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三星扩产NAND Flash IC Insights估恐过剩

作者:时间:2017-11-16来源:中央社收藏

  (Samsung)今年资本支出将倍增至260亿美元,其中,又将以3D Flash为最大宗,研调机构IC Insights认为,3D Flash恐将供过于求。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201711/371552.htm

  IC Insights预估,今年全球半导体资本支出金额将达908亿美元,将成长35%;其中,今年资本支出将倍增至260亿美元,比英特尔(Intel)与台积电的总和还多。

  今年的资本支出主要投入3D储存型闪存( Flash),将达140亿美元,IC Insights指出,三星将斥资70亿美元,推进动态随机存取内存(DRAM)制程技术,并弥补因制程转换造成的产能损失。

  在晶圆代工方面,IC Insights表示,三星将投入50亿美元扩增10奈米制程产能。

  除三星投入巨额资本支出,SK海力士(Hynix)与美光(Micron)等三星竞争对手资本支出也将显著增加,IC Insights认为,这恐将引发3D NAND Flash市场供过于求。



关键词: 三星 NAND

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