三星3纳米超车台积电？重要数据曝光！结局出乎意料

台积电在4月中的法说会曾透露，预计今年下半年量产3纳米，2纳米制程的量产时间则落在2025年，没想到三星上周公开表示，公司将在未来几周内量产3纳米。若此事成真，三星将抢先台积电量产3纳米，然而三星在制程利率的问题仍是外界关注焦点，先前有外媒披露，三星3纳米的良率最高仅2成，迫使部分IC 设计大厂选择转单至台积电。
科技网站Tom's Hardware报导，三星上周发出一份公开声明，内容提到公司将透过世界上首次大规模生产3纳米GAA技术来加强技术在产业领先的地位，有望在本季，即未来几周内开始量产。
另一方面，台积电4月中法说会曾提到，3纳米制程预计年底量产，2纳米按照进度开发，预计2024年进入风险试产阶段，于2025年量产。台积电3纳米使用的是FinFET架构，与三星使用的GAA架构不同，台积电要是在2纳米才转向使用GAA架构。
若三星真的在本季量产3纳米，代表他们将超车台积电，但产品的良率仍是关注焦点，先前有外媒披露，三星3纳米由于专利IP数量的不足，导致良率仅10至20%左右，这使得客户出现担忧，且三星4纳米的良率虽然有较高的35%良率，但远远不及台积电的7成，使得高通选择转单台积电。