英特尔：下一代酷睿仍采用14nm性能已等于三星10nm

　　2月10日，英特尔在投资者会议上正式发布了第8代酷睿处理器，将于今年下半年亮相。遗憾的是，第8代酷睿处理器并没有采用传闻中的10nm工艺，而是依旧沿用14nm工艺，英特尔称之为“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。虽然采用的仍然是老工艺，但是英特尔表示，第8代酷睿的性能将比Kaby Lake提升15%。

　　据悉，数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上，CEO柯再奇曾表示，搭载10nm芯片笔记本产品会在今年底出货。

　　虽然三星、台积电都已经研发出14nm工艺，并且成功量产。但是英特尔表示自己的14nm工艺和竞争对手的10nm工艺同样优秀，领先对手整整三年。

　　根据英特尔在投资者会议上公开的PPT，其2014年研发出来的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和三星以及台积电的10nm工艺看齐。

　　此外，根据英特尔高级院士Mark Bohr的说法，英特尔10nm工艺的栅极间距是54nm，是同时代10nm最强。

　　据悉，Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。如果传言属实，那么英特尔的10nm是否能够对标三星和台积电的7nm工艺呢?