首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 0

0 文章 最新资讯

英飞凌迎接新太空应用的内存市场挑战

  • NewSpace 是指私营公司和初创公司将太空探索商业化,与传统太空计划相比,政府的监督通常较少。在对全球连接(直接到蜂窝)的需求不断增长的推动下,NewSpace 计划旨在将 LEO 卫星星座与物联网相结合。这些任务通常依赖于较小的卫星,从纳米卫星到 250 公斤卫星,并且任务持续时间更短,成本更低,能够部署大规模 LEO 星座。由于 LEO 的发射成本较低且辐射暴露较少,许多 NewSpace 应用可以从 COTS 组件中受益,这些组件无需传统的军事或航空航天认证即可提供强大的性能。Infineon
  • 关键字: 英飞凌  太空  内存  

TI的600亿美元晶圆厂支出计划

  • 德州仪器位于德克萨斯州谢尔曼(Sherman)(如图)和理查森(Richardson)的晶圆厂正在建设或计划建造四座晶圆厂,这些晶圆厂正在或计划扩建中。它们是SM1和SM2的Fabs(已经在进行中)和SM3和SM4,它们将在未指定的日期稍后建造。德州仪器位于犹他州 Lehi 的工厂将建造三座耗资 150 亿美元的晶圆厂。这七家晶圆厂中有五家之前已经宣布过。新增的两个是SM3和SM4。TI 首席执行官 Haviv Ilan 表示:“TI 正在大规模构建可靠、低成本的 300 毫米容量,以提供对几乎所有类型的
  • 关键字: TI  晶圆厂  

特斯拉采用台积电3nm工艺2026年量产HW5芯片

  • 据 Mydrivers 称,特斯拉援引 Not a Tesla App 称,据报道,特斯拉正准备与台积电作为其代工合作伙伴生产其下一代 FSD(全自动驾驶)芯片——内部称为 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所说,有传言称特斯拉计划使用台积电的 3nm (N3P) 工艺。正如报告所强调的那样,该芯片预计将提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能,与 HW4 相比,代际飞跃了 4 到 5 倍。据韩国媒体 Ma
  • 关键字: 特斯拉  台积电  3nm  HW5芯片  

LED追踪效率下降的来源

  • 伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校修改了发光二极管 (LED) 的 ABC 模型,以便能够提取内部量子效率 (IQE),从而评估了降低 LED 性能的各种影响 [P. Thirasuntrakul, Appl. Phys. Lett., v126, p211103, 2025]。ABC 模型是指一个理论假设,即 LED 中的载流子复合速率可以表示为载流子浓度 (n) 中的简单幂级数:An+Bn2+中文3.ABC 系数分别大致分别与Shockley-Read-Hall 重组,电子-空穴复合成光子,产生我
  • 关键字: 追踪效率  LED  

Mitsubishi开发用于制造的边缘语言模型

  • Mitsubishi Electric Corporation 开发了一种语言模型,该模型专为在边缘设备上运行的制造流程而设计。Maisart® 品牌的 AI 技术已使用来自三菱电机内部运营的数据进行了预训练,使其能够支持特定制造领域的广泛应用。此外,该语言模型利用独特开发的数据增强技术来生成针对用户特定应用程序优化的响应。随着生成式 AI 的加速采用,大型语言模型 (LLM) 的使用也在增加。然而,与 LLM 相关的大量计算和能源成本是一个日益令人担忧的问题。此外,由于数据隐私和机密信息管理要求,对可以
  • 关键字: Mitsubishi  制造  边缘语言模型  

采用3D芯片设计的更快、更节能的电子设备

  • 麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺,将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站:他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管,切出每个单独的晶体管,然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上,以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料,因此成本仍然很低,但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外,通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管,新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
  • 关键字: 3D芯片  电子设备  GaN  

第一次欧洲最佳交流和直流电动汽车充电器排名

  • 丹麦电动汽车充电器软件公司 Monta 制定了一项基准,对欧洲和英国电动汽车交流和直流充电器的实际性能进行排名。该基准测试基于数以万计的实时充电会话,对交流和直流型号的运行可靠性、能源输送和用户满意度进行排名。电动汽车充电器的领先供应商西门子尽管分拆和削减了业务,但仍在交流充电器列表中占据主导地位,而 Kempower 和 Alpitronic 在直流充电器列表中名列前茅。EV 充电点性能评分是使用实时平台数据和驾驶员反馈开发的,旨在为充电点运营商 (CPO) 和硬件制造商提供迄今为止最准确、透明和以用户
  • 关键字: 动汽车充电器  

数字信号控制器提供高PWM分辨率

  • Microchip Technology 的 dsPIC33A DSC 产品线中新增了 dsPIC33AK512MPS512 和 dsPIC33AK512MC510 数字信号控制器 (DSC) 系列。数字信号控制器支持实现计算密集型控制算法,通过基于机器学习的推理提高电机控制、AI 服务器电源、储能系统和复杂传感器信号处理的能效。dsPIC33AK512MPS 系列通过高分辨率 78ps PWM 和低延迟 40MSps ADC 提供精确的高速控制,从而实现快速准确的控制回路,这对于优化基于碳化硅 (SiC
  • 关键字: 数字信号控制器  PWM  Microchip  dsPIC33A  

AI 攻击从MEMS麦克风中拾取声音

  • 美国和日本的研究人员已经确定了笔记本电脑和智能助手(如 Google Home)中使用的 MEMS 麦克风存在安全风险。这些 MEMS 设备存在一个漏洞,即甚至可以隔着墙壁检测到电磁辐射,使用 AI 重建麦克风拾取的声音。佛罗里达大学和日本电气通信大学的研究人员还确定了解决设计缺陷的多种方法,并表示他们已经与制造商分享了他们的工作,以寻求未来的潜在修复方法,并建议将扩频时钟作为防御措施。研究人员测试了意法半导体的 MP34DT01-M、楼氏电子 SPM0405(现在是 Synaptics 的一部分)、TD
  • 关键字: AI  MEMS  麦克风  拾取声音  

