SOT-MRAM技术资讯-电子产品世界网

自旋芯片与技术全国重点实验室发布全球首款单片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

本次技术突破有力推动了 SOT-MRAM 技术的发展及产业化进程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召开的「第一届自旋芯片与技术研讨会」上，自旋芯片与技术全国重点实验室发布了全球首款单片容量达到 4 Mb ...

SOT-MRAM 2026-02-10

2025年MRAM全球创新论坛将展示MRAM技术创新、进展及行业专家的研究成果

MRAM全球创新论坛是行业内磁阻随机存取存储器（MRAM）技术的顶级平台，汇聚了来自业界和学术界的顶尖磁学专家与研究人员，共同分享MRAM的最新进展。今年已是第13届，这一为期一天的年度会议将于2025年12月11日IE...

MRAM 存储技术创新 2025-12-10

瑞萨电子超高算力RA8系列新增两款MCU产品，搭载1GHz双核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技术

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）产品。全新MCU产品基于1GHz Arm® Cortex®-M85处理器（可选配250MHz Arm® Cortex®-M33处理器），...

瑞萨 MCU 2025-10-22

特斯拉集团与SRAM & MRAM携手建设全球电动汽车电池超级工厂

据印度报业托拉斯报道，为大力推动电动汽车（EV）电池制造发展，特斯拉集团与SRAM & MRAM集团日前达成一项价值10亿美元的里程碑式合作协议。此次合作不仅计划在印度建设5座先进的电动汽车电池超级工厂，还将在包括美国、...

特斯拉 SRAM & MRAM 2025-09-26

新兴存储，开始走嵌入式路线

新兴内存已不再只是未来的前景。在嵌入式系统中，它正在成为现实。...

MRAM ReRAM 2025-06-03

台积电计划建立首个欧洲设计中心瞄准5纳米车用MRAM

TSMC 将在欧洲建立其第一个设计中心，并正在寻求汽车应用内存技术的重大飞跃。欧盟设计中心（EUDC）将设在慕尼黑，预计将专注于汽车，但也将支持工业应用、人工智能（AI）、电信和物联网（IoT）的芯片设计。考虑...

台积电 5纳米 2025-05-28

从闪存到MRAM：满足现代FPGA配置的需求

在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对...

闪存 MRAM 2025-02-22

IMEC，加码MRAM

不只是 imec，当下诸多研究机构纷纷表示，看好 MRAM。...

MRAM 2025-01-16

一种新型存储技术问世

大阪大学的研究人员介绍了一项创新技术，可以降低现代存储设备的功耗。...

磁阻RAM MRAM 2025-01-14

铠侠即将发布三大创新研究成果

自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以...

铠侠存储技术 2024-10-24

【供应商亮点】Everspin与Lucid Motors携手，将MRAM技术集成至Gravity SUV车型

Source:Getty/kaptnal专注于磁阻随机存取存储器（MRAM）解决方案的美国企业Everspin Technologies日前宣布将与Lucid Motors合作，在Lucid即将推出的Gravity电动运...

Everspin Lucid Motors 2024-10-18

MRAM，新兴的黑马

1956 年，IBM 推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。此后，随着科技的进...

磁变存储器 MRAM 2024-10-15

台积电新型存储技术问世，功耗仅为同类技术的1%

台积电利用其自身先进的制程优势，正在积极推动新型存储产业的发展。...

MRAM 2024-02-05

MRAM：RAM和NAND再遇强敌

M 是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的 0 和 1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于 DRAM 内存的容量密度和使用寿命，平均能耗...

MRAM 2023-11-23

迷人的新型存储

多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战...

MRAM ReRAM 2023-03-17

尺寸最小+功耗最低，三星即将宣布MRAM重要突破

据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(...

功耗三星 2022-10-30

工业储存技术再进化完美内存MRAM现身

近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件，闪存（F...

工业储存 MRAM 2022-09-12

一文读懂｜三大新兴存储技术：MRAM、RRAM和PCRAM

在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈...

存储技术 MRAM 2021-04-26

MRAM技术新突破！台湾清大团队发表新磁性翻转技术

　　全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM)，准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转，研究成果已于今年2月19日...

MRAM DRAM 2019-03-26

MRAM将改变半导体市场的格局？三星已开始大量生产

　　据报道，三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。　　三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和...

MRAM 三星 2019-03-08

英特尔已悄悄将MRAM商用？三星紧追其后

　　在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。　　MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式随...

