3D-NAND资讯-电子产品世界网

兆易创新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

一、产品概述中国北京（2025年4月15日）—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）...

兆易创新 GD5F1GM9 2025-12-30

Metalens 提升显微 3D 打印精度

借助使“隐形斗篷”成为可能的光扭曲技术，科学家们开发出一种既能实现微观细节又能实现高通量的新型3D打印技术。研究人员建议，他们的新技术有望实现复杂纳米级结构的大规模生产。潜在应用包括药物递送和核聚变研究。目前，3D打印复...

3D 打印超构透镜 2025-12-19

金斯顿警告称，自2025年初以来，NAND价格已飙升246%，预示未来将有更多价格上涨

在供应紧张引发全球记忆价格飙升的背景下，另一家主要组件制造商警告即将上调价格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston数据中心SSD业务经理Cameron Crandall的言论指...

NAND 存储 2025-12-18

长江存储对美国国防部、商务部发起诉讼

据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤...

长江存储 3D NAND 2025-12-11

算力巨头入局 EDA、头部晶圆厂押3D IC EDA新范式

近日，英伟达宣布入股新思科技，并开启多年深度合作，引发行业广泛关注。作为一家以算力和应用见长的芯片公司，为什么要亲自“下场”绑定一家 EDA 工具商？与之相呼应的是，台积电早已与楷登电子在先进制程与 3D 封装上形成紧密...

算力巨头 EDA 2025-12-10

三星大力推崇96%的NAND设计采用低功耗——研究人员研究基于铁电晶体管的设计

研究人员展示了基于FeFET的三维NAND电池，其通电电压接近零，每个单元最多可达五位。三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁...

NAND 三星 2025-12-03

三星推崇基于铁电晶体管设计的低功耗NAND

三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管——由三星先进技术研究院的研究人员完成，发表在《自然》期刊上。该书描...

三星铁电晶体管 2025-12-02

三星据报道将在研发部门调整中发布NAND技术，将削减96%的功耗

在内存供应紧张和价格飙升给行业压力的情况下，据ETNews和News 1报道，三星开发出了一种NAND闪存技术，能够降低90%以上的功耗，预计将提升AI数据中心、移动设备及广泛应用的能效。据报道，11月27日，SAIT（...

NAND 闪存 2025-12-01

IEEE Wintechon 2025 通过数据、多样性与协作驱动印度半导体未来

第六届IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程师、技术专家、行业领袖、学术界、学生和研究人员，主题为“以数据驱动的半导体创新改变未来”。今年，该会议由IEEE班加...

半导体产业嵌入式系统 2025-11-26

量子传感器初创公司寻找三维芯片的缺陷

芯片制造商正越来越多地采用晶体管层堆叠技术，在有限空间内集成更强计算能力。然而，当前用于检测可能导致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技术，要么效果不佳，要么具有破坏性。不过，一家初创公司表示，基于人造钻石的新型量子传感器有望...

氮空位缺陷 3D 芯片 2025-11-21

SK海力士探索高带宽存储堆叠 NAND 和 DRAM

在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存（HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的...

SK海力士高带宽 2025-11-11

HDD交付延迟拉长至2年QLC NAND产能提前被抢购一空

AI服务器推动储存需求爆发，传统硬盘（HDD）持续大缺货，据悉，交付期限已延长至2年以上，北美及中国云端服务（CSP）大厂「紧急加单」，采购大容量企业级固态硬盘（SSD）。部分原厂2026年QLC NAND Flash...

HDD QLC NAND 2025-11-07

3D-IC将如何改变芯片设计

专家在座：半导体工程与西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson 坐下来讨论 3D-IC 设计挑战以及堆叠芯片对 EDA 工具和方法的影响;Mick Posner，Cadence&n...

3D-IC 芯片设计 2025-10-10

长江存储全面完成股改，估值已超1600亿元

总部位于武汉的长江存储科技控股有限责任公司（长存集团）召开股份公司成立大会并选举首届董事会，此举或意味着其股份制改革已全面完成。在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元估值首次入围，位列中...

长江存储半导体 2025-10-09

第一次深入真正的3D-IC设计

专家在座：半导体工程坐下来讨论了对 3D-IC 的初步尝试以及早期采用者将遇到的问题，西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 计...

3D-IC设计 2025-09-28

SK 海力士据报道与客户协商价格调整，跟随美光和三星

存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协...

DRAM NAND 2025-09-23

Kioxia 股价因 NAND 短缺上涨 70%；SK hynix 收获股份收益

根据韩国媒体《Yonhap Infomax》，日本 NAND 闪存生产商 Kioxia 的股价在 NAND 市场供应短缺的情况下急剧上涨。报道指出，SK hynix——2018 年投资 390 亿韩元入股 Kioxia—...

铠侠 NAND 2025-09-16

美光冻结价格，推理 AI 推动 SSD 需求激增及供应短缺

随着全球数据中心部署的加速，云巨头正将其需求从训练 AI 转向推理 AI，推动了对大容量内存需求的持续增长，并导致内存供应紧张从 DRAM 转向 NAND。供应链消息人士透露，在上周闪迪将 NAND 价格上调 10%之后...

