三星和台积电偷笑：就算Intel技术牛又奈我何？

　　很多话题讨论的开始，均是基于每一次非英特尔芯片制造商对制造工艺的升级。最初，台积电和三星明确表示，将以最快的速度从“20纳米”过渡的“14/16纳米”，而且将会重点发展称之为“FinFET”的晶体管结构器件，重点宣传新工艺相比传统而言芯片面积将得到大幅缩减，适配每一代工艺制程。

　　另一方面，当时英特尔也正处于22纳米工艺技术到14纳米的过渡中，并且英特尔也掌握了第二代FinFET(Tri-Gate)器件技术。不过，英特尔的动作太慢了，导致三星和台积电各自挑衅称，其16和14纳米已经领先英特尔，而英特尔仍无法完全脱离22纳米的工艺制程，并且还有事实证明，台积电的20纳米工艺的晶体管密度比英特尔的22纳米更高。

　　英特尔从22纳米过渡到14纳米的时间实在过漫长，这点不假，而且英特尔也意识到了，在工艺制程技术同步发展的过程中，晶体管密度的竞争相当重要。事实上，面对民间乃至业界广为谈论的误导性话题，英特尔并没有刻意的做任何回应，但当英特尔正式公布自家14纳米技术时，才真正确定了不可动摇的领先地位。

　　下图为英特尔官方提供的逻辑面积比例图：

　　从这个英特尔的图来看，英特尔承认自家的32纳米不如28纳米工艺，主要是指栅极与栅极之间的间距前者不如后者。再到22纳米与20纳米工艺的对比，结果亦是如此。不过，确实只有在14纳米和16纳米工艺节点，才超过了其余竞争对手，确立起领先的地位。

　　所以，三星和台积电所说的都是事实，这两大越来越出色的芯片代工厂在20纳米制程时代确是领先于英特尔22纳米。但不可否认英特尔新一代14纳米更为出色，至少晶体管密度的优势上超过了其他对手的14/16纳米工艺节点。