产业协会（SEMI）对外表示，预计台积电与英特尔两家大厂有望今年年底之前建成2nm晶圆厂。其中英特尔有望率先实现2nm芯片商用，英特尔PC CPU
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据中国台湾媒体报道，台积电3纳米订单动能强劲，受到苹果、英特尔及超威等客户频频追单。从三大厂商下单状况来看。报道称，作为台积电2024年3纳米的新订单来源之一，英特尔Lunar Lake中央处理器、绘图处理器等确定将于第2季在台积电投片量产，而这也是英特尔首度将主流消费性平台全系列芯片交由台积电代工。此前，英特尔CEO帕特·基辛格证实，与台积电的合作已由5纳米制程推进至3纳米。基辛格表示，最快2024年第四季登场的Arrow Lake与Lunar Lake的运算芯片块（CPU tile）将采用台积电3纳米
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近日，IC设计大厂美满电子（Marvell）宣布与台积电的长期合作关系将扩大至2纳米，并开发业界首见针对加速基础设施优化的2纳米半导体生产平台。目前，行业内最先进的先进制程量产技术是3纳米工艺，由三星电子和台积电制造。随着英特尔拿下ASML的首台光刻机并更新最新代工版图，以及Rapidus与IBM合作日益密切，目前2纳米先进制程的竞争者以明显扩大为台积电、英特尔、三星、Rapidus、Marvell五家。据悉，目前上述五家大厂2纳米的问世时间基本都规划在了2025年，同时结构方面都选择了GAA。Marve
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台积电不只海外扩产，中国台湾也持续进行，董事长刘德音承诺，中国台湾投资持续进行，目前市场消息，除了2纳米厂及先进封装厂，接下来更先进1纳米也将兴建八至十座工厂，因应市场需求。2纳米厂部分，因高性能计算与智能手机需求强劲，原规划两座2纳米厂的高雄将再增一座，三座2纳米厂量产后，高雄将成为台积电2纳米重要基地。最早规划2纳米厂的新竹宝山，四座厂依市场需求再规划2纳米，加上近期通过都审，6月拨给台积电用地中科也有2纳米厂，届时2纳米将全面爆发，满足市场需求。2纳米N2制程采纳米片（Nanosheet）电晶体结构
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生成式AI强劲需求推动之下，不仅高性能AI芯片厂商持续受益，晶圆代工领域也尝到了先进制程带来的甜头，进而持续瞄准2nm、1nm等制程芯片生产。近期，晶圆代工厂商先进制程布局再次传出新进展。1nm 2027年投入生产？近期，英特尔对外表示Intel 18A将于今年年底量产。为推销该工艺节点，韩媒表示英特尔执行长Pat Gelsinger去年会见韩国IC设计公司高层，以争取商机。Intel 18A之后，英特尔还将积极瞄准更先进的制程工艺。据悉，英特尔近期对外公布了Intel 14A（1.4nm制程）路线，但未
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英特尔的先进制程发展脚步越迈越大。
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苹果、英伟达、AMD、高通和联发科等都采用台积电半导体制程生产最新芯片，部分芯片可能采用三星晶圆代工，但通常不是旗舰。 随着三星过去几个月良率提升，三星非常希望拿下部分订单，例如3纳米GAA制程。之前市场消息，高通Snapdragon 8 Gen
4可能采用双代工厂策略，也就是同时采用台积电的N3E制程技术和三星的SF3E制程技术。不过，目前高通和联发科都计划采用台积电第二代3纳米制程技术（N3E），制造Snapdragon
3 Gen 8和天玑4的芯片，并没有所谓的双来源计划。三星在2022年6
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近期，英特尔执行长基辛格表示，英特尔可如期达成4年推进5世代制程技术的目标。Intel 7制程技术已大量生产，Intel
4制程也已经量产，Intel 3制程准备开始量产，Intel 20A制程将如期于2024年量产，Intel
18A制程将是5世代制程目标的终极制程，已确定相关设计规则。在AI、高性能计算等新兴技术驱动下，晶圆代工产业先进制程重要性日益凸显，吸引台积电、三星、英特尔积极布局。台积电方面，该公司N3X、2nm工艺计划2025年进入量产阶段。台积电介绍，公司将在2nm制程节点首度使用
