据外媒报道,三星计划在今年6月召开的2024年晶圆代工论坛上,正式公布其1nm制程工艺计划,并计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到2026年。据了解,三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工,并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺。根据三星之前的路线图,2nm SF2 工艺将于2025年亮相,与 3nm SF3 工艺相比,同等情况下能效可提高25%,性能可提高12%,同时芯片面积减少5%。报道中称,三星加速量产1nm工艺的信心,或许来自于“Gate-All-Around(
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三星 1nm 晶圆
5月23日,台积电晶圆18B厂资深厂长黄远国在2024技术论坛上表示,由于3纳米的产能扩充仍无法满足市场需求,台积电计划今年在全球范围内建设7座工厂。据悉,台积电3纳米先进制程于2023年开始量产,其良率和同时期的N4制程一样,且现阶段产能也继续扩产中,但这依然无法满足客户需求。市场需求强劲 ,台积电7座工厂在路上黄远国表示,因应高效能运算(HPC)及智能手机强劲需求,台积电今年持续积极扩产,将兴建7座工厂,预计今年3纳米制程产能较2023年相比将增加3倍。作为全球最大的晶圆代工厂商,台积电似乎从不吝啬在
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晶圆 全球半导体 市场
这几年,Intel以空前的力度推进先进制程工艺,希望以最快的速度反超台积电,重夺领先地位,现在又重申了这一路线,尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺,在未来巩固自己的领先地位。目前,Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标,Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。其中,Intel 3作为升级版,应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids,将在今年陆续发布,其中前者首次采用纯E核设计,最多288个。In
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英特尔 晶圆 芯片 先进制程 1.4nm
最新消息,台积电官网宣布,在亚利桑那州建设的第二座晶圆厂制程工艺将由最初计划的3nm升级为更先进的2nm,量产时间也由2026年推迟到了2028年。2022年12月6日,在台积电亚利桑那州第一座晶圆厂建设两年多之后宣布建设第二座晶圆厂。在今年一季度的财报分析师电话会议上,CEO魏哲家提到这一座晶圆厂已经封顶,最后的钢梁已经吊装到位。对于将第二座晶圆厂的制程工艺由最初计划的3nm提升到2nm,台积电CEO魏哲家在一季度的财报分析师电话会议上也作出了回应,他表示是为了支持AI相关的强劲需求。在OpenAI训练
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AI 台积电 晶圆 制程 2nm 3nm
今年4月初,中国台湾地区发生近25年来的最大地震,引发了全球各行业的关注,特别是半导体行业,甚至有媒体发文称:全球半导体供应链抖音台湾地震而亮起红灯。为什么这么说呢?我们知道,全球最大的半导体代工厂台积电就位于台湾省,其向世界各大半导体公司供货,特别是苹果、英伟达和高通等头部公司,如果负责全球半导体代工产量近七成的台湾生产线出现问题,那么不排除全球半导体供应链崩溃的可能性。目前评估结果显示,此次强震对台积电核心代工生产设施和DRAM(一种半导体存储器)生产线未造成严重影响,让外界稍稍松了口气。但有分析认为
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台积电 地震 美光 晶圆
根据Knometa Research的数据显示,2026年,中国大陆将超越韩国和中国台湾,成为IC晶圆产能的领先地区,而欧洲的份额将继续下降。中国大陆一直在领先优势的芯片制造能力上进行大量投资,并将从除美洲以外的所有其他地区获取市场份额。此外,KnometaResearch预计,2024年全球IC晶圆产能年增长率为4.5%,2025年和2026年增长率分别为8.2%和8.9%。截至2023年底,中国大陆在全球晶圆月产能中的份额为19.1%,落后韩国和中国台湾几个百分点。预计到2025年,中国大陆的产能份额
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IC 晶圆 半导体市场
4月10日,台积电公布的2024年3月营收报告显示,合并营业收入约为1952.11亿新台币(折合约61.05亿美元),环比增长7.5%,同比增长34.3%,同比增长率是时隔15个月再次超过30%,上一次还是2022年的11月份,那一个月他们营收2227.06亿新台币,同比增长50.2%。(2022年也是台积电营收高涨的一年,全年营收同比大增42.6%,最高的一个月同比增长65.3%,最低的一个月也有18.5%,有5个月的营收同比增长超过50%。)公布的数据显示,一季度营收约为新台币5926.44亿元(折合
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台积电 晶圆
