根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比，该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层，
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美光 232层 NAND
芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨询表示，需求未见好转，NAND Flash产出及制程转进持续，下半年市场供过于求加剧，包含笔记本、电视与智能手机等消费性电子下半年旺季不旺已成市场共识，物料库存水位持续攀升成为供应链风险。因渠道库存去化缓慢，客户拉货态度保守，造成库存问题漫溢至上游供应端，卖方承受的抛货压力与日俱增。芯研所采编TrendForce集邦咨询预估，由于供需失衡急速恶化，第三季NAND Flash价格跌幅将扩大至8~13%，且跌势恐将延续至第四季。按照供应链的说法，虽然仍
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NAND SSD 存储
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装，最大厚度仅为0.4mm，在如此紧凑、轻薄的空间内，其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升，为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电池寿命和紧凑型设计有着严苛需求的应用提供了理想选择。 如今，随着5G、物联网、AI等技术的不断迭代，在笔记本摄像头、智能遥控器、智能健康手环等采用电池
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兆易创新 SPI NOR Flash
在国产化Flash闪存领域，NAND闪存的领军当属长江存储，NOR闪存的代表则是兆易创新。 5月30日，兆易创新官方宣布，旗下Flash闪存产品累计出货量已经超过190亿颗，其中NOR闪存的市场份额更是排名全球前三。 兆易创新还透露，正在在超低功耗、超小封装等技术工艺上持续打磨产品，比如采用WLCSP超小封装的NOR闪存产品已经上市，可大大缩减系统PCB面积；比如主打超低功耗的1.2V NOR产品即将面世，可显著延长电池寿命。 NOR闪存可广泛用于智能手表、智能手环、无线耳机、XR眼镜/头显等智能穿
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兆易创新 NOR Flash
Nor Flash在2021年仅占整体闪存市场总额的4%，但Nor Flash产品的销售额飙升63%至29亿美元，Nor Flash出货量增长了33%，平均售价则上涨23%。预计Nor Flash市场将在2022年再增长21%至35亿美元。 Nor Flash市场由华邦电、旺宏、兆易创新3家厂商主导，市占率共达91%。 去年华邦电Nor Flash销售额达10亿美元，市占率以35%居冠。华邦电从2011年来，采用58纳米制程生产大多数的NOR产品，但2021年大多数已转进40纳米制程。
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华邦电 旺宏 兆易创新 Nor Flash
NAND Flash制造商一直试图通过增加每个单元存储的位数来提高其存储设备的存储密度，据外媒报导，近日铠侠表示，公司一直在试验在一个单元中存储更多比特数的NAND Flash闪存。据报道，近日铠侠表示，已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc)，尽管是在实验室和低温的条件下。 为了使存储密度更高，存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。例如，要存储4位，单元必须保持16个电压电平 (2^4)，但使用6位，该数字会增长到64(2^6)。而铠侠实现的每个单元
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SSD NAND Flash 铠侠
随着智能化、电动化浪潮的推进，汽车芯片的含量成倍提升，电动车半导体含量约为燃油车2倍，智能车为8-10倍。需求增量端2020年全球约需要439亿颗汽车芯片，2035年增长为1285亿颗。价值增量端，2020年汽车芯片价值量为339亿美元，2035年为893亿美元。可见芯片将成为汽车新利润增长点，有望成为引领半导体发展新驱动力。 汽车芯片从应用环节可以分为5类：主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等，以存储芯片为例，2022年全球汽车存储芯片市场规模约52亿美元，国内汽车存储芯片市场规模
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北京君正 兆易创新 DRAM NAND
5月30日兆易创新宣布，公司Flash产品累计出货量已超过190亿颗，年出货量超过28亿颗，目前兆易创新在NOR Flash领域已成为中国第一，全球第三，2020年兆易创新NOR Flash产品市场份额达到17.8%。除了NOR Flash存储芯片，兆易创新业务还包括DRAM存储芯片以及存储器和MCU，在过去一段时间行业普遍缺芯的背景下，兆易创新的营收与净利润均实现大幅增长，2021年和2022年一季度公司营收分别增长89.25%和165.33%，归母净利润分别增长39.25%和127.65%。目前芯片行
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兆易创新 NAND Flash
据IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的数据显示， NOR Flash在2021年仅占整体闪存市场总额的4%，但NOR Flash产品的销售额飙升63%至29亿美元， NOR Flash 出货量增长了33%，平均售价则上涨23%。机构乐观预计NOR Flash市场将在2022年再增长21%至35亿美元。NOR Flash市场由华邦电、旺宏、兆易创新3家厂商主导，市占率共达 91%。该机构指出，去年华邦电NOR Flash销售额达10亿美元，市占率以35%居
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兆易创新 NOR Flash
A股市场向来热衷炒作预期。投资者乐于为概念买单，愿意给一家公司提前多年的估值。国产半导体设计龙头兆易创新(SH:603986)，就曾是一个被预期打满的例子。2020年初，兆易创新市值一度突破1200亿。然而19年和20年，它才只有25亿和38亿营收。过度估值的结果就是，当抱团瓦解，两年之内兆易创新股价经历三次大起大落。图片：兆易创新刚到千亿市值，到如今 来源：雪球当下，作为A股闪存设计龙头的兆易创新，再一次试图向千亿市值发起了冲击。这一次，它有什么新故事吗？01 基本面往事要想看清楚兆易创新的新故事，看清
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兆易创新 NOR Flash
6月21日消息，半导体市场研究机构IC Insights发布的最新研究报告指出，2021年NOR Flash市场销售额虽然仅占整个Flash市场的销售额4%，但是2021年NOR Flash的出货量同比大幅增长了33%，同时平均售价也同比上涨了23%，使得NOR Flash总销售额同比暴涨了63%，达到了29亿元。根据IC Insights的预测， 2022年NOR Flash市场还将继续增长 21%，使得总销售金额达到35亿美元的新高，这也将头部的NOR Flash大厂直接受益。数据显示，华邦电子、旺宏
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华邦电子 旺宏 兆易创新 NOR Flash
根据断电之后数据是否依旧被保存对半导体存储器进行划分，半导体存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两大类。我们熟知的RAM（随机存取存储器）属于易失性存储器，其中RAM又可分为DRAM（动态随机存取存储器）与SRAM（静态随机存取存储器）。而ROM（只读存储器）和FLASH（闪存）则属于非易失性存储器，即断电之后存储器中的数据仍然能被保存的存储设备。据IC Insights预测，2022年、2023年全球存储芯片的市场规模将分别达到1804亿和2196亿美元，市场成长空间广阔。但在全球的存储芯片领域，市
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兆易创新 NOR Flash
作为国内 MCU 产商的领先公司，兆易创新将直接受益于 MCU 国产化，强化其领先地位，扩宽其成长潜力。全球汽车缺芯带来公司估值的上涨，智能驾驶与物联网带来全新的创新方向，国产化扩宽公司的成长潜力。1. 确定性与创新性是公司估值扩张最有力的保障半导体行业库存结构性紧张带来确定性的估值上涨。半导体存货紧张引起供应不足，带来市场的高景气。汽车电子市场需求旺盛，产业链冲击的持续与消费电子等芯片市场产能挤压共同影响，汽车芯片产能释放不及时，存货市场将带来公司估值确定性扩张。围绕最具活力的创新性方向扩张其估值。创新
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兆易创新 MCU NOR Flash
近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
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DRAM NAND
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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