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盘点2018年全球电子产业最具代表性的十大“黑科技”

作者:时间:2018-12-29来源:OFweek收藏
编者按:今年整个产业在技术上也是节节攀升,2018年可以说是产业高速发展的一年,全球电子产业也产生了众多技术突破。

  电子技术作为一项最基础的技术,它是支撑工业、汽车、通讯等众多行业的关键技术之一。2018年即将过去,作为一个电子人,我们深感行业变化的神速,如果用一个词形容全年的行业特性,那就是“”。越来越多的国家开始重视核“芯”技术,产业涉及材料、设计、制造、封装、测试等,任何一项技术的突破,都会给整个行业带来革命性的变革,今年整个产业在技术上也是节节攀升,2018年可以说是产业高速发展的一年,全球电子产业也产生了众多技术突破,下面是其中最具代表的十大“黑科技”。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201812/396184.htm

  十、拥有人脑智慧的类脑

  一直以来,人们已经习惯了电子芯片的模式,那就是运算和存储的独立工作模式。但是人脑的工作方式是统一的,通过神经元和突出的协作完成脑部工作。近年来,全球很多研究机构开始将精力放在类脑芯片技术上,一直未能取得突破性进展。2018年2月,麻省理工的工程师设计了一种人造突触,可以实现精确控制流过这种突触的电流强度,类似离子在神经元之间的流动,这给人们设计像人脑一样工作的芯片大有帮助。据相关工作人员介绍,该团队已经制造了一个由硅锗制成的人造突触小芯片,该芯片的突触可以识别手写样本,准确率非常高,这个研究成果被认为是迈向用于模式识别和其它学习任务的便携式低功耗神经形态芯片的关键技术突破。

  九、实现两英寸自支撑衬底的规模化生产

  如今,我们正处在第二代半导体材料(硅)和第三代半导体材料发展的节点上,随着信息技术的突飞猛进,以碳化硅(SiC)和氮化镓()为代表的半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、电力电子和微波射频器件的关键技术和材料支撑。2018年3月,中国科技部高新司在高质量第三代半导体材料关键技术上实现了新突破,据相关工作人员对OFweek电子工程网介绍,该项目完成了两英寸自支撑衬底的规模化生产,实现了高Al组分AlGaN基深紫外光泵浦激射,开发了基于钙钛矿氧化物材料的紫外光电探测器件原型,为氮化镓的早日量产实现了技术的新突破。

  八、长光研制出世界最大口径碳化硅单体反射镜

  单体反射镜是一种高精度的非球面光学反射镜,主要用于对地观测、深空探测和天文观测等领域,是衡量国家的高性能光学水平的一个重要参考标准。2018年8月,长春光机研制出世界上最大的口径碳化硅单体反射镜,标志着我国在这个制造领域已经跻身国际先进行列。据悉,这个4m量级高精度SiC非球面反射镜集成制造系统技术将应用于国家地基大型光电系统。长春光机作为国家重要的科研机构,在20世纪90年代就开始研究光学级碳化硅陶瓷材料,并不断取得突破性成果,2016年它们就曾成功研制出直径4.03米的单体碳化硅反射镜坯。

  七、可自然降解的压力传感器

  传感器几乎无处不在,随着“万物互联”愿景的实现,未来的传感器将搭载更多的黑科技技术,如美国科学家们研究的一款可自然降解的压力传感器就是亮点十足。据相关工作人员介绍,这款传感器能可移植并且可伸展,它非常适用于医疗行业,如用这门技术为很多患者定制个性化的康复方案。应用这门技术,人们可以控制传感器的降解,使其寿命与组织愈合时间保持统一,同时传感器的灵敏度也没影响。除了用于患者康复,它还能集成到小型化的发射器或接收器系统中,应用前景非常广阔。

  六、柔性射频滤波技术

  随着人们对电子设备形状的要求,柔性电子成为一种新的技术选择,搭载这种技术的电子设备可任意弯曲和折叠,柔性电子设备比传统的电子设备更灵活,同时适应环境能力更强,成为近年来最热门的一种电子研究技术。如何将柔性电子技术应用在常见的设备之中成为如今热门的话题,也是科学家们一直努力的方向。功夫不负有心人,2018年5月,天津大学传来好消息,天津大学的精密测试技术及仪器国家重点实验室庞慰团队,成功开发出了柔性射频滤波器,可直接应用于柔性电子,这是我国在柔性电子设备上的一大技术突破,这门技术可实现柔性电子设备间的高速无线通讯。一直以来,人们幻想的“折叠”手机离我们又进了一步,如若将这项技术用于手机产业,前景不可限量。

  五、新型拓扑绝缘体有望刷新存储领域的“世界观”

  存储技术广泛应用于各种电子器件之中,可谓是电子的“粮仓”。今年,美国明尼苏达大学研究人员领导了一项新科研项目,探索出一种涉及磁阻效应的新型拓扑绝缘体,这种拓扑绝缘体将改善计算机计算与存储。据相关人员介绍,这种磁阻随机存取存储器正逐渐在计算机存储领域应用,这种拓扑绝缘体的材料有利于进一步改善磁阻随机存储电子单元写数据的能量效率。

  四、中国光刻机分辨率达到22纳米

  光刻机被誉为工业之花,制造难度不亚于造航母。2018年11月,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收,这个设备就是光刻机,该光刻机由中国自主研制,分辨率达到了22纳米,未来还能用于制造10纳米级别的芯片,这是中国一项非常重大的技术突破。虽然它与全球顶尖的光刻机(7nm甚至5nm)等还有差距,但能取得这样的成绩已属不易。



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关键词: 芯片,GaN

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