三星和LG正在开发基于高通芯片的XR设备。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国最近表示，与三星电子、LG电子的合作正在进行中，但具体的细节还不能透露。 LG在多个领域都有专业能力，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很大的进展。三星和LG尚未明确表示他们会何时推出产品，但预计最早也要等到明年上半年。同时，司宏国也确认了他们计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，并且这款芯片比Meta Quest头显所采用的第二代芯片（XR2）更加先进，在图形处理能力、视频透视能力和AI性能方面都会优于第二代
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近期，三星电子旗下晶圆代工事业Samsung Foundry 透露，已开始跟大型芯片客户接洽，准备提供1.4nm及2nm制程的服务。据朝鲜日报报道，对于三星率先量产3nm（环绕式闸极，gate-all-around，GAA）制程、大客户方面却不如台积电的言论，Samsung
Foundry科技长Jeong Ki-tae近日在韩国国际会议暨展示中心（COEX）举行的2023年半导体博览会（Semiconductor
Expo 2023）表示，晶圆代工客户大约需要3年才能做出最终购买决定。三星正在跟大
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与上一季度47%的收入相比，SK海力士本季度收入下降了17%，最近智能手机和PC的市场需求一直处于低迷状态。SK海力士股份有限公司报告称，第三季度收入下降较为温和，并表示将增加资本支出，这表明全球半导体市场在经历了一年多的挑战后可能正在复苏。彭博社汇编的分析师预测显示，海力士收入下降了17%，下降至9.07万亿韩元，而预期为8.14万亿韩元。这比前三个月47%的下滑有所改善，而前一个季度则下降了58%以上。其运营亏损缩减至1.79万亿韩元，而预计亏损为1.7万亿韩元。其净亏损2.2万亿韩元，比预计亏损1.
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当前，折叠屏手机早已走过“尝鲜期”，日渐成为人们的日常主力机。在折叠屏领域不断创新的三星，也于近期带来了其第五代折叠屏Galaxy Z Fold5和Galaxy Z Flip5，以及Galaxy Tab S9系列平板。这次新品全系搭载第二代骁龙8移动平台（for Galaxy），凭借开创性AI体验、端游级游戏特性和专业级影像，带来令人印象深刻的非凡产品力。今天，Galaxy Z Fold5、Galaxy Z Flip5以及Galaxy Tab S9三款产品齐亮相，一起来感受一下旗舰系列的“超实力”吧。简约
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IT之家 10 月 24 日消息，三星于今年 10 月 5 日在美国加州圣何塞举办的 System LSI 技术日活动中，正式宣布了 Exynos 2400 处理器，表示 CPU 性能要比 Exynos 2200 快 70%，AI 处理能力快 14.7 倍。国外科技媒体 Android Headlines 近日分享了 Exynos 2400 处理器 NPU 芯片的更多细节。报告称三星大幅优化了 NPU 芯片对非线性运算的支持，通过架构调整等优化手段，Exynos 2400 在
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IT之家 10 月 19 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星电子内部组建了新的碳化硅（SiC）功率半导体团队，已经任命安森美半导体前董事洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，负责监管相关业务。洪锡俊是功率半导体领域的专家，在英飞凌、仙童和安森美等全球大型公司拥有约 25 年的经验，加入三星后，他负责领导这项工作。洪锡俊负责组建和带领这支 SiC 商业化团队，同时积极与韩国功率半导体产业生态系统和学术机构合作进行市场和商业可行性研究。值得注意的是，三星在正式进军 GaN（氮化镓）业
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三星 SiC
IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND（即三星称之为的 3D NAND）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。“第九代 V-NAND 基于双层结构，层数达到业界最高水平，明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中写道。IT之家注意到，8 月份就有消息称，三
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近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
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三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。据外媒，三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。报道中称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。此前消息称，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其他许可。据了解，目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。
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据悉，三星申请了Hexa²Pixel商标。众所周知，三星Galaxy S22 Ultra主摄为1.08亿像素，它支持像素9合1，可以输出1200万像素样张（108÷9＝12）。这次三星申请Hexa²Pixel商标，意味着三星正在开发36合1的图像传感器（Hexa=6，Hexa的平方=36），根据1.08亿像素9合1输出1200万像素样张进行反向推算，36合1意味着主摄分辨率超过了4亿像素。据了解，三星正在开发两款4亿像素传感器，这两款传感器都拥有4.32亿像素，这将是业界首款4亿像素图像传感器。其中一款型
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10月16日，根据韩媒ETNEWS的报道，三星电子近期聘请安森美半导体前董事洪锡俊(Stephen Hong)担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其内部组织了SiC功率半导体业务V-TF部门。Stephen Hong是功率半导体专家，在加入三星电子之前，曾在英飞凌、仙童、安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作约25年。目前，Stephen Hong正在寻找SiC商业化的团队成员，同时通过与韩国功率半导体产业生态圈和学术界互动，进行市场和商业可行性研究。早先三星宣布正式进军GaN业务的时候也曾提
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金秋十月，科技圈也进入了一年中最关键的阶段，大家的目光开始集中到了年底前即将亮相的一众代表性年度旗舰上，而作为安卓机皇的三星新一代旗舰Galaxy S24系列