联华电子26日宣布通过中国台湾地区经济部国贸局『内部出口管控制度』认证(Internal Control Program，简称 ICP)，成為合格之ICP厂商，将可申请叁年效期ICP输出许可证，尔后列管货品均可直接凭证报关出口，无须逐笔向贸易局或其授权机关申请输出许可证。
联华电子廖木良副总表示︰「联华电子能通过ICP严格的认证，显示我们的出口管控制度，符合国际及政府出口管制规范。未来我们将得以简化繁复的高科技產品输出许可行政作业，使出货作业更加流畅、快速，并透过严谨的系统管理，将產品被误用或违
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联华电子 晶圆
最新预测显示，2013年全球晶圆设备(WFE)支出270亿美元，年减9.7%。晶圆设备支出2012年299亿美元，年减17.4%。预计晶圆设备市场2014年恢复成长。
2012年，全球经济的不景气，加之内存和逻辑芯片的投资呈反景气循环，致半导体设备市场景气疲软，资本投资也将在预测器件持平。
报告指出，晶圆制造厂产能利用率将在2012年底下探至80%以下，2013年底前缓慢回升至约85%。而先进制程的产能利用率则在2012年下半年下滑至85%左右，到2013年底前可望达91%至93%的水准。
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手机 平板 晶圆
全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14纳米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀藉此一新技术，提供IC设计业者效能更佳的制造方案，抢占通讯与消费性电子IC制造商机。
鳍式电晶体(FinFET)已成为晶圆制造业者角逐未来行动通讯市场的关键利器。为进一步提升晶片效能并缩小尺寸，各家晶圆代工业者皆已挟不同的制程技术积极研发FinFET架构，预计明后年即可开花结果，并开始挹注营收贡献。
在众家晶圆厂中，
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联电 晶圆 28纳米
最新预测显示，2013年全球晶圆设备(WFE)支出270亿美元，年减9.7%。晶圆设备支出2012年299亿美元，年减17.4%。预计晶圆设备市场2014年恢复成长。
2012年，全球经济的不景气，加之内存和逻辑芯片的投资呈反景气循环，致半导体设备市场景气疲软，资本投资也将在预测器件持平。
报告指出，晶圆制造厂产能利用率将在2012年底下探至80%以下，2013年底前缓慢回升至约85%。而先进制程的产能利用率则在2012年下半年下滑至85%左右，到2013年底前可望达91%至93%的水准。
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手机 晶圆 逻辑芯片
联华电子日前(18日)宣布，客户已采用联华电子55纳米小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)工艺，顺利 tape-out 晶圆专工业界第一个产品。在SDDI晶圆专工领域，联华电子不管是出货量或是技术，皆位居业界佼佼者地位，现推出可赋予尖端智能型手机Full-HD画质的55纳米工艺，亦为领先业界提供客户采用的第一家晶圆专工公司。
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联华电子 晶圆 SDDI Full-HD
三星电子表示，投资40亿美元扩建其在美国德克萨斯州奥斯汀的芯片工厂的行动将继续进行，此举将提高该工厂的应用芯片生产能力，并在2013年下半年完全投产。
改建的生产线将在28纳米工艺节点上生产最先进的300毫米晶圆移动应用处理器。将于2013年下半年完全投产，并有望缓解对于移动设备应用处理器的快速增长需求。
三星奥斯汀园区雇用了2500名工人，是其在韩国以外最大的芯片生产基地。三星称，该园区还包括一个有200位工程师的研究和设计中心，该中心也将扩建。
三星奥斯汀半导体公司总裁Woosu
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三星 应用芯片 晶圆
12月13日，意法半导体宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。在实现极其出色的图形、多媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时，而不牺牲电池的使用寿命的情况下，嵌入式处理器需具有市场上最高的性能及最低的功耗，意法半导体28纳米技术的投产可解决这一挑战，满足多媒体和便携应用市场的需求。
FD-SOI技术平台包括全功能且经过硅验证的设计平台和设
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ST 晶圆 FD-SOI
为加速发展450mm(18寸)晶圆世代到来，全球五大半导体业者IBM、英特尔(Intel)、三星电子(SamsungElectronics)、台积电和GlobalFoundries在2011年共同成立全球450mm联盟(Global450Consortium)，并于美国纽约州Albany设立450mm晶圆技术研发中心。
