三星、美光大动作，扩产HBM

存储市场消费电子应用疲软的环境下，HBM成为发展新动能，备受大厂重视。近期，三星、美光传出将扩产HBM的消息。

大厂积极布局HBM

近期，媒体报道三星为了扩大HBM产能，已收购三星显示（Samsung Display）韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。据悉，三星计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。 

此前，据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露，三星已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。同时，三星正在开发HBM4，目标2025年供货。据悉，三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技与混合键合（HCB）等技术，以应用于HBM4产品。

11月6日，美光科技宣布台湾地区台中四厂正式启用。美光表示，台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，量产HBM3E及其他产品，从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。

稍早之前，美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。美光HBM3E目前正在进行英伟达认证，首批HBM3E采用8-Hi设计，提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前美光曾透露，预计2024年新的HBM将带来「数亿」美元的收入。

2024年市场需求将大幅转往HBM3

当前HBM市场以HBM2e为主，随着原厂不断发力，未来HBM3与HBM3e将挑起大梁。

集邦咨询调查显示，当前HBM市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2e，比重预估达60%，且受惠于其更高的平均销售单价（ASP），将带动明年HBM营收显著成长。