- 10 月 6 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，IT之家此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动
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三星 NAND flash 涨价
- 由于8英寸晶圆代工需求不振，截至第二季，三星电子晶圆代工事业Samsung Foundry产能利用率不到50%。业界人士透露，目前Samsung Foundry已将3成机台停机，但随着库存进一步降低，有望年底前重启机台，明年再度运转。先前韩媒TheElec就曾报导，目前IT产业需求偏低，韩国晶圆代工厂也决定将8英寸晶圆服务砍价10%。截至第二季，三星电子晶圆代工事业Samsung Foundry、韩国晶圆代工业者Key Foundry产能利用率都介于40~50%之间。8英寸晶圆服务主要生产电源管理IC、面
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三星 8英寸厂
- 三星和AMD合作，与vRAN一起推进网络转型新的合作将为运营商解锁更广泛的选择，以利用三星的vRAN解决方案和生态系统构建高容量、高能效的网络三星电子今天宣布与AMD进行新的合作，以推进5G虚拟化RAN（vRAN）进行网络转型。这种合作代表了三星持续致力于丰富vRAN和Open RAN生态系统，以帮助运营商以无与伦比的灵活性和优化性能构建移动网络并使其现代化。 两家公司在三星实验室完成了几轮测试，以验证使用FDD频段和TDD大规模MIMO宽带的高容量和电信级性能，同时大幅降低功耗。在这次联合合作
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三星，AMD，vRAN
- 三星电子宣布已开发出其首款
7.5Gbps（千兆字节每秒）低功耗压缩附加内存模组（LPCAMM）形态规格，这有望改变个人计算机和笔记本电脑的 DRAM（动态随机存取存储器）
市场，甚至改变数据中心的DRAM市场。三星的突破性研发成果已在英特尔平台上完成了系统验证。三星LPCAMM内存模组结构示意图截至目前，个人计算机和笔记本电脑都在使用传统的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型双重内嵌式内存模组）。然而受结构限制，LPDDR需要被直接安装在设备的主板上，导致其在维修
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三星 LPCAMM 内存 内存模组
- 据《韩国经济日报》援引未具名行业消息来源报道称，三星电子面向主要智能手机制造商的DRAM和NAND闪存芯片价格上调了10-20％。主要智能手机制造商包括小米、OPPO和谷歌。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场的需求可能大于供应。消息人士指出，这家芯片制造商计划以更高的价格向生产Galaxy系列智能手机的三星移动业务部门供应存储芯片，以反映移动芯片价格上涨的趋势。此前，为应对需求持续减弱，三星宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主。据TrendForce集邦咨询调查，其他供应商
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三星 存储芯片
- 据韩媒报道，三星为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产新一代HBM产品，HBM4。从2013年第一代HBM到即将推出的第五代HBM3E，I/O接口数为每颗芯片1024个，拥有超过2000个以上I/O接口的HBM尚未问世。以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2
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三星 HBM4
- 芯片升级的两个永恒主题 —— 性能、体积/面积，而先进制程和先进封装的进步，均能够使得芯片向着高性能和轻薄化前进。芯片系统性能的提升可以完全依赖于芯片本身制程提升
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封装 半导体 台积电 三星 英特尔 芯片
- IT之家 9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高容量存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12 层也即将开始量产。报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺，而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding
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三星 海力士 内存
- IT之家 9 月 12 日消息，据韩国《电子日报》昨日报道，三星电子正在使用微软的 Azure OpenAI 服务创建一个 AI 聊天机器人，用于协助三星公司内部的工作。▲ 图源 韩国《电子日报》据悉，三星正在与微软合作进行一项“内部生成式 AI 开发”，而这一计划中涉及的 AI，能够处理翻译以及文档摘要等任务，并将使用由 OpenAI 开发的“GPT-4”和“GPT-3.5”LLM 来完成，目前项目正在概念验证（PoC）阶段。IT之家经过查询得知，早些时候，微软与 Open
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三星 生成式AI
- 半导体行业因「新冠疫情」而陷入前所未有的衰退，但复苏的迹象似乎开始出现。本文根据半导体市场统计数据和主要制造商的财务业绩报告，探讨半导体市场复苏的时机。此外，我们将讨论生成式人工智能，它很可能成为行业的新驱动力。世界半导体市场统计（WSTS）数据和半导体制造商的业绩显示，有迹象表明半导体市场正在从衰退走向复苏。然而，半导体市场的全面复苏很可能在 2024 年发生。经济衰退复苏后，推动全球半导体产业发展的将是 ChatGPT 等用于生成式 AI（人工智能）的半导体。因此，我们预测领先的半导体产品将从苹果的
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英特尔 英伟达 三星
- 要点：● 骁龙X75利用仅35MHz带宽的5G频段（FDD频段n71和n70）实现200Mbps上行峰值速度。● 此外，全球首个5G Advanced-ready调制解调器及射频系统利用75MHz带宽的5G频段（FDD频段n71、n70和n66），成功实现1.3Gbps下行峰值速度。高通技术公司联合三星电子宣布，双方成功实现全球首个在FDD频段运行两路上行载波和四路下行载波并发的5G载波聚合（CA）连接。这一成果彰显了双方合作带来的领先优势，为未来提升5G性
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高通 三星 FDD频段 5G载波聚合连接
- IT之家 9 月 4 日消息，与晶圆制造不同，半导体封装过程中需要大量的人力资源投入。这是因为前端工艺只需要移动晶圆，但封装需要移动多个组件，例如基板和包含产品的托盘。在此之前，封装加工设备基本上都需要大量劳动力，但三星电子已经通过晶圆传送设备（OHT）、上下搬运物品的升降机和传送带等设备实现了完全自动化。三星电子 TSP（测试与系统封装）总经理金熙烈（Kim Hee-yeol）在“2023 年新一代半导体封装设备与材料创新战略论坛”上宣布，该公司已成功建成了世界上第一座无人半导体封装工厂。据介
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三星 晶圆代工 自动化
- 2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。 三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案
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三星 12纳米 DDR5 DRAM
- 据媒体报道，三星作为全球最大的NAND闪存供应商，为了提高新一代NAND闪存的竞争力，将在2024年升级其NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。 三星平泽P1工厂未来大部分产线将从第6代V-NAND改为生产更先进的第8代V-NAND，同时正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽P3的NAND生产线，此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。三星的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年结束时，三星旗下设备解决方案部门的库存已增至
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三星 NAND 闪存
- 预计未来2-3年，MicroLED会继续努力突破技术瓶颈，逐渐打开高端市场之后再进一步向下渗透，而第二代显示技术LCD还会依靠其他技术的修补进一步占据下沉市场，第三代技术OLED在实现大尺寸屏幕的降本后将进一步普及大众消费市场。
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