据IDC预测,2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量,如此惊人而又庞大的数据量,半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种,具体类型如下:“凛冬将至”:这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人,SK海力士、美光的营收规模均成长近8成,而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说,2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%,达4197.2亿美元,存储器的
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存储器、NAND、DRAM
近日,紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司,宣布推出业界先进的50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该系列支持低功耗宽电压工作,为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。
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武汉新芯 50nm SPI NOR Flash
近日,以“数智·未来”为主题的2019中国数据与存储峰会在北京成功举办。汇聚全球数据存储领域知名的专家学者、企业领军人物与代表性企业用户,本次峰会旨在帮助企业和社会提升数据智能水平,推动全球存储与数据产业发展。英特尔公司中国区非易失性存储事业部总经理刘钢先生出席大会并发表演讲,不仅从产品层面阐述了英特尔如何通过傲腾™技术和QLC NAND™技术填补当前存储层级中的巨大鸿沟,还通过诸多用户案例进一步展示英特尔如何通过内存与存储的产品、技术创新引领存储新架构,构建数据金字塔。英特尔公司中国区非易失性存储事业部
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QLC NAND 内存
近日消息 根据guru3D的报道,随着NAND闪存技术的创新发展,固态硬盘TB内存时代即将到来,SK海力士现已推出了第一批基于其128层4D NAND产品样品。
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SK 4D NAND 128层
现如今,基本上所有的东西都打上了一个叫做“保质期”的标签。在电子产品那里,有一个更为专业一点的术语,叫做“产品生命周期”。
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RAM flash 程序
近日, 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E荣获中国电子信息产业发展研究院颁发的2019年第十四届“中国芯”优秀技术创新产品奖。“中国芯”奖项是目前国内最具权威性与影响力的奖项之一,本届共有125家芯片企业、累计187款芯片产品参与报名,基本涵盖国内最具实力的集成电路企业和最具代表性的产品,是国内集成电路产品和技术发展的风向标和大检阅。此次SPI NOR Flash产品
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NOR Flash
据外媒报道,东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器(Storage Class Memory)解决方案:XL-Flash,该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC,XL-Flash将为数据中心和企业存储带来了低延迟和高性能的解决方案,样品预计将于下月送样检测,或将于2020年量产。
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东芝 存储器 XL-Flash
网易科技讯 9月2日消息 紫光集团旗下长江存储在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
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3D NAND
Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,继6月中旬东芝断电事件后,日本政府近日宣布从7月4日起,开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料,造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况,然而,由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出货,仅是申请流程延长,短期结构性供需反转的可能性低。日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转,集邦咨询分析指出,因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑,下游
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日韩贸易战 东芝 DRAM/NAND
SK海力士于26日宣布,将量产全球首款128层的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND闪存,并计划下半年开始销售。
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SK海力士 4D NAND 128层
日本三重县四日市日前发生停电意外,市场传出存储器大厂东芝存储器(TMC)当地营运的5座 NAND Flash工厂的营运中断,尽管东芝存储器尚未对外说明影响,但据传出,合作投资的威腾(WD)已通知客户可能无法按照原定时程出货。
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威腾 东芝存储器 NAND Flash
NAND闪存价格已经连跌了6个季度,这让上游NAND厂商三星、东芝、美光等损失惨重,纷纷削减NAND产能。在群联台北电脑展上,群联公司董事长潘建成也预测NAND闪存价格已经跌破了成本,未来跌幅会收窄,需求则会升温。
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NAND 减产
市场传出,长江存储有意改变策略,越过大股东紫光集团的销售管道,采取自产自销3D NAND芯片的模式,也让双方暗自较劲的角力战俨然成形。
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紫光集团 长江存储 3D NAND
多日后,当李工在领导面前拍着桌子指责我的时候,我才知道,原来我俩在项目启动会上的交锋早已埋下了日后冲突的种子。
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数据存储 EEPROM Flash
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [
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