三星、东芝制程竞赛不止

　　NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)制程竞赛拼得火热，在产出持续大幅增加下，10月上旬NAND Flash合约价再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高达5~7%，低容量芯片价格则是几乎持平，市场预期日前平板计算机和智能型手机 (Smart Phone)都内建高容量的NAND Flash存储器，在年底圣诞节最后一波促销热潮之下，有机会提升NAND Flash市场的需求，弥补2010年快闪记忆卡和随身碟都卖相不佳的缺憾。

　　三星和东芝2大NAND Flash供应商市占率都超过30%，由于市占率接近，因此制程竞赛和产能扩充都火拼的相当激烈，在2010年32纳米制程量产后，接著都要转进20纳米制程世代，持续降低成本，以抵抗2010年跌跌不休的NAND Flash价格。

　　下游客户透露，目前NAND Flash价格已相当接近上游制造厂的成本区，因此各厂再杀低的意愿也不高，因为一不小心可能又陷入亏损的窘境，这是许多存储器大厂所不乐见的情况，也因此，有些NAND Flash大厂已开始放慢增产的速度，免得接下来进入传统淡季后，产出增加又造成价格续跌的负担。

　　以10月上旬合约价来看，高容量64Gb芯片跌幅最深，高达5~7%，平均成交价约10美元，部分低价交易已来到8美元水平;32Gb容量芯片则小幅下跌1~2%;而在低容量芯片方面，包括8Gb和16Gb，合约价格几乎是持平。

　　下游业者认为，2010年的NAND Flash市场都是靠平板计算机、智能型手机等内嵌式存储器撑起一片天，尤其平板计算机的热潮仍在，预计在2010年耶诞假期之前，会有一波智能型手机和平板计算机的需求加温，届时可带动NAND Flash补货热潮窜出。

　　由于目前NAND Flash价格接近上游大厂成本线，加上快闪记忆卡、随身碟都卖相不佳，纵使有平板计算机和智能型手机应用的加持，在进入12月传统淡季后，这些题材都会淡化掉，因此NAND Flash大厂也会担心产业供需严重失衡，已开始在考虑放缓新产能的投片速度，此举有助于产业供需导向平衡。

　　三星和东芝2011年都会进入20纳米制程世代，且增加X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片产出量，预计在制程竞赛上是不会松懈，尤其又有美光(Micron)和英特尔(Intel)阵营技术跑在前面，三星和东芝或许会放缓新产能的投片速度，但制程演进脚步是不会休息的。