- 2013年9月4日下午3点半左右，位于江苏无锡新区的韩资企业海力士-意法半导体(中国)有限公司一车间突然发生火灾，冒起的滚滚浓烟蔓延周边数公里。
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意法 海力士 晶圆 DRAM
- 全球MEMS(微电子机械系统)、纳米技术和半导体市场晶圆键合及光刻设备的领先供应商EV集团(EVG)日前宣布，道康宁公司已加入该集团的“顶尖技术供应商”网络，为其室温晶圆键合及键合分离平台——LowTemp™平台的开发提供大力支持。
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MEMS 道康宁 晶圆 TB/DB
- 鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术，并各自祭出供应链联合作战策略，预计将于2014～2015年陆续投入量产，让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，并建立10纳米发展优势，台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术，并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略，期抗衡英特尔和三星
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FinFET 晶圆
- 自新世记之初开始采用300mm晶圆生产以来已有10余年之久，据市调公司IC Insights近日报告，若以200mm相当晶圆计算，2012年12月，世界300mm晶圆的生产能力占世界全体生产能力的56%，且近几年内还将继续保持扩张之势，预计到2017年12月将达70.4%，计共1941万片。
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晶圆 存储器 201309
- 2013年8月28日，中国武汉—国内领先的12英寸晶圆制造公司武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)宣布，将加入全球半导体联盟(GSA)——一家凝聚全球半导体产业的非盈利机构。同时，武汉新芯的执行长杨士宁博士也将成为GSA亚太领袖议会(Asia-Pacific Leadership Council)成员。
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武汉新芯 GSA 晶圆
- 晶圆代工超高资本时代来临
由数据显示，目前全球有8 寸晶圆厂的半导体公司约有76家，12寸厂有27家，升级的家数越来越少，会有这样的现象，原因在于资金垫高了产业的进入门槛。由早期投资一座月产能2 万片的八寸厂需花费8~10 亿美元，到了现在12 寸厂需25~30 亿，而下一代制程的18 寸厂目前初估，至少需投入80~100 亿美元，如此庞大的金额，放眼全球，能拿得出笔金额的半导体公司，只有英特尔、台积电、三星与格罗方德。降低成本，一直以来是半导体产业能够持续成长的原因之一，其中的二大关键，一、在
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台积电 晶圆
- 随着台积电、英特尔、三星等半导体大厂将在明年微缩制程进入20纳米以下世代，设备厂也展开新一波的抢单计划。
在应用材料于其SEMVision系列设备上引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜(DR SEM)技术后，另一设备大厂科磊(KLA Tencor)21日宣布，同步推出新一化光学及电子束晶圆缺陷检测系统。随着两大设备厂已抢进台积电及英特尔供应链，对于国内设备厂汉微科来说竞争压力大增。
虽然半导体市场下半年景气能见度不高，但是包括台积电、英特尔、三星、格罗方德(GlobalFoundries)、联电
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应材 晶圆
- 英特尔(Intel)的发言人透露，该公司第一座18寸(450mm)晶圆厂计划自2013年1月起「顺利展开」，该座代号为 D1X第二期( module 2)的晶圆厂已经低调动土。
据了解，英特尔打算将D1X 第二期作为量产18寸晶圆IC的研发晶圆厂;该公司在2012年12月就透露正准备扩充D1X厂区，以「容纳新的制造技术」，但该讯息仅低调地在美国奥勒冈州当地媒体曝光，并没有公布在公司官网。
英特尔D1X厂的第一期工程预期会是该公司第一条以12寸晶圆生产14奈米 FinFET 晶片的生产线;而
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半导体 晶圆
- 非GAAP每股盈余为18美分，处于财测中位水平; GAAP每股盈余为14美分
? 移动设备和大屏幕电视需求旺盛，带动半导体和显示设备销售增长
