- 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。报道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 将被命名为 BV（Bonding Vertical） NAND，这是因为这代产品将调
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三星 存储 V-NAND
- IT之家 10 月 15 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，NAND Flash 产品受 2024 年下半年旺季不旺影响，wafer 合约价于第三季率先下跌，预期第四季跌幅将扩大至 10% 以上。IT之家注意到，模组产品部分，除了 Enterprise SSD 因订单动能支撑，有望于第四季小涨 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因买家的终端产品销售不如预期，采购策略更加保守。TrendForce 预估，第四季 NAND Flash 产品整体合约价将出现季减 3% 至
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NAND 闪存 存储 市场分析
- 三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。三星半导体基于第八代V-NAND技术的车载SSD AM9C1三星电子副总裁兼存储器事业部汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：“我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提
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三星电子 V-NAND 车载SSD
- 9月24日消息，今日，三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND 技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。相比前代产品AM991，AM9C1能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。据介绍，AM9C1采用三星5nm主控，用户可将TLC状态切换至SLC模式，以此大幅提升读写速度。其中，读取速度高达4700MB/s，写入速度高达1
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三星电子 NAND PCIe 4.0 车载SSD
- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于Server（服务器）终端库存调整接近尾声，加上AI推动了大容量存储产品需求，2024年第二季NAND
Flash（闪存）价格持续上涨，但因为PC和智能手机厂商库存偏高，导致第二季NAND
Flash位元出货量季减1%，平均销售单价上涨了15%，总营收达167.96亿美元，较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供应商已恢复盈利状态，并计划在第三季扩大产能，以满足AI和服务器的强劲需求，但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳，
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash AI SSD
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出，由于服务器终端库存调整接近尾声，加上 AI 推动了大容量存储产品需求，今年第二季度 NAND Flash（闪存）价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高，导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%，平均销售单价上涨了 15%，总营收达 167.96 亿美元（IT之家备注：当前约 1193.37 亿元人民币），较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下：三星：第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
- 第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制，铠侠通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡，所开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）和3.6Gbps接口速度，给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
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BiCS FLASH 闪存 flash 铠侠
- IT之家 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式
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NAND 闪存 三星电子
- Lam Research 推出低温蚀刻新技术，为 1000 层 3D NAND 铺平道路。
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NAND Flash
- 人工智能（AI）市场持续火热，新兴应用对存储芯片DRAM和NAND需求飙升的同时，也提出了新的要求。近日恰逢全球存储会议FMS 2024（the Future of Memory and
Storage）举行，诸多存储领域议题与前沿技术悉数亮相。其中TrendForce集邦咨询四位资深分析师针对HBM、NAND、服务器等议题展开了深度讨论，廓清存储行业未来发展方向。此外，大会现场，NVM Express组织在会中发布了 NVMe 2.1
规范，进一步统一存储架构、简化开发流程。另外包括Kioxia
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存储 NAND TrendForce
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 为（我们的）客户实现 1000 层 3D NAND 铺平了道路。泛林低温蚀刻已被用于 500 万片晶圆的生产，而我们的最新技术是 3D NAND 生产领域的一项突破。它能以埃米级精度创建高深宽比（IT之家注：High Aspect R
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NAND 闪存 泛林集团
- IT之家 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。IT之家注：从代际发布间隔
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SK海力士 内存 NAND
- IT之家 7 月 29 日消息，综合外媒《韩国经济日报》（Hankyung）与 Blocks & Files 报道，SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 规格，61.44TB由于内外部因素的共同影响，Sol
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SK海力士 内存 NAND
- IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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长江存储 NAND 美光 内存
- NAND 闪存已经达到了一定的密度极限，无法再进一步扩展。
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NAND
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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