7月9日，深圳基本半导体股份有限公司子公司——基本封装测试（深圳）有限公司完成工商变更登记，公司注册资本从1000万元大幅增至2.1亿元人民币，由母公司基本半导体和深圳市投控基石新能源汽车产业私募股权投资基金合伙企业（有限合伙）共同注资。此举标志着基本半导体在车规级碳化硅领域的战略布局又迈出重要一步，为后续研发创新和产能扩充奠定坚实基础。战略资本加持 助力新能源汽车产业发展本次增资得到了深圳市投控基石新能源汽车产业基金的战略支持，是对基本半导体在新能源汽车功率器件领域技术积累和市场优势的充分认可。该基金是
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基本半导体 碳化硅 车规级
NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5
A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。
NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地关闭，NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。 本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。 本文档描述了孤立单体的拟
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onsemi NCP51752 隔离式 SiC MOSFET 闸极驱动器 评估板
在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成本，同时最大限度地降低风险并支持多源采购——设计人员不断面临这些经常相互矛盾的挑战。Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的
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Wolfspeed MOSFET 辅助电源系统
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性 （参考阅读： CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述 ， CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析 ） ，今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。G2在硬开关拓扑中的应用除了R DS(on) ，开关损耗在SiC MOSFET的选型中也扮演着非常重要的角色。因为SiC往往工
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英飞凌 MOSFET
近日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）宣布完成D轮融资，融资金额达1.5亿元人民币。本轮融资由中山火炬开发区科创产业母基金与中山金控联合投资，资金将主要用于碳化硅功率器件的技术研发、产能扩张以及市场拓展。基本半导体成立于2016年，是一家专注于碳化硅功率器件研发与制造的高新技术企业。其核心产品包括1200V/20A JBS碳化硅二极管、1200V平面栅碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二极管等。这些产品以低损耗、高频率等优势，广泛应用于电动汽车、轨道交通、光伏逆变器和航空航天等领
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基本半导体 碳化硅
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
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罗姆 SiC MOSFET 丰田 纯电车型
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联， 因为参数差异会影响均流特性。本文
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意法半导体 SiC MOSFET
据路透社援引彭博社报道，在关于即将破产的传闻出现近一个月后，Wolfspeed 现在正面临一次重大动荡。由 Apollo 全球管理公司领导的债权人正准备根据破产计划接管公司。报道称，这家陷入困境的碳化硅巨头预计将在几天内公布一项预包装破产计划——旨在迅速削减数十亿美元的债务。在锁定重组协议后，Wolfspeed 将要求债权人就计划进行投票，然后正式申请第 11 章保护，报道补充道。由意法半导体领导的对头将受益根据 TrendForce 的观察，由于破产程序的不确定性，Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半导体 功率器件
据当地媒体《一财全球》和IT之家报道，据报道，美国碳化硅 （SiC） 巨头 Wolfspeed 在与快速崛起的中国竞争对手的激烈竞争中徘徊在破产边缘，中国最大的碳化硅晶圆厂已在武汉正式投产，旨在供应该国国内产量的 30%。YiCai 报告称，一个 SiC 晶圆模型的车载测试最快将于下个月开始，而另外近 10 个模型已经在验证中。不久之后将进行大规模生产和交付。IT Home 表示，该工厂的一期重点是功率器件，计划年产 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圆。另一方面，益财国际补充说，这足以支持超过 1
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碳化硅 Wolfspeed
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体
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东芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
MOSFET因其独特的性能优势，已成为模拟电路与数字电路中不可或缺的元件，广泛应用于消费电子、工业设备、智能手机及便携式数码产品中。其核心优势体现在三个方面：驱动电路设计简化，所需驱动电流远低于BJT，可直接由CMOS或集电极开路TTL电路驱动；开关速度优异，无电荷存储效应，支持高速工作；热稳定性强，无二次击穿风险，高温环境下性能表现更稳定。这些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的场景中表现尤为突出。近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发
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MOSFET
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
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罗姆 ROHM SiC MOSFET 功率模块 太阳能
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。 栅极驱动器设计措施关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导
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碳化硅 MOSFET 电源 功率半导体
以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例，这是一款采用 PolarPAK® 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少？阻断电压 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大电压。当驱动感性负载时，这包括施加的电压加上任何感性感应电压。对于感性负载，MOSFET 两端的电压实际上可以是施加电压的两倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？这决定了 MOSFET 在雪崩条件下可以承受多少能量。如果超过最大漏源电压并且电流冲
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电源管理 MOSFET 功率MOSFET
全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在 新型电气能源架构 中，相比于从前，一次能源到终端用户的 能源转换次数增多 。虽然可再生能源是免费的，但是这种多层级的能源转换，每一步都会带来一定的能耗损失，因此 追求更高效的能源转化效率至关重要 。SiC正是功率半导体的 能效提升技术 ，它的出现满足了低碳化时代两大全新的市场需求：1能效创新： SiC技术在光伏、储能、数据中心等大功率电源管理领域，能够显著
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碳化硅 mosfet介绍
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