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英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机?

作者:semiwiki时间:2024-01-11来源:半导体产业纵横收藏

Trendforce 报道称,将获得 可能于 2024 年发货的 10 种 HIGH NA 光刻机中的 6 种。三星副董事长 Kyung Kye-hyun 的话说「三星已经获得了 HIGH NA 设备技术的优先权」。这似乎意味着获得了最 HIGH NA 光刻机,其次是三星,而且其最近宣布与韩国 投资 7.55 亿美元。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202401/454681.htm

这将使台积电处于不同寻常的第三位,与目前在 EUV 领域的主导地位(占全球 EUV 光刻机的 70%)形成鲜明对比。

2024 年 北美销售额将达到 3.5 至 40 亿美元?

如果我们假设光刻机成本为 3.5 亿至 4 亿美元,并且 2024 年 10 个光刻机的 HIGH NA 销售额将在 35 亿至 40 亿美元之间。

我们认为,ASML 的 HIGH NA 带来的潜在上涨空间并未体现在股价中,因为对于大多数人来说,十种光刻机听起来有点夸张,但如果能做到这一点,那就意味着强劲的上涨空间。

蔡司是看门人

如果 ASML 确实在 2024 年交付了 10 种光刻机,那么这种增长将意味着在 2025 年轻松增加到 15 种或更多光刻机,并可能在 2026 年增加到 20 种以上。

与常规 EUV 光刻机一样,蔡司的镜头可用性将再次成为限制因素,因为 HIGH NA 镜头比当前已经很困难的 EUV 镜头复杂得多。

鉴于 EUV 光源将保持一定程度的不变,并且阶段增量实际上完全取决于镜头。

谁会得到它们?何时何地?

如果我们假设确实按照建议获得了前 6 个 HIGH NA 光刻机,我们可以想象英特尔将至少获得前两个光刻机,其他光刻机将在 2024 年前往亚利桑那州或俄亥俄州。

在其他四种光刻机中,三星可能至少有两到三种光刻机,而台积电则获得一到两种光刻机。

我们猜测台积电可能会更加努力地推动当前 EUV 的多重图案化,而不是立即跳到 HIGH NA。

许多业界人士认为,与现有的多图案 EUV 光刻机相比,高数值孔径 EUV 光刻机将难以在成本上证明其合理性。时间会证明一切。从英特尔的角度来看,他们别无选择,只能大力推进,因为他们过去在 EUV 上的缓慢是台积电在摩尔定律中超越他们的原因之一。

很明显,英特尔不希望重蹈最初的 EUV 光刻机的覆辙,因此很早就向 ASML 承诺获得一年多前宣布的第一批 HIGH NA 光刻机。

如果 HIGH NA 确实成功,这将是英特尔需要迎头赶上的「重要一跃」。

如果我们对 2025 年 15 种光刻机的猜测靠谱的话,预计英特尔、三星和台积电之间的份额会更加均匀,而欧洲 IMEC 的一款光刻机与 ASML 密切合作,很可能也会获得一款用于研发。

到 2026 年,三大晶圆代工/逻辑制造商之间可能会出现 20 种光刻机的情况,很可能会像最近宣布的那样为纽约增加一款用于研发的 HIGH NA 光刻机。

我们预计存储器制造商在最初几年不会采用高数值孔径,因为他们现在才刚刚开始采用常规 EUV,并且仍落后于 EUV 光刻技术的代工/逻辑需求 4 到 6 年。

不会感到惊讶的是,经过 3 年的 HIGH NA 出货量,英特尔拥有大部分 HIGH NA 光刻机,就像台积电拥有当前 EUV 技术的最大份额一样。

对英特尔来说这是一个重大但必要的赌注

如果英特尔在 2024 年购买 6 个 HIGH NA 光刻机,则意味着 HIGH NA 光刻机资本支出将达到 21 亿至 24 亿美元。这是一个相当大的赌注……但如果它有助于追赶台积电,那么这笔钱花得值。别无选择,因为如果不这样做,英特尔就会落后于台积电,如果幸运的话,最好的情况是与台积电处于同等地位。

高数值孔径将比标准 EUV 更快投入生产

尽管 EUV 和高数值孔径 EUV 光刻机之间存在显著差异,但基本概念是相同的。EUV 与 ARF 沉浸式技术相比并不是巨大的飞跃。芯片制造商将需要尽快让这些新光刻机投入使用。他们还必须集中精力在单一图案 HIGH NA 与多图案标准 EUV 上获得经济回报。

这一消息如果属实,甚至接近属实,对于 ASML 和英特尔来说都是一个重大利好。然而,我们还不认为这对台积电来说是负面的,因为他们可能在 EUV 领域总体上保持强势地位。

假设生产没有出现问题,ASML 及其股票可能会在 2024 年经历 HIGH NA EUV 浪潮。



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