? 研发投入增加，推动精密材料工程领域的盈利性增长
2013年8月16日，加州圣克拉拉——全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业制造解决方案供应商应用材料公司公布了截止于2013年7月28日的2013财年第三季度财务报告。
本季度，应用材料公司的订单额为20亿美元，较第二季度减少12%，主要由于晶圆代工业务的订
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应用材料 晶圆
- 东京—东芝公司(Toshiba Corporation)和Nippon Denno Co., Ltd.日前宣布开发一种自动中止与关闭系统，可在发生地震时，关闭半导体生产设备。该系统已从2013年2月起在东芝旗下子公司—东芝岩手电子公司(Iwate Toshiba Electronics)投入使用。东芝打算进一步完善该系统，并将之推向市场。
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东芝 晶圆 半导体
- 晶圆龙头台积电13日董事会通过573.65亿元资本支出，连同上次核准金额，合计为2033.65亿元，约占台积电全年资本支出上限100亿美元的68%，显示台积电加速先进制程脚步。
台积电将今年资本支出上修至95至100亿美元(约新台币2990亿)，只少许落后英特尔的110亿美元，是台湾投资计画最大的电子大厂。
设备厂商透露，台积电加紧20纳米及16纳米先进制程量产及试产时程，添购所需设备，推估今年台积电全年资本支出，绝对会在上限100亿美元，而且明年也可能与今年相近。
设备商表示，台积
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台积电 晶圆
- 三维晶片(3DIC)商用量产设备与材料逐一到位。3DIC晶圆贴合与堆叠制程极为复杂且成本高昂，导致晶圆厂与封测业者迟迟难以导入量产。不过，近期半导体供应链业者已陆续发布新一代3DIC制程设备与材料解决方案，有助突破3DIC生产瓶颈，并减低晶圆薄化、贴合和堆叠的损坏率，让成本尽快达到市场甜蜜点。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙强调，3DIC材料占整体制程成本三成以上，足见其对终端晶片价格的影响性。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙表示，高昂成本向来是3DIC
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晶圆 3D
- 三维晶片(3D IC)商用量产设备与材料逐一到位。3D IC晶圆贴合与堆叠制程极为复杂且成本高昂，导致晶圆厂与封测业者迟迟难以导入量产。不过，近期半导体供应链业者已陆续发布新一代3D IC制程设备与材料解决方案，有助突破3D IC生产瓶颈，并减低晶圆薄化、贴合和堆叠的损坏率，让成本尽快达到市场甜蜜点。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙强调，3D IC材料占整体制程成本三成以上，足见其对终端晶片价格的影响性。
工研院材化所高宽频先进构装材料研究室研究员郑志龙表示，高昂成本向来
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晶圆 堆叠
- 高通在移动设备领域的处理器工艺普遍已经进入到28nm阶段，而且此前均由台积电代工生产;受制于台积电产能的影响以及价格因素，有消息称高通将会在9月份起将五分之一的28nm晶圆订单转交给28nm工艺同样已经成熟的GlobalFoundries。
GlobalFoundries收获高通28nm晶圆订单
此前GF长期因为工艺进展缓慢而备受批评，而如今GF的28nm生产线看上去已经完全成熟，因此势头良好的高通投来大笔订单。业内人士认为，GF之所以能够吸引高通的青睐，主要原因应该是价格更具优势，比如说
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- Intel近日确认，位于美国俄勒冈州的Fab 1DX二期工程已经破土动工，这也是全球第一座将会用来生产450毫米大尺寸晶圆的工厂(目前主流300毫米)。
Intel发言人Chuck Mulloy对媒体透露说：“D1X二期工程的建设已经开始。”
Intel今年初骄傲地展示了全球第一块450毫米晶圆，同时宣布将在今年内投资20亿美元兴建新工厂，不过当时给出的时间表只是模糊的今年晚些时候。看来虽然大环境情况一般，Intel前进的步伐却依然铿锵有力。
Chuck Mu
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Intel 晶圆
晶圆介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅 [
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