第二季NAND Flash品牌营收排行

　　第二季NAND Flash品牌商营收较上季成长3.4%，结束前两季连续衰退的颓势。

　　受惠于中国智慧型手机品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7备货需求，第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧;TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，2016年第二季eMMC、用户级固态硬碟与企业级固态硬碟的合约价跌幅开始收敛，通路端wafer价格更从四月起逐月走扬，第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.4%，结束前两季连续衰退的颓势。

　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第三季各项终端产品进入需求旺季，除智慧型手机外，用户级固态硬碟也在下半年需求快速攀升，使第三季NAND Flash供货吃紧的情况更显着。预估在价格逐渐走扬下，第三季NAND Flash业者的营收成长及营业利益率将再一步提升，第四季也可望走扬。

　　以各家厂商表现来看，第二季三星电子(Samsung) NAND Flash营收季成长约10%，营业利润率也连两季成长。主要受惠于高容量企业级固态硬碟的市占率快速提升，及高容量eMMC/UFS、eMCP订单追加力道明显，位元出货量季增约15%，而平均销售单价季跌幅仅约5%。

　　杨文得表示，从产品策略来看，三星3D-NAND Flash的固态硬碟市占率快速增加，现阶段高容量eMMC/UFS与eMCP的市占率也大幅领先竞争者。此外，三星持续扩增3D-NAND Flash的产能，因此今年的位元成长率将优于产业平均水准。

　　东芝电子(Toshiba)整体第二半导体厂已开始量产3D-NAND Flash，预计在第四季可达每月4万片的水准，而目前主力制程维持15奈米，占比将在第三季达80%以上，此外，TLC的产品也因主力策略客户从第二季末开始加单，比重也可在第三季接近50%。

　　未来东芝为了分散客户过于集中的风险，将投入更多资源在开发企业级固态硬碟，及提高用户级固态硬碟占有率两个主轴，预估从第四季开始，东芝的SSD应用项目Flash消耗量占比有望接近30%。

　　从威腾电子(WD)的2016会计年度第四季相关NAND Flash的表现来看，15奈米制程的产品依旧为营收获利主要来源。威腾电子3D-NAND Flash 64堆叠产品开发进度加速，在单颗晶片容量可增加至512Gb的情况下，未来开发重点将放在TLC架构上以获取更好的成本优势。

　　威腾电子在本季增加约5%产能投片，今年度位元成长率约为30%。3D-NAND Flash产出比重预估在明年底可达40%。杨文得表示，威腾电子目前为拥有完整HDD与SSD等储存产品线的领导公司。

　　第二季SK海力士(Hynix) NAND Flash营收较第一季劲扬37%，至8.82亿美元。受惠于中国智慧型手机需求畅旺，及第一季基期较低的缘故，第二季SK海力士位元出货量大幅季增52%。DRAMeXchange预估，在高容量eMMC/UFS、eMCP出货，及SSD市占率开始提升的情况下，SK海力士第三季位元出货量可望季成长15%。

　　在产品开发进度上，SK海力士最新制程的14奈米在第三季出货比重开始增加，3D-NAND Flash则预计在今年底将有每月2~3万片的产能。

　　美光(Micron) 2016会计年度第三季(3~5月)非挥发性记忆体(Non-Volatile)位元出货季衰退10%，平均销售单价与位元成本则分别下滑6%与3%，总计NAND Flash营收下滑接近15%，至9.08亿美元。美光本季Fab10X新厂已小批量生产3D-NAND Flash，预计下一季开始量产。

　　此外美光TLC 3D-NAND Flash的SATA SSD已送样给各大PC-OEMs厂商测试，下一世代的3D-NAND Flash也即将推出，将可较前一代节省成本约30%，带来更出色的价格竞争力。在3D-NAND Flash比重快速攀升的带动下，DRAMeXchange预估美光2017年的NAND Flash位元

　　第二季英特尔(Intel) 的NAND Flash营收仅季跌0.5%，至5.54亿美元。虽然在其他业者的强力挑战下，平均销售单价下跌超过10%，但因第二季位元出货量成长回升超过10%，营收跌幅有限。

　　英特尔16与20奈米制程的企业级固态硬碟产品依旧为现阶段主流产品组合，而万众期盼的3D-NAND Flash (MLC)架构的企业级固态硬碟第三季底可顺利量产，大大改善成本竞争力。此外，大连晶圆厂机台设备已移入并开始试产，第四季量产出货的时程不变。