8月12日消息，作为美国最大的芯片制造商，英特尔可能依然能够生存下去，但具体以何种形式则尚不明确。到了2024年，尽管英特尔的实力大幅减弱，但作为一个巨大的半导体制造商，它可能还是“大而不能倒”。本月英特尔发布的第二季度财报令人失望，使这家芯片巨头的困境和不确定的前景更加凸显。面对关键市场销售额的下滑与制造转型所需高昂成本的双重压力，英特尔不得不采取更为激进的成本控制措施来节省资金。这些措施包括裁减15%的员工、大幅削减用于建设和配备生产设施的资本支出，以及暂停自1992年以来一直发放的股息。英特尔的最新
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消费电子市场的复苏拉动晶圆代工厂业绩进一步回暖。8月8日晚，国内最大的集成电路代工企业中芯国际（688981.SH）公布了第二季度业绩。期内，销售收入
19.013亿美元（约136.35亿元人民币），环比增长8.6%，同比增长21.8%；净利润1.646亿美元（约
11.8亿元人民币），环比增长129.2%，同比减少59.1%。第二季度毛利率为13.9%，今年第一季度毛利率为13.7%。产能利用率也进一步爬升至85.2%，第一季度为80.8%，环比提升四个百分点。中芯国际管理层表示，二季度的销售收
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8 月 7 日消息，随着电子设备不断小型化和性能要求的提升，芯片中的晶体管数量持续增加，尺寸日益缩小，同时也带来了新的技术挑战，尤其是在介质材料方面。经过多年研究攻关，中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制出一种人造蓝宝石作为绝缘介质的晶圆，为开发低功耗芯片提供了重要的技术支撑。相关成果今日已发表在国际学术期刊《自然》上（DOI:10.1038/s41586-024-07786-2）。电子芯片中的介质材料主要起到绝缘的作用，但当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时，其绝缘性能会显著下降，导致电流泄漏。
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英特尔在2024年第二季度财报中呈现出全面亏损的态势，实现营收128.33亿美元（低于市场预期的129.4亿美元），同比下降1%；净利润为-16.54亿美元（远不及市场预期的-5.4亿美元），2023年同期净利润14.73亿美元，同比转亏；毛利率35.4%，远低于市场预期（42.1%），而上一季度的毛利率为41%，也低于2023年同期的35.8%。AI PC产品的增加、Intel 4和3芯片晶圆从俄勒冈州工厂过渡至爱尔兰工厂的成本，以及其他非核心业务的费用等因素是导致毛利率暴跌的主要原因，营收的微降和毛利
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8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
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6月21日消息，据日媒报道，在CoWoS订单满载、积极扩产之际，台积电也准备要切入产出量比现有先进封装技术高数倍的面板级扇出型封装技术。而在此之前，英特尔、三星等都已经在积极的布局面板级封装技术以及玻璃基板技术。报道称，为应对未来AI需求趋势，台积电正与设备和原料供应商合作，准备研发新的先进封装技术，计划是利用类似矩形面板的基板进行封装，取代目前所采用的传统圆形晶圆，从而能以在单片基板上放置更多芯片组。资料显示，扇出面板级封装（FOPLP）是基于重新布线层（RDL）工艺，将芯片重新分布在大面板上进行互连的
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自比利时微电子研究中心（imec）官网获悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技术与电路研讨会（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆叠底部和顶部源极/漏极触点的CMOS CFET器件。虽然这一成果的两个触点都是利用正面光刻技术获得，但imec也展示了将底部触点转移至晶圆背面的可能性——这样可将顶部元件的覆盖率从11%提升至79%。从imec的逻辑技术路线图看，其设想在A7节点器件架构中引入CFET技术。若与先进的布线技术相辅相成，CFET有望将标准单元高度从5T降低到4T甚至更低，而不
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IT之家 6 月 20 日消息，IT之家援引日经亚洲报道，台积电在研究一种新的先进芯片封装方法，使用矩形基板，而不是传统圆形晶圆，从而在每个晶圆上放置更多的芯片。消息人士透露，矩形基板目前正在试验中，尺寸为 510 mm 乘 515 mm，可用面积是圆形晶圆的三倍多，采用矩形意味着边缘剩余的未使用面积会更少。报道称，这项研究仍然处于早期阶段，在新形状基板上的尖端芯片封装中涂覆光刻胶是瓶颈之一，需要像台积电这样拥有深厚财力的芯片制造商来推动设备制造商改变设备设计。在芯片制造中，芯片封装技术曾被认为
