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英飞凌与华邦电子达成协议出售NOR闪存及F-RAM业务，聚焦核心发展领域

· 该交易价值11.2亿美元，将支持英飞凌的战略重点与盈利性成长· 该交易展现了NOR闪存及F-RAM业务的强大市场地位与价值· 英飞凌将保留利基型存储器方案产品组合，包括SRAM、HYPERRAM™、nvSRAM及基于...

英飞凌华邦电子 2026-09-17

新型嵌入式存储技术力求突破 SRAM 发展桎梏

随着 SRAM 微缩进程放缓，这款新型嵌入式存储可为 AI 芯片扩充片内存储容量，降低芯片对外置 DRAM 与 HBM 的依赖。传统静态随机存储器（SRAM）难以在 5 纳米工艺节点之后持续微缩。以色列 - 瑞士初创企业...

嵌入式存储 SRAM 2026-07-24

内存墙越筑越高

随着静态随机存取存储器（SRAM）在先进工艺节点下难以持续微缩，整个半导体行业必须评估其对各类计算场景的冲击，而短期内暂无简易解决方案。核心要点每一代工艺节点微缩时，同等容量的 SRAM 所占芯片面积比例持续上升。该问题...

内存墙 SRAM 2026-04-03

内存墙越来越高

SRAM 是各类计算系统的核心组件，但近年来它的缩放进度已远落后于逻辑电路，内存墙问题在过去五年急剧恶化。早在 1990 年，Hennessy 和 Patterson 就在《计算机架构：量化方法》中指出：内存容量与性能将...

内存墙 SRAM 2026-04-01

汽车存储器新突破：8nm128Mb嵌入式MRAM的研发

全球首款 8 纳米 128 兆位嵌入式自旋转移矩磁随机存取(MRAM)存储器，相关研究成果收录于 2025 年国际电子器件会议磁随机存取存储器 / 阻变存储器专题论文集汽车技术的飞速发展，推动了市场对高可靠性、高性能半导...

汽车存储器 8nm 2026-03-02

自旋芯片与技术全国重点实验室发布全球首款单片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

本次技术突破有力推动了 SOT-MRAM 技术的发展及产业化进程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召开的「第一届自旋芯片与技术研讨会」上，自旋芯片与技术全国重点实验室发布了全球首款单片容量达到 4 Mb ...

SOT-MRAM 2026-02-10

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09-09 一个烧录失败的case让你更了解APM32芯片的烧录机制

jobs|浏览：1086|回复：2| suncat0504 2025-09-11 19:01:19

03-06 STM32H7的TCM,SRAM等五块内存基础知识

jobs|浏览：1419|回复：0| jobs 2025-03-06 18:10:02

10-18 请问M487KMCAN的SRAM到底是128KB还是160K？

abgh668|浏览：599|回复：1| 2220193197 2024-10-18 20:46:25

07-02 PSoC4中SRAM阵列的数据保持电压是多少？

abgh668|浏览：783|回复：1| 2220193197 2024-07-02 10:45:17

03-10 CY8C6247BZID44如何查看编译后的SRAMSize\\StackSize\\HeapSize？

abgh668|浏览：1070|回复：2| laocuo1142 2024-03-11 08:30:02

05-22 了解SRAM跟DRAM的区别在哪里

睡梦中的雄师|浏览：3531|回复：18| bjxyz 2022-05-23 10:08:33

01-23 了解SRAM跟DRAM的区别在哪里

睡梦中的雄师|浏览：2411|回复：7| lark1 2022-01-23 20:49:29

11-16 铁电存储器常见问题解决方案

英尚微电子|浏览：2478|回复：4| 南望 2022-01-09 23:40:43

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