英特尔 MRAM 2018-12-20

MAX4236, MAX4237 SOT23封装、甚高精密、3V/5V、满摆幅运算放大器

MAX4236/MAX4237为高精度运放，在不采用斩波技术的情况下取得了优异的低失调电压和低失调电压温度系数。MAX4236和MAX4237的典型大信号开环电压增益为1...

MAX 4236 2018-09-11

联华电子和美商Avalanche合作技术开发MRAM及相关28纳米产品

　　联华电子今(6日) 与下一代ST-MRAM(自旋转移力矩磁阻RAM)领导者美商Avalanche共同宣布，两家公司成为合作伙伴，共同开发和生产取代嵌入式内存的磁阻式随机存取内存(MRAM)。同时联华电子也将透过Ava...

联华电子 MRAM 2018-08-06

嵌入式存储器的过去与现在

近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年...

嵌入式存储器 MRAM 2018-07-30

使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能

　　半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 ...

STT MRAM 2018-05-23

新式储存结构能加速MRAM市场起飞吗？

　　MRAM新创公司STT开发出一种存储器专有技术，据称可在增加数据保持的同时降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。这种新式的“岁差自旋电流”(PSC)储存结构将在MRAM市场扮演什么角色?它能成为加...

MRAM SRAM 2018-05-04

如何给汽车系统选择合适的非易失性存储器

　　汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源切换期间存储信息。...

MRAM FRAM 2018-01-30

基于magnum II测试系统的MRAM VDMR8M32测试技术研究

　　摘要: VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM)，可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理，其次详细阐述了基于magnum&nb...

VDMR8M32 MRAM 2017-08-28

全球晶圆代工大厂投入MRAM研发

　　全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取记忆体(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。　　据SemiEngineering网站报导，GlobalFoundri...

MRAM 晶圆 2017-08-28

迎接嵌入式存储器转型全球晶圆代工大厂投入MRAM研发

　　全球主要晶圆代工厂计划在2017年与2018年提供磁阻式随机存取存储器(MRAM)作为嵌入式储存解决方案，可望改变下一代储存技术的游戏规则。　　据Semi Engineering网站报导，GlobalFoundr...

存储器 MRAM 2017-08-25

MRAM接班主流存储器指日可待

　　随着更多业者进入MRAM市场，STT执行长Barry Hoberman在日前受访时谈到了MRAM带来的商机及其可能取代现有主流存储器技术的未来前景。　　或许有人会把2016年形容为磁阻式随机存取存储器(MRAM)...

MRAM DRAM 2017-08-23

DIGITIMES：MRAM的进展与研发方向

　　MRAM是新兴的存储器，为晶圆制造代工业竞争主轴之一。先讲结论，MRAM的最近发展令人兴奋。它虽然是新兴的存储器，却成为传统上以逻辑线路为主的晶圆制造代工业竞争主轴之一。　　MRAM研发的挑战一直都是良率和微缩。...

DIGITIMES MRAM 2017-07-06

台积电重返内存市场瞄准MRAM和RRAM

　　晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。　...

台积电 MRAM 2017-06-06

新一代STT-MRAM容量达Gb水准

　　被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM)，在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公开了若干突破...

三星 MRAM 2017-02-04

IEDM：28nm嵌入式MRAM即将问世

　　在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议(IEDM)上，来自三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体(MRAM)的最新发展。 ...

28nm MRAM 2016-11-29

MRAM大势将至　产学界吁应尽速计划推动

　　台湾磁性技术协会邀请产学人士，11月19日于工研院举办自旋电子专题论坛，针对该主题介绍市场与技术概况。产业界与学术界人士交流该项技术的看法，对于磁性存储器(MRAM)的市场前景乐观，并认为台湾产官学研有迫切携手推动的...

MRAM 2016-11-22

借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积

　　近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SO...

SOT-23 MOSFET 2016-10-17

从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元

磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术，正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受。它集成了一个磁阻器件和一个硅基选择矩阵。MRAM的关键属性有非易失性、低电压工作、无限次读写的耐用性、快速...

随机存取逻辑单元 2016-10-15

STT-MRAM存储技术详解

存储器是当今每一个计算机系统、存储方案和移动设备都使用的关键部件之一。存储器的性能、可扩展性，可靠性和成本是决定推向市场的每个系统产品经济上成功或失败的主要标准。目前，几乎所有产品都使用一种或组合使用...

MRAM 存储器 2016-10-15

MRAM的黄金时代即将来临？

　　MRAM市场可能会在明年开始变得越来越“拥挤”──开发OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技术的美国业者Spin Transfer Technolo...

STT MRAM 2016-10-01