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据外媒报道，三星计划在今年6月召开的2024年晶圆代工论坛上，正式公布其1nm制程工艺计划，并计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到2026年。据了解，三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工，并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺。根据三星之前的路线图，2nm SF2 工艺将于2025年亮相，与 3nm SF3 工艺相比，同等情况下能效可提高25%，性能可提高12%，同时芯片面积减少5%。报道中称，三星加速量产1nm工艺的信心，或许来自于“Gate-All-Around（
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5月23日，台积电晶圆18B厂资深厂长黄远国在2024技术论坛上表示，由于3纳米的产能扩充仍无法满足市场需求，台积电计划今年在全球范围内建设7座工厂。据悉，台积电3纳米先进制程于2023年开始量产，其良率和同时期的N4制程一样，且现阶段产能也继续扩产中，但这依然无法满足客户需求。市场需求强劲 ，台积电7座工厂在路上黄远国表示，因应高效能运算（HPC）及智能手机强劲需求，台积电今年持续积极扩产，将兴建7座工厂，预计今年3纳米制程产能较2023年相比将增加3倍。作为全球最大的晶圆代工厂商，台积电似乎从不吝啬在
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这几年，Intel以空前的力度推进先进制程工艺，希望以最快的速度反超台积电，重夺领先地位，现在又重申了这一路线，尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺，在未来巩固自己的领先地位。目前，Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，最多288个。In
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最新消息，台积电官网宣布，在亚利桑那州建设的第二座晶圆厂制程工艺将由最初计划的3nm升级为更先进的2nm，量产时间也由2026年推迟到了2028年。2022年12月6日，在台积电亚利桑那州第一座晶圆厂建设两年多之后宣布建设第二座晶圆厂。在今年一季度的财报分析师电话会议上，CEO魏哲家提到这一座晶圆厂已经封顶，最后的钢梁已经吊装到位。对于将第二座晶圆厂的制程工艺由最初计划的3nm提升到2nm，台积电CEO魏哲家在一季度的财报分析师电话会议上也作出了回应，他表示是为了支持AI相关的强劲需求。在OpenAI训练
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今年4月初，中国台湾地区发生近25年来的最大地震，引发了全球各行业的关注，特别是半导体行业，甚至有媒体发文称：全球半导体供应链抖音台湾地震而亮起红灯。为什么这么说呢？我们知道，全球最大的半导体代工厂台积电就位于台湾省，其向世界各大半导体公司供货，特别是苹果、英伟达和高通等头部公司，如果负责全球半导体代工产量近七成的台湾生产线出现问题，那么不排除全球半导体供应链崩溃的可能性。目前评估结果显示，此次强震对台积电核心代工生产设施和DRAM（一种半导体存储器）生产线未造成严重影响，让外界稍稍松了口气。但有分析认为
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根据Knometa Research的数据显示，2026年，中国大陆将超越韩国和中国台湾，成为IC晶圆产能的领先地区，而欧洲的份额将继续下降。中国大陆一直在领先优势的芯片制造能力上进行大量投资，并将从除美洲以外的所有其他地区获取市场份额。此外，KnometaResearch预计，2024年全球IC晶圆产能年增长率为4.5%，2025年和2026年增长率分别为8.2%和8.9%。截至2023年底，中国大陆在全球晶圆月产能中的份额为19.1%，落后韩国和中国台湾几个百分点。预计到2025年，中国大陆的产能份额
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4月10日，台积电公布的2024年3月营收报告显示，合并营业收入约为1952.11亿新台币（折合约61.05亿美元），环比增长7.5%，同比增长34.3%，同比增长率是时隔15个月再次超过30%，上一次还是2022年的11月份，那一个月他们营收2227.06亿新台币，同比增长50.2%。（2022年也是台积电营收高涨的一年，全年营收同比大增42.6%，最高的一个月同比增长65.3%，最低的一个月也有18.5%，有5个月的营收同比增长超过50%。）公布的数据显示，一季度营收约为新台币5926.44亿元（折合
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晶圆介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅 [
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