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碳化硅(sic) 文章 进入碳化硅(sic)技术社区

CHIPS 法案、电动汽车关税加剧了Wolfspeed的现金危机

  • 在特朗普政府缩减美国《芯片法案》并提升汽车关税后，Wolfspeed（欧胜）的新任首席执行官需要面临更为严峻的现金危机。作为车用碳化硅行业的领导厂商，Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力，可惜备受汽车经济低迷和关税前景的打击陷入持续亏损中，现在公司转向提供AI数据中心电源以促进增长，不过该公司正在寻求第11章法规的债权保护。“作为我们贷方谈判的一部分，我们可能会选择在法庭内或庭外寻求选择，”两周前接任首席执行官的罗伯特·费尔 （Robert Feurle） 说。据报道，资产管理公
  • 关键字： CHIPS  Wolfspeed  SiC  

SiC开始加速批量上车

  • 在新能源汽车技术的演进历程中，碳化硅（SiC）技术已成为推动行业发展的关键力量。作为第三代半导体的代表材料，SiC 凭借其卓越的性能优势，已深度融入新能源汽车的核心系统，开启了新能源汽车性能提升与技术创新的新篇章。从高端豪华车型到大众普及款，从纯电动到混合动力，SiC 技术的应用范围不断拓展，正以前所未有的速度实现批量上车，重塑新能源汽车的技术格局与市场竞争态势。碳化硅实现多价格区间车型覆盖SiC 技术已成为车企在新能源汽车赛道上差异化竞争的核心要素，如今已广泛覆盖 10 万至 150 万元价格区间的车型
  • 关键字： SiC  

SiC衬底市场 去年营收减9%

  • TrendForce最新研究，2024年汽车、工业需求走弱，SiC基板出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC基板产业营收年减9%，为10.4亿美元。进入2025年，即便SiC基板市场持续面临需求疲软、供给过剩的双重压力，然而，长期成长趋势依旧不变，随着成本逐渐下降、半导体元件技术不断提升，未来SiC应用将更为广泛，特别是在工业领域的多样化。 同时，市场竞争激烈的环境下，加速企业整合，重新塑造产业发展格局。TrendForce分析各供应商营收
  • 关键字： SiC  衬底  TrendForce  

内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用

  • 全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
  • 关键字： 罗姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模块  太阳能  

英飞凌重返SiC JFET，实现更智能、更快速的固态配电

  • Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率，而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路
  • 关键字： 英飞凌  SiC  JFET  固态配电  

利用 SMFA 系列非对称 TVS 二极管实现高效 SiC MOSFET 栅极保护

  • 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。 栅极驱动器设计措施关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导
  • 关键字： 碳化硅  MOSFET  电源  功率半导体  

新型SiC模块，可将安装面积减少一半

  • ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」，这使得安装面积显著减少。
  • 关键字： SiC  功率器件  ROHM  

格力家用空调搭载SiC芯片突破100万台

  • 4月22日下午，格力电器召开2025年第一次临时股东大会，相比过往历次股东大会都被安排在格力地产总部办公楼，本次股东大会首次被安排在格力电器珠海碳化硅芯片工厂举行。据悉，该工厂自2024年投产以来，其碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。SiC材料具有高耐压、高频率、高效率等优势，能够显著提升空调的能效。搭载SiC芯片后，空调的电能转换效率得到优化，制冷制热效果增强，实现能耗降低，同时可以提升产品性能、降低能耗，增强格力空调的市场竞争力。格力该工厂是全球第二座、亚洲首座全自动化6英寸碳化硅
  • 关键字： 格力  家用空调  SiC  

碳化硅何以英飞凌？—— 沟槽栅技术可靠性真相

  • 全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在 新型电气能源架构 中，相比于从前，一次能源到终端用户的 能源转换次数增多 。虽然可再生能源是免费的，但是这种多层级的能源转换，每一步都会带来一定的能耗损失，因此 追求更高效的能源转化效率至关重要 。SiC正是功率半导体的 能效提升技术 ，它的出现满足了低碳化时代两大全新的市场需求：1能效创新： SiC技术在光伏、储能、数据中心等大功率电源管理领域，能够显著
  • 关键字： 英飞凌  碳化硅  沟槽栅技  

清纯半导体和微碧半导体推出第3代SiC MOSFET产品

  • 近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm²，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
  • 关键字： 清纯半导体  微碧半导体  第3代  SiC MOSFET  

SiC为数据中心的冷却风扇提供高密度电源

  • 碳化硅 （SiC） 正在接管电动汽车中的三相牵引逆变器，将电池中的直流电转换为用于控制电机的交流电。但是，由于 SiC 能够处理更高的电压、更好的散热和更快的开关频率，因此也适用于更紧凑的电动机中的三相逆变器。其中包括数据中心的电子换向 （EC） 冷却风扇，这些风扇消耗了更多的电力来运行 AI 训练和推理，并在此过程中产生了更多的热量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模块 （IPM），与 IGBT 相比，为这些冷却风扇带来了更高的功率密度和效率。1,200 V 模块基
  • 关键字： SiC  数据中心  冷却风扇  高密度电源  安森美  

碳化硅急需开辟电动汽车之外的第二条战线

  • 电能与智能是现代社会发展的两大主题，电能如同工业文明的血液系统，提供物理世界运行的能量基础，智能恰似数字文明的神经网络，构建数字空间的决策中枢。作为电能转换的智能开关，功率半导体在构建现代社会能源体系中发挥着关键性的枢纽作用，通过对电压、电流和频率的精准调控，功率半导体可以有效地提升电能转换效率。经过七十年的发展，功率半导体经历了两次大的技术升级，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS为代表的第二代功率器件替代以可控硅晶闸管和MOSFET为代表的第一代功率器件，由于同属硅基材料体系，第二代功率器件兼具成
  • 关键字： 202504  碳化硅  电动汽车  

SiC MOSFET如何提高AI数据中心的电源转换能效

  • 如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
  • 关键字： SiC MOSFET  AI数据中心  电源转换能效  

是什么让SiC开始流行？

  • 碳化硅是一种众所周知的坚硬和复杂的材料。用于制造 SiC 功率半导体的晶圆生产利用制造工艺、规格和设备的密集工程来实现商业质量和成本效益。必要性与发明宽禁带半导体正在改变电力电子领域的游戏规则，使系统级效率超越硅器件的实际限制，并带来额外的技术特定优势。在碳化硅 （SiC） 的情况下，导热性、耐温能力和击穿电压与通道厚度的关系优于硅，从而简化了系统设计并确保了更高的可靠性。由于它们的简单性，SiC 的孕育使二极管领先于 MOSFET 进入市场。现在，随着技术进步收紧工艺控制、提高良率并
  • 关键字： SiC  

碳化硅能效革命核心突破点：共源共栅（cascode）结构详解

  • 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管（SiC JFET cascode）在硬开关与软开关应用场景中展现出显著技术优势。其官方发布的《SiC JFET共源共栅应用指南》系列文档，通过三篇技术解析深入剖析器件特性，本文作为开篇之作，将聚焦阐释cascode结构的核心机理。该指南不仅系统阐述共源共栅器件的拓扑架构，更对关键电参数、独特性能优势及设计支持体系进行全方位解读，为功率半导体开发者提供从基础理论到实践应用的完整技术指引。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其
  • 关键字： 安森美  碳化硅  共源共栅  cascode  
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碳化硅(sic)介绍

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