继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后,晶合集成CIS再添新产品。近期,晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器(BSI)迎来批量量产,极大赋能智能手机的不同应用场景,实现由中低端向中高端应用跨越式迈进。晶合集成规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长,出货量占比将显著提升, 成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。近年来,5000万像素CIS已在智能手机配置上加速渗透。晶合集成与国内设计公司合作,基于自主研发的55纳米工艺平台,使用背照式工艺技术复合式金属栅栏,不仅提升了产品进光量,还兼具高
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晶圆 CIS
据多方媒体报道,近日,中国台湾地区花莲县发生多次地震,其中最大震级为7.3级。对于地震所造成影响,台积电对媒体表示,台积公司在台湾的晶圆厂工安系统正常,为确保人员安全,据公司内部程序启动相关预防措施,部分厂区在第一时间进行疏散,人员皆平安并在确认安全后回到工作岗位。虽然部分厂区的少数设备受损并影响部分产线生产,主要机台包含所有极紫外(EUV)光刻设备皆无受损。台积电还表示,在地震发生后10小时内,晶圆厂设备的复原率已超过70%,新建的晶圆厂(如晶圆十八厂)的复原率更已超过80%。目前正与客户保持密切沟通,
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近日,SEMI发布《300mm晶圆厂2027年展望报告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出,由于内存市场复苏以及对高效能运算和汽车应用的强劲需求,全球用于前端设施的300mm晶圆厂设备支出预估在2025年首次突破1000亿美元,到2027年将达到1370亿美元的历史新高。全球300mm晶圆厂设备投资预计将在2025年成长20%至1165亿美元,2026年将成长12%至1305亿美元,将在2027年创下历史新高。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manoch
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近日,英国半导体公司Pragmatic Semiconductor正式启用其位于达勒姆(Durham)的最新工厂。该公司表示,这是英国首个生产300毫米半导体芯片的工厂。Pragmatic Park预期将在未来五年内创造500个高技能工作岗位,并加强英国的科技生态系统。该公司还声称,相较传统硅芯片生产,该公司的生产过程更环保,耗能和水量更少,二氧化碳排放也显著降低。Pragmatic总部设于英国剑桥,首间工厂位于达勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技术广泛应用于智能封装,这种于采
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MCU 晶圆 英国
全球应用于前道工艺的 300mm 晶圆厂设备投资,预计将在 2025 年首次突破 1000 亿美元。
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晶圆
硅晶圆共位贴合如有图所示是一种用于半导体芯片精密对准和键合到基板上的先进技术,该技术利用短波红外 (SWIR) 光实现高精度定位和高效键合。目前常见的芯片贴合工艺芯片对芯片 (CoC):将芯片直接粘合到其他芯片上,可通过焊接、粘合剂或直接键合等方式实现;芯片对晶圆 (CoW):将芯片粘合到晶圆上,类似于CoC,但晶圆比芯片大得多。CoW常用于创建堆叠芯片,可提升性能或功能;晶圆对晶圆 (WoW):将晶圆直接粘合到其他晶圆上,是最复杂的工艺,用于创建三维集成电路 (3
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近日,ASM International NV(ASM)宣布提名Martin van den Brink为其监事会成员。Martin van den Brink的任命将于5月13日提交给年度股东大会。据介绍,1984年,Martin van den Brink以工程师身份加入当时新成立的ASML,并于1995年成为技术副总裁(CTO)。1999年,他被任命为ASML管理委员会成员,2013年,他被任命为首席技术官。在担任公司领导期间,他是推动ASML发展和技术创新的关键,这些创新帮助塑造了整个半导体行业。
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ASML 半导体设备 晶圆
近几日,英飞凌在碳化硅合作与汽车半导体方面合作动态频频,再度引起业界对碳化硅材料关注。1月23日,英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm碳化硅晶圆供应协议(原先的协议签定于2018年2月)。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定,同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。据英飞凌科技首席执行官 JochenHanebeck 消息,为了满足不断增长的碳化硅器件需求,英飞凌正在落实一项多供应商战略,从而在
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碳化硅 英飞凌 晶圆
晶圆介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解,再于融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅 [
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