三星新一代FinFET制程可望掳获高通？

　　一直在先进制程晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的订单?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技术的商业化量产逻辑制程。

　　香港Maybank Kim Eng分析师Warren Lau表示，高通在两年前约贡献所有台积电订单的近两成，到2017年之后会将大多数10/14奈米订单转往三星：“三星会是未来高通14奈米晶片与数据机的独家供应商;10奈米节点也会是相同的情况。”

　　三 星表示，高通正采用该公司最新的14奈米LPP制程生产其Snapdragon 820处理器，首批产品将会应用于今年上半年推出的行动装置中;三星还强调该公司是FinFET技术的领导厂商，其第一代FinFET制程在2015年第 一季推出，当时该公司采用自家14奈米LPE (Low-Power Early)制程生产Exynos 7八核心处理器。而三星将采用新的14奈米LPP制程生产Exynos 8八核心处理器。

　　以上三星的新讯息，恰巧与台积电在1月14日的最新预测同时发布。台积电估计该公司在16/14奈米节点市场的2016年占有率，将由2015年的50%增加为70%;同时台积电也预测市场对其16奈米产品需求增加，将贡献该公司2016年度业绩的两成左右。

　　三 星与台积电都在开发较低价版本的FinFET制程，以保持市场竞争力。在2015年第四季，台积电完成开发16nm FinFET Compact (FFC)制程，是该公司在2015年中发表的16奈米FinFET制程的较低功耗、较低成本版本。台积电预计16奈米FFC制程会在本季开始量产。

　　而三星系统LSI业务与行销副总裁Charlie Bae表示，该公司将会继续提供先进14奈米FinFET制程技术的衍生版本，以维持技术领导地位。三星表示其最新14奈米LPP制程透过电晶体结构与技 术的最佳化，能提供比前一代LPE制程技术高15%的速度与低15%的功耗。

　　此外三星也表示，透过采用空乏(fully-depleted) FinFET电晶体，能提供强化的制造能力以克服制程微缩极限。三星预期14奈米FinFET制程能应用于手机以及物联网(IoT)晶片，还有需求高性能与省电的各种连网与车用晶片。