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铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度,像工业标准的串行和并行接口,工业标准的封装类型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。   非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。 查看详情>>

  • FRAM资讯

晶圆代工开始关注新型存储

ReRAM FRAM 2023-04-10

富士通电子推出可在125℃高温下稳定运行的最新4Mbit FRAM

FRAM DFN 2020-07-24

从新能源汽车到智能充电桩,富士通打造车联网存储IC完美阵列

FRAM VCU 2020-07-21

富士通电子推出能在苛刻环境正常工作的SPI 2Mbit FRAM

IC FRAM 2020-05-31

富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品

FRAM EEPROM 2020-05-31

独立存储器

FRAM SPI 2020-05-12
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铁电存储器FRAM的优劣势

铁电存储器 FRAM 2021-05-11

富士通FRAM是如何崛起的?

FRAM 2021-04-25

什么是FRAM?

FRAM 富士通 2021-04-21
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