- 5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向
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3D NAND
- 联发科第二季展望保守,中国台湾的IC设计厂警戒,中国台湾IC设计厂指出,联发科是手机主芯片(AP)商,扮演景气风向球,业界对市况不好已有共识,「但是没想到这么不好」,加上联发科对手高通今年来在中国大陆市场降价清库存,联发科释出保守展望,恐将引导其余IC设计厂重新评估投片数量、库存策略。大陆手机产业到底有多血腥?IC设计业者表示,主要的手机品牌厂包括OPPO、ViVO、小米今年以来每个月下修订单,仅一家主攻非洲市场的「传音」逆势调高出货目标,今年到目前为止也不过五个月,等于大陆手机品牌厂已经五度下修出货,智
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联发科 IC设计 晶圆代工
- 集邦科技(TrendForce)表示,除了消费性终端整体消费力道弱,中国封控、企业IT支出及云端服务供货商需求放缓等不利因素,均冲击2022年第四季前十大IC设计业者总营收表现,季跌幅扩大至9.2%至339.6亿美元,其中高通、联发科、瑞昱季减幅度都超过两成。集邦预估,今年第一季前十大IC设计营收仍将续跌,但季跌幅会略为收敛。消费市场清冷及客户库存修正是影响第四季大部分IC设计业者营收下降的原因,总营收排行仍位居第一的高通,在智能型手机与物联网(IoT)两大产品业务营收各别季减22.6%及16.2%,导致
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集邦 IC设计
- 随着全球总体经济高通胀风险升高,以及2022下半年下游库存进入修正,IC设计业者对市况反转的反应也较晶圆代工业者更敏感与实时。TrendForce集邦咨询表示,除了消费性终端整体消费力道弱,还有疫情、企业IT支出及云端服务供应商需求放缓等不利因素,均冲击2022年第四季前十大IC设计业者总营收表现,环比跌幅扩大至9.2%,约339.6亿美元。TrendForce集邦咨询表示,由于整体供应链库存持续修正,加上传统消费性淡季影响,除部分因新品上市带动买气,及供应链库存回补以外,市场需求仍弱,故TrendFor
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IC设计 终端需求 TrendForce
- 市场传出硅智财(IP)架构大厂安谋(Arm)将打造自有芯片,展示技术实力,甚至未来可能威胁到高通(Qualcomm)或联发科(2454)等市占率。不过,IC设计业者认为,不论从PC/服务器、智能手机、车用等市场来看,既有厂商都已经卡位超过十年,难以取代现有地位,因此Arm就算自制芯片,出海口恐怕将相当狭窄。外媒报导指出,Arm已经成立芯片设计团队,并委托台积电、三星等晶圆代工厂试产芯片,并推测未来可能与高通、联发科等全球IC设计厂匹敌。不过对此业界则指出,Arm其实除了开发硅智财之外,本就需要与晶圆代工厂
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Arm 自制芯片 IC设计
- 在经济逆风、高通货膨胀冲等因素冲击下,消费电子需求持续萎靡,半导体产业整体迈入调整周期,IC设计环节也不例外。不过,近期IC设计行业迎来了利好消息。媒体报道称,IC设计订单需求出现回温,以急单、短单为主,部分厂商重启投片。部分厂商表示,虽然客户对于后续订单需求不明朗,但是由于部分库存已经消化完毕,也开始重新投片,但投片量不敢太多。与此同时,供应链人士透露,当前芯片价格跌幅变小,包括联发科、联咏和瑞昱半导体在内的IC设计厂商收入出现复苏迹象,上述公司库存调整或将结束。IC设计行业正在慢慢好转,不过业界仍旧谨
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IC设计 终端需求
- 近日,外媒《BusinessKorea》报道称,三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法,据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么?它将如何颠覆DRAM原有结构?壹摩尔定律放缓,DRAM工艺将重构1966年的秋天,跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器(DRAM),而在不久的将来,这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
- 据外媒《BusinessKorea》报道,三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况,业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然,而不是一种方向。与现有
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存储 3D DRAM
- 国内EDA行业领导者芯和半导体,由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现,近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中,获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计,这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示,” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
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芯和半导体荣 3D InCites Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖
- 国内EDA行业领导者芯和半导体,由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现,近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中,获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计,这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示,” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
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芯和半导体 3D InCites Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖
- 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装(用于移动应用程序、数据中心和人工智能)的性能,就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料,包括更薄的势垒层和热预算更高的材料,以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台,包括一个或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
- 近日,努比亚宣布,将在MWC 2023上,公布全球首款由AI引擎驱动3D平板:努比亚Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鲜技术, 这难免让人怀疑这款努比亚Pad 3D的最大卖点,是否会向其他同类产品一样,沦为“空中楼阁”。而今天,努比亚打消了用户的这一顾虑。今天,努比亚官方宣布, 努比亚Pad 3D将搭载全球最大的Leia 3D内容生态系统,包含大量运用裸眼3D技术的App,并获得了来自多个包括Unity、UNREL等游戏引擎,以及GAMELOFT等游戏开发商的内容支持。
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努比亚 MWC 3D 游戏引擎
- PC、笔电市场在2022年下半年开始需求锐减后,进入2023年需求依旧未有改善,为了抢救业绩成长动能,笔电IC设计供应链在今年开始加大Type-C、USB 4等高速传输接口布局动能。法人指出,当中谱瑞-KY(4966)、祥硕(5269)及威锋(6756)等IC设计厂在今年将可望扩大切入相关供应链,力拚增加订单动能。PC、笔电市场在2022年下半年开始迎来景气寒冬,且在历经半年的积极去化库存后,在今年第一季市场库存水位仍未有效改善,供应链甚至预期,PC、笔电市场的库存去化潮恐将一路延续到今年下半年,且今年整
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IC设计 USB 4 Type-C
- 双方将通过立体摄像头数据融合技术演示3D立体深度视觉, *AIoT 、AGV小车和工业设备依靠3D立体摄像头跟踪快速运动物体参考设计利用意法半导体的高性能近红外全局快门图像传感器,确保打造出最佳品质的深度感测和*点云图资讯2023年1月5日,中国----在 1 月 5 日至 8 日举行的拉斯维加斯CES 2023 消费电子展上,服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM),和专
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意法半导体 钰立 CES 2023 机器视觉 3D 立体视觉摄像头
- 本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识,并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途;以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加,从工业机器人、自动化系统,到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择;它们具有高重复性和可靠性,还可以与窗户、门和外壳搭配,进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此,使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器(MCU)介接,以
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3D位置感测 实时控制 3D 霍尔效应传感器
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