盘点2018年全球电子产业最具代表性的十大“黑科技”

　　三、逻辑器件上的突破性成果

　　逻辑器件作为电子电路的基础单元，在很多的地方都能应用得到，但是如今是以CMOS器件为主流。2018年12月，《自然》杂志发表了一篇关于一代逻辑器件的研究论文，作者包括英特尔、加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员。这篇论文描述了一种由英特尔发明的磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件，相较于目前的CMOS器件、MESO器件，有望把电压降低5倍、能耗降低10-30倍。这项技术研究有望推动计算能效提升，跨越不同的计算架构促进性能增长。

　　二、首次在三维体系中发现量子霍尔效应

　　量子霍尔效应是量子力学版本的霍尔效应，需要在低温强磁场的极端条件下才可以被观察到，此时霍尔电阻与磁场不再呈现线性关系，而出现量子化平台。量子霍尔效应是二十世纪最重要的发现之一，因为研究相关技术获诺贝尔奖的科学家不少。2018年12月，复旦大学物理学系修发贤课题组在《自然》杂志上刊发了他们的研究成果，这也是中国科学家首次在三维空间中发现量子霍尔效应。据悉，修发贤教授课题组在拓扑狄拉克半金属砷化镉材料里观测到三维量子霍尔效应，通过实验证明电子的隧穿过程，迈出从二维到三维的关键一步，开拓了全新的研究维度，这表明这次新研究是人类向新的科学领域迈出了关键性的一大步。

　　一、打破3nm制程极限，科学家成功研发0.7nm二硒化钨二极管

　　众所周知，芯片制程与性能的关系密切，目前能量产7nm芯片的厂商并不多，而有些研究机构已经开始研究3nm科技了。就在前不久，某科研团队的科学家成功研发出0.7nm二硒化钨二极管，这意味着这项技术可能打破半导体的3nm制程极限，芯片可以容纳更多的二极管。这次0.7nm的二硒化钨二极管研发成功，将为业界看衰半导体制程的人们一颗强心针，具有非常重要的意义。

　　总结：

　　电子产业起源于欧美等发达国家，它们在前沿的技术研究上领先于其它国家很多年，这也是它们的优势。随着全球产业的融合，很多发展中国家也开始大量投入对相关技术的研究，其中也包括中国，科学家们不畏艰难、迎难而上，也取得了很多成绩，包括材料、设备、制造等，它们是推动电子产业发展的核心，也是最重要的人才，值得我们去尊敬和点赞。