NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期，NAND Flash市况将于6月好转，下半年表现将优于上半年，甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌，但供应商已开始坚守价格，避免市场陷入低迷行情。他强调，供应商根据市场状况自然调节供给，是NAND Flash供需好转的主因之一，2025年NAND Flash位元供给，估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制，也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
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据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责
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自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。据悉，铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，类似长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38%。两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品（BiCS FLASH™ generation 8）实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8G
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据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步压缩企业的利润空间，为此，三星与SK海力士均选择在2025年第一季度实施更为激进的减产措施，将NAND闪存产量削减幅度提高至10%以上。在此前的上升周期时，N
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据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
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全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。
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根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出，NAND
Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布减产，Kioxia/
SanDisk（铠侠/闪迪）、Samsung（三星）和SK hynix/
Solidigm（SK海力士/思得）也启动相关计划，可能长期内加快供应商整合步伐。TrendForce集邦咨询表示，NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的，背后受以下因素驱动：第一，需求疲软
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很多嵌入式硬件设备都集成了OTA功能，以便产品量产后可以通过远程OTA等方式下载的APP应用程序。在使用带有OTA功能的固件之前，其实还需要提前下载BootLoader程序，才能进一步下载APP程序，今天就来说说通过OTA方式升级固件时，几种Flash（闪存）划分方式。独立型
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1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
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12 月 5 日消息，据 Businesses Korea 今日报道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了 1 位总裁、33 位新高管及 2 位研究员。为提升决策效率，该公司推行“C-Level”管理体系，依据核心职能分工明确责任与权限，业务单元被划分为包括 AI 基础设施（CMO）、未来技术研究院（CTO）、研发（CDO）和生产（CPO）在内的五大部门。据介绍，新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等
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根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示，不同应用领域的NAND
Flash价格走势在今年第三季出现分化，企业级SSD需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略，订单大量减少，第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响，合约价反
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据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布，旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性，也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。随着汽车电子电气组件数量的指数级增长，其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能
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据韩媒报道，三星近期将开始销售前端和后端生产线的旧设备，其中包括位于中国西安的NAND工厂。报道称，三星近期正在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。预计出售程序将于明年正式开始，销售的设备大部分是100级3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。
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10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。报道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 将被命名为 BV（Bonding Vertical） NAND，这是因为这代产品将调
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nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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