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再生晶圆暨钻石碟大厂中砂6日举办法说会，发言人李伟彰副总指出，公司于研发阶段便与客户共同投入研发，过往持续扩增实验室规模，于客户先进制程逐渐斩获成效，于3纳米制程已经获得7成之市占，弯道超车美国竞争对手。李伟彰强调，未来在2纳米甚至更先进制程，皆不会落下；伴随线径微缩极致的追求，耗材使用寿命只会愈来愈短，对耗材供应系一大利多。 中砂第三季营收获利逐步回温，自第一季低点之后、逐季好转，其中毛利率站回3成之水平，达到32％，营益率也回到17％，税后纯益达2.92亿元，单季每股税后纯益（EPS）2.02元；前三
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近期，三星电子旗下晶圆代工事业Samsung Foundry 透露，已开始跟大型芯片客户接洽，准备提供1.4nm及2nm制程的服务。据朝鲜日报报道，对于三星率先量产3nm（环绕式闸极，gate-all-around，GAA）制程、大客户方面却不如台积电的言论，Samsung
Foundry科技长Jeong Ki-tae近日在韩国国际会议暨展示中心（COEX）举行的2023年半导体博览会（Semiconductor
Expo 2023）表示，晶圆代工客户大约需要3年才能做出最终购买决定。三星正在跟大
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据集邦咨询报道，台积电、三星、英特尔等尖端制程代工厂纷纷发布 2nm 及以上制程路线图，凸显下一代 GAA 技术领先地位的开发竞争加速。大型晶圆厂的前沿工艺路线图。请注意，这是 TrendForce 根据各公司公布的计划创建的，不一定完全如图所示（来源：TrendForce，截至 2023 年 9 月）台积电将于 2025 年在宝山工厂开始量产 2nm 工艺关于产业龙头台积电，集邦科技将于 2024 年第二季开始在中国台湾新竹科学园区宝山地区（新竹县宝山乡）的工厂安装量产 2 纳米（N2）制程的制造设备。
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AI、高性能计算等新兴技术驱动下，晶圆代工产业先进制程重要性日益凸显。近期，产业迎来新进展：英特尔宣布Intel 4制程节点已大规模量产。与此同时，台积电、三星同样在积极布局先进制程技术。英特尔Intel 4制程节点已大规模量产10月15日，“英特尔中国”官方公众号宣布，英特尔已于近日开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产Intel 4制程节点。官方表示，英特尔正以强大执行力推进“四年五个制程节点”计划，并将用于新一代的领先产品，满足AI推动下“芯经济”指数级增长的算力需求。作为英特尔首个采用极紫外光
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据韩媒Business Korea报道，三星电子将在今年上半年开始大规模生产第三代4纳米芯片。报道称，三星电子3月12日发布了一份商业报告，报告提到将在今年上半年开始2.3代（2.3-generation
process）4纳米工艺大规模生产。这是三星电子首次提到4纳米新版本的具体量产时间。与4纳米芯片的第一代产品SF4E相比，第二代和第三代产品显示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圆面积。目前，业界已经量产的最先进的半导体工艺制程为3纳米，但市场主要产品仍为4纳米和5纳米芯片上，竞争厂商主要
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物联网被视为未来各种智能化系统的主要架构，透过底层感测网络、中间通讯传输与上层云端平台的组合，让信息无缝流动，进而延伸出更多应用，赋予更智能的生活体验。不过随着物联网应用多元化、许多应用或因功能安全或因直观需要实时反应，集中式运算的物联网架构已难因应所有领域，因此系统终端开始被赋予一定程度的运算能力，以提升实时反应功能。 恩智浦(NXP)半导体大中华区资深营销经理黄健洲恩智浦(NXP)半导体大中华区资深营销经理黄健洲指出，而针对此一需求，在MCU已布局多年的NXP在2019年推出了i.MX RT
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受美国制裁的影响，我国在半导体先进制程的发展速度上严重放缓。 日经新闻采访了7家中国主要半导体设备制造商，大多数承认目前主要生产14纳米至28纳米的芯片，落后对手至少2到3代。日经在今年3月的2021中国国际半导体展期间访问了多家半导体公司，获得了7家公司回复。大多受访者坦承，中国半导体先进芯片制程发展速度已经放缓，也表示美国制裁阻碍他们从国外采购零件和材料，但用国内产品替代又会降低良品率。上海微电子是中国唯一一家商用光刻机制造商，一名工程师受访表示：我们的主要光刻机是用于90纳米制程的，而28纳米和14
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