2025年MRAM全球创新论坛将展示MRAM技术创新、进展及行业专家的研究成果

MRAM全球创新论坛是行业内磁阻随机存取存储器（MRAM）技术的顶级平台，汇聚了来自业界和学术界的顶尖磁学专家与研究人员，共同分享MRAM的最新进展。今年已是第13届，这一为期一天的年度会议将于2025年12月11日IEEE国际电子器件会议（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6点在旧金山联合广场希尔顿酒店帝国宴会厅A/B举行。

2025年MRAM技术项目包括12场由全球顶尖MRAM专家邀请的演讲，以及一个晚间小组讨论。这些项目将聚焦于技术开发、产品开发、工具开发及其他探索性话题。

MRAM技术是一种非易失性存储器，以其高速、耐久性、可扩展性、低功耗和辐射抗性著称。MRAM设备中的数据通过磁性存储元件而非电荷存储，这与传统存储技术不同。MRAM技术越来越多地应用于嵌入式存储器，如汽车微控制器、边缘人工智能设备、数据中心、传感器、航空航天以及可穿戴设备。

MRAM论坛联合主席（自2021年起）兼SPINTEC高级研究工程师Kevin Garello表示：“STT-MRAM市场目前正在快速增长，尤其是嵌入式STT-MRAM在下一代汽车微控制器单元中的应用。”“我预计边缘人工智能应用将成为STT-MRAM的下一个重要市场。”

“我很高兴看到多年来MRAM论坛系列已成为MRAM工业生态系统中的一个里程碑式活动，”前MRAM论坛联合主席（2017–2023）及SPINTEC研究总监伯纳德·迪尼表示。“我们正见证该技术在微电子行业的稳步增长，最初对这项新技术的担忧也在稳步消退。”