美光 AI 2025-09-15

国产厂商切入下一代存储技术：3D DRAM

随着 ChatGPT 等人工智能应用的爆发式增长，全球对算力的需求正以指数级态势攀升。然而，人工智能的发展不仅依赖于性能强劲的计算芯片，更离不开高性能内存的协同配合。传统内存已难以满足 AI 芯片对数...

3D DRAM 2025-09-12

长江存储加速产能扩张：新公司注册资本达207亿，其认缴出资104亿元

现在，国产存储芯片龙头长江存储（YMTC）迎来了一个重磅消息。9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立，注册资本高达207.2亿元人民币，法定代表人为长江存储董事长陈南翔。新公司涵盖集成电路制造、设计、...

长江存储 YMTC 2025-09-09

汽车应用3D-IC：利用人工智能驱动的EDA工具打破障碍

汽车行业正在经历重大变革，因为它采用自动驾驶技术和超互联生态系统等创新。这一变化的核心是对紧凑型、高性能半导体解决方案的需求不断增长，这些解决方案能够应对日益复杂的现代汽车架构。一项有前途的发展是三维集成电路（3D-I...

汽车应用 3D-IC 2025-09-05

内存巨头，脆弱的链接：韩国对日本 HBM 供应链的依赖

根据 ZDNet 的报道，韩国可能在 DRAM 和 NAND 闪存等记忆产品领域领先，但它仍然严重依赖日本的关键材料。该报告援引消息人士的话警告说，除非本地化进程更快地推进，否则这种依赖可能会成为韩国...

内存 NAND 2025-09-02

实现120层堆叠，下一代3D DRAM将问世

高密度 3D DRAM 可能即将到来。...

3D DRAM 2025-09-02

第二季度NAND收入环比增长22%

TrendForce集邦咨询表示，第二季度NAND收入前五大供应商的总收入环比增长22%，达到146.7亿美元。三星第二季度收入环比增长 23.8% 至 52 亿美元，将三星的市场份额小幅提升至 32.9%。海力士第二季...

NAND Flash 2025-09-02

美国撤销对三星、SK 海力士的中国芯片制造工具许可证：解码市场影响

三星和 SK 海力士虽然暂时免于美国政府入股的风险，但随着华盛顿撤销豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允许他们自由进口美国芯片制造设备——根据路透社和彭博社的数据，三星和 SK 海力士...

三星海力士 2025-09-01

三星与SK海力士拟放缓2025年NAND投资计划

据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，三星电子与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND Flash的投资步伐。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高，且企业资金更多集中于DRAM和封装领域，导致对NAND...

三星 SK海力士 2025-08-26

美光推出首款 256Gb 抗辐射闪存获全空间认证

美光宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品，现已实现商业化。该产品专为航空航天及其...

美光内存 2025-07-29

铠侠第九代BiCS FLASH™ 512Gb TLC存储器开始送样

全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案...

铠侠 3D 闪存 2025-07-28

中国长江存储计划通过使用国产工具建立生产线来摆脱美国制裁

(图片来源：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC），中国领先的 NAND 存储器生产商，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单，这基本上禁止了其获取先进制造设备。尽管面临制裁和限制，YMTC 计划今年扩大...

长江存储 NAND 2025-07-22

中国CXMT和YMTC推动DRAM和NAND生产

中国存储半导体公司长鑫存储科技（CXMT）和长江存储科技（YMTC）正在加强其在全球存储半导体市场的影响力，在大约一年后将其产能几乎翻了一番。自去年以来，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM...

CXMT YMTC 2025-07-21

NAND Flash合约价 Q3看涨10%

根据TrendForce预估，第三季NAND Flash价格走势，预估平均合约价将季增5%至10%，但eMMC、UFS产品，因智慧手机下半年展望不明，涨幅较低。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优...

NAND Flash 2025-07-10

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨头更关注3D IC和数字孪生

从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻...

EDA 3D IC 2025-07-04

美光突破PC性能边界，推出自适应写入技术与G9 QLC NAND

SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光 2600 NVMe™ SSD，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案...

美光自适应写入 2025-07-01

西门子EDA推新解决方案，助力简化复杂3D IC的设计与分析流程

● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化...

西门子EDA 3D IC 2025-07-01

DDR4涨势Q4触顶、NAND持平

TrendForce最新释出的存储器市场观察指出，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动，但因供需未形成紧张态势，价格预期多呈持平。TrendForce表...

DDR4 NAND 2025-07-01

如何让QLC技术成为主流？

纵观整个电子行业，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题，在稳定保...

AI推理 QLC 2025-06-30

2.5D/3D 芯片技术推动半导体封装发展

来自日本东京科学研究所（Science Tokyo）的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装（SiP）方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面（2...

2.5D/3D 芯片技术 2025-06-24

HBM 开发路线图揭晓：2038 年将推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进，展示了带宽、容量、I/O 宽度以及热量的增加。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的发展，...

HBM.NAND 2025-06-17

芯片巨头，「扔掉」这些业务

上半年，时至过半。回顾这半年的半导体市场，似是相对平静，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整。它们接连「动刀」，果断退出部分产品领域。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头，...

DDR3 DDR4 2025-06-09

三星将停产MLC NAND，未来聚焦TLC和QLC技术

据消息人士透露，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务。同时，三星还提高了MLC NAND的价格，促使部分客户开始寻找替代供应商。LG显示（LG D...

三星 MLC NAND 2025-05-27