450mm联盟成立后，18寸晶圆世代的技术和机台设备有不少方针已开始确立，是半导体产业迈入18寸晶圆世代的重要里程碑，另一个重要进展是为了打破微影设备生产技术瓶颈，微影设备大厂A
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IBM 晶圆 450mm
Intel CTO Justin Rattner近日对外披露说，Intel 14nm工艺的研发正在按计划顺利进行，会在一到两年内投入量产。
2013年底，Intel将完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC两项新工艺的开发，并为其投产扩大对俄勒冈州Fab D1X、亚利桑那州Fab 42、爱尔兰Fab 24等晶圆厂的投资，因此量产要等到2014年了。
而从2015年开始，Intel又会陆续进入10nm、7nm、5nm等更新工艺节点。
Rattner指出，Intel
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Intel 晶圆 EUV
北京时间12月8日消息，据国外媒体报道，由于PC市场增速放缓，未来几个季度市场状况不明朗，AMD公司决定减少向芯片制造商GlobalFoundries(GF)采购的晶圆数量。
AMD本周四宣布，已修改该公司与GlobalFoundries的晶圆供应协议，将今年第四季度的晶圆采购额缩减至1.15亿美元，而2013财年计划的晶圆采购额为11.5亿美元。
AMD公司发言人德鲁·普莱瑞(Drew Prairie)表示，该公司原计划今年第四季度从GlobalFoundries采购价值5
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AMD 晶圆 平板电脑
· 新研发平面磁合金
· 兼容CMOS且经济高效的批量生产工艺
· 成就全球成本最低、密度最高的直流-直流转换器
HAMPTON, NJ 新泽西州汉普顿(HAMPTON, NJ)——2012年11月27日——集成式电源IC解决方案市场的领导者Enpirion宣布成功推出一种新型磁合金，该磁合金利用晶圆级集成电路极大地缩小了无源磁部件的体积并降低其同化作用。晶圆级磁集成(WLM)是对传
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Enpirion 薄膜磁芯 晶圆
联华电子日前(21日)宣布，推出新一代80奈米小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)工艺，此工艺特色在于具备了晶圆专工业界最富竞争力的SRAM储存单元。
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联华 晶圆 SDDI
台积电等晶圆厂商目前正在积极扩容，以便把先进的制造工艺推向商业化生产。这种宽容推动2012年下半年半导体制造设备的需求。同时，来自于内存厂商的半导体设备需求预计在2013年继续保持低迷状态。
在晶圆厂商对半导体设备需求刺激下，台湾的半导体设备销售2012年将同比增长8%，达到92.6亿美元，在2013年可以维持在90亿美元水平。
消息来源表示，2013年台积电、联电将把芯片工艺完全迁移到28nm和20nm工艺，将进一步带动台湾半导体设备需求。
消息人士指出，在新一代超极本和Windo
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台积电 晶圆 28nm
晶圆龙头台积电(2330)昨天董事会通过约936亿元资本预算扩充先进制程产能，与12寸超大晶圆厂厂房兴建案，是近期电子业难得的大手笔动作。
龙头大厂在先进制程的扩产脚步，不受下半年景气回档而停歇。外资高盛证券预期，台积电今年资本支出将达95亿美元，超乎公司预估的83亿美元。
在智能手机及平板计算机市场需求驱动下，台积电以高资本支出策略，企图甩掉三星、格罗方德等国际竞争大厂。今年初，台积电资本支出从60亿美元资本支出上调至80至85亿美元;上季法说，董事长张忠谋表示，年底为止的资本支出将落在
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台积电 晶圆 28纳米
晶圆大厂中美晶今天公告，该公司子公司环球晶圆今年4月1日透过在日本子公司GWafers以280亿日圆并购日商COVALENT MATERIAL公司之半导体晶圆事业体Covalent Silicon(简称CVS)，依股权买卖合约规定，此购并案最后定案价金应依交割日之净资产价值再做调整。中美晶已与卖方确定调整后之最后并购价金为234.64亿日圆，较4月1日的金额再减日币45亿3500万，减幅达16%，以更合理的成本取得并增加半导体事业群的投资报酬绩效，将使集团组织综效更大化。
中美晶今年4月1日正式
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中美晶 半导体 晶圆
晶圆介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅 [
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