据外媒报道,三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)”作为下一代NAND闪存材料,希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND,并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测,到2030年左右,其3D NAND的堆叠层数将超过1000层。三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲,分析铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroel
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三星 NAND 存储
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的研究
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三星 NAND Flash
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000
TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的
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三星 1000层 NAND
· 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比,长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善,其使用寿命也提升40%· “继HBM后,也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品,其产品实现业界最高
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SK海力士 AI 存储 NAND
据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND
Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
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DRAM NAND Flash TrendForce
Teledyne Technologies[纽交所代码:TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该产品专门适用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光轮廓应用。Teledyne
e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash
2K传感器的衍生产品,适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用,其角度响应在30°角度下为四倍以上,在
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CMOS 图像传感器 Flash
5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上涨
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232层QLC NAND现已量产,并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘(SSD)中出货。与此同时,美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产,并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
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美光 QLC NAND
前几天看到群里在讨论存储器,有些人一直搞不懂,今天给大家分享一篇文章总结一下。存储器分为两大类:RAM 和 ROM。RAM 就不讲了,今天主要讨论 ROM。rom最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活。后来出现了prom,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片,自认倒霉。人类文明不断进步,终于出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外灯下照半小时
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存储器 flash EEPROM
近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
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群联 SSD固态硬盘 NAND Flash
据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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NAND Flash 存储芯片 铠侠
据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND
Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND
Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面,中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源,由于部分供应商已降低供应此类别产品,中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案,助益中国模组厂技术进一步升级及
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TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
月5日,西部数据宣布,在NAND Flash业务拆分后,将保留原名,专注经营核心HDD业务,并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时,将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称,现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO,继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司,出任新公司执行长。图片来源:西部数据西部数据与铠侠合并进展如何?据悉,自2021年以来,西部数据及
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闪存芯片 NAND Flash 西部数据
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [
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