台积电计划建立首个欧洲设计中心瞄准5纳米车用MRAM

TSMC 将在欧洲建立其第一个设计中心，并正在寻求汽车应用内存技术的重大飞跃。欧盟设计中心 （EUDC） 将设在慕尼黑，预计将专注于汽车，但也将支持工业应用、人工智能 （AI）、电信和物联网 （IoT） 的芯片设计。

考虑到这一点，台积电已对其 28nm 电阻式 RRAM 存储器进行了汽车应用认证，预计 12nm 版本将满足同样严格的汽车质量要求，并计划推出 6nm 版本。它还计划推出 5nm MRAM 磁性存储器。与 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工艺技术上闪存的关键替代品。台积电的 22 纳米 MRAM 正在生产中，16 纳米 MRAM 已准备好为客户提供 12 纳米 MRAM 正在开发中。

然而，台积电也在验证 MRAM 和 RRAM，以便将来分别扩展到 5nm 和 6nm。这是扩展车辆中 ADAS 和 AI 芯片内存的重要一步。

EUDC 加入了台积电现有的全球网络，该网络由位于台湾、美国、加拿大、中国大陆和日本的九个设计中心组成，预计将于 2025 年第三季度开业。

汽车是台积电今天在阿姆斯特丹举行的技术研讨会上的重点，台积电预计其 3nm 工艺将在今年晚些时候获得汽车使用资格。这将用于下一代中央 AI 和 ADAS 芯片，以及 12nm 电阻式 RRAM 存储器。

智能汽车技术包括汽车级先进封装、横向溢出集成电容器 （LOFIC） 图像传感器，用于处理光线条件的突然变化，由 TSMC 的 3D 高密度金属绝缘体金属 （MiM） 电容器实现

对于汽车 ADAS，它提供超过 100 dB 的 LED 无闪烁动态范围，而不会影响光性能和生成。

在物联网方面，台积电已经开始探索性开发其 4nm N4e 工艺，旨在将电压从 0.4V 的电流值进一步降低，这将接近阈值电压。它还在研究超低漏电流 SRAM 和逻辑，以进一步降低漏电流功率以延长电池寿命。

N3 预计将成为一个大容量和长时间运行的节点，截至 2025 年 4 月，将有 70 多个新的流片。N3E 正在大批量生产旗舰移动和 HPC/AI 产品。N3P 于 2024 年第四季度开始量产。

N3A 针对汽车应用，包括驾驶员辅助和自动驾驶技术。目前，该模块正在进行最终的缺陷改进，并有望获得 AEC Q100 1 级认证，并将于 2025 年晚些时候投入生产。

该公司表示，到 2030 年，汽车将占据 15 亿美元的 1tn 市场，领先于物联网的 10%。数据中心和人工智能当然正在推动增长，预计到 2030 年将提供 45% 的市场份额，即 4500 亿美元的 A16 和 A14 工艺技术，台积电将于今年晚些时候在台湾头中开设一座晶圆厂 Fab 25，用于这些技术。

A16 和 A14 预计将使用互补场效应晶体管 （CFET） 设计，将 nFET 和 pFET 垂直堆叠，CFET 实现了近两倍的密度。

在显示技术方面，台积电宣布推出业界首个用于可折叠/超薄 OLED 和 AR 眼镜的 FinFET 高压平台。与 28HV 相比，16HV 预计将使 DDIC 功耗降低约 28%，并将逻辑密度提高约 41%。