无需干预的无人驾驶穿梭车在欧洲推出

  • 2025 年是自动驾驶汽车的分水岭。随着特斯拉准备在 6 月晚些时候推出无人驾驶出租车,Waymo 计划在伦敦与 Uber 合作提供服务,WeRide 在苏黎世运营一项服务,自动驾驶汽车的出现得到了显着推动。各国政府也在加快监管,允许无人驾驶汽车在公共道路上行驶。与美国不同,欧洲的关键是采用自动驾驶班车甚至公共汽车而不是无人驾驶出租车的公共交通。从巴黎到汉堡,从巴塞罗那到邓弗姆林,过去十年的许多项目都展示了电动班车,甚至是全尺寸公交车,而且随着监管机构的追赶,这种情况最近正在加速。这种方法允许穿
  • 关键字: 无人驾驶  

TP-Link遭美调查 联洲国际无预警大裁员

  • 网通巨头TP-Link遭美国调查,以确认是否触及国安红线,在此状况下,旗下以外销为主的联洲国际突然进行大裁员,Wi-Fi芯片部门几乎被裁光,仅留少部分员工维持运作,受到高度关注。综合外媒报导,TP-Link在美中关系恶化的状况下,遭质疑涉及不公平竞争与国安问题,甚至可能将信息回传至中国政府,遭到美国司法部与商务部调查。 尤其TP-Link产品价格低廉,一般消费者与中小企业是主要客群,得以迅速拓展市占率。TP-Link前景堪虑,旗下联洲国际也突然进行裁员,为了降低Wi-Fi芯片部门的成本,放弃前端模组(FE
  • 关键字: TP-Link  

特朗普T1手机被爆是中国制造 成本价曝光

  • 美国总统特朗普名下的川普集团(Trump Organization)进军电信市场,取名为「Trump Mobile」,预计推出一款售价499美元(的智慧型手机「T1」,主打美国制造,今年9月将上市,与iPhone 17同时间发布。 但美国科技专家及科技媒体纷纷吐槽,这款手机根本就是「中国制造」,是T-Mobile REVVL 7 Pro 5G重新包装的贴牌手机。科技分析师Max Weinbach在社交平台X发文指出,T1与大陆厂商闻泰科技(Wingtech)帮T-Mobile生产的手机极为雷同。 闻泰科技
  • 关键字: 特朗普  T1手机  中国制造  

三星4nm工艺UCIe芯片完成性能评估,传输带宽达24Gbpsv

  • 据韩媒etnews于6月18日报道,三星电子近期在高性能计算(HPC)和人工智能(AI)领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估,传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe(统一芯粒互联接口)是一种通用的芯粒互联标准,能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信,从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化,以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行,表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
  • 关键字: 三星  4nm  UCIe  传输带宽  24Gbps  

Intel 18A制程技术细节曝光:性能与密度全面提升

  • 据报道,在2025年英特尔代工大会及VLSI研讨会上,英特尔进一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技术细节。Intel 18A采用了RibbonFET环绕栅极晶体管(GAA)技术,相比FinFET技术实现了重大突破。这一技术不仅提升了栅极静电性能,还显著降低了寄生电容,提高了设计灵活性。同时,Intel 18A率先引入了PowerVia背面供电技术,该技术将单元密度和利用率提升了5%-10%,并显著降低了供电电阻,使ISO功率性能提升4%。与Intel 3工艺节点相比,Intel 18A的每瓦性能
  • 关键字: Intel 18A  制程技术  性能  密度  

台积电在美设厂计划带动亚利桑那州半导体产业崛起

  • 据SEMI消息,2025年SEMICON West展会将首次移师美国亚利桑那州凤凰城举办,时间为10月7日至9日。与此同时,SEMICON Taiwan 2025将于9月10日拉开帷幕,展会规模较2024年增长超20%。SEMI美国区总裁Joe Stockunas表示,亚利桑那州在全球半导体产业中的地位日益凸显。得益于当地政府和机构的大力支持,英特尔、台积电、Amkor等超过100家半导体企业已入驻该地区。随着全球半导体市场迈向万亿美元规模,亚利桑那州成为产业创新与成长的重要枢纽。SEMI还透露,2025
  • 关键字: 台积电  半导体产业  
共380122条 103/25342 |‹ « 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 » ›|

0介绍

您好,目前还没有人创建词条0!
欢迎您创建该词条,阐述对0的理解,并与今后在此搜索0的朋友们分享。    创建词条

热门主题

ADSP-TS101S    MSP430    TMS320LF2407A    802.11(WLAN)    AD9850    MOSFET-90N10    TMS320F240    MSP430F149    802.11g    TMS320LF2407    C8051F020    PC104    S3C44B0X    S3C4510B    SPCE061A    802.11i    CDMA2000    AMBE-1000    802.11n    90nm    90纳米    2006    802.11A/G    IEEE802.11n    300    2006年    2007    USB2.0    PXA255/PXA270    PXA270    AT91RM9200    802.20    802.3    IEEE802.11b    IEEE802.3    02.11n    802.11    0608_A    D-10    TMS320F2812    nRF905    DS18B20    0609_A    M0-3    80C51    30/40V    0610_A    PS-800E    200mm    802.11n草案1.0    CC2420    0611_A    20.9亿美元    S3C2410    1080p    8.20    06回顾    802.3af    200    2008年    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473