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三星:7nm工艺代工业务将采用EUV

作者:时间:2016-06-13来源:技术在线收藏

  电子在6月7日该公司与美国新思科技(Synopsys)联合举办的会议上公开了该公司代工业务的工艺路线图。此次会议与第53届设计自动化大会(53rdDesignAutomationConference,DAC2016,2016年6月5日~10日举行)同在美国奥斯汀举行。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201606/292519.htm

  会议的主题是“ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess”。来自的演讲嘉宾是FoundryMarketingSamsungSSI的高级总监KelvinLow。正如会议主题所表达的那样,KelvinLow主要围绕10nm工艺发表了演讲,同时还介绍了10nm之前的14nm以及10nm之后的工艺。

  首次在DAC的展会上设置展区是在两年前的第51届DAC(DAC2014)上,当时大力宣传了该公司的第一代14nm工艺“14LPE”。之后该公司在2016年1月发布了第二代14nm工艺“14LPP”(参阅本站报道)。14LPP在14LPEFinFET的基础上优化改进而来,提高了性能。推出14LPE之后不久,三星还开发出了14LPC。能够采用低成本工艺生产RF电路,除了中低端智能手机之外,该公司还打算将其应用于IoT用芯片等。

  从此次公布的路线图来看,三星在10nm方面将首先推出“10LPE”,然后再推出“10LPP”。关于10LPE,2014年该公司公开了PDK(ProcessDesignKit,工艺设计套件),2015年完善了设计流程及LibraryIP。进入2016年之后,开始进行风险量产。后来,该公司又公开了10LPP的PDK。并打算在2016年内完善10LPP的设计流程及LibraryIP,并于2016年底开始进行10LPP的风险量产。10nm的正式量产将从2017年早些时候开始。另外,据KelvinLow介绍,10LPE的性能提高到了14LPP的1.1倍,芯片面积缩小至68%,10LPP的性能提高至14LPP的1.2倍,芯片面积缩小至68%。

  KelvinLow还表示,10nm工艺时代将会持续很长时间。之后,将会在短时期内采用液浸ArF工艺生产。“就像平面型22nm是过渡至FinFET14nm的中间工艺那样,二者十分相似”。液浸ArF之后,将会迎来真正的7nm时代。真正的7nm工艺将使用EUV(ExtremeUltraviolet)曝光技术。EUV7nm工艺可将液浸ArF7nm工艺使用的约80枚掩膜减少至60枚左右。另外,关于两种7nm工艺,此次的路线图并未给出明确的时间。



关键词: 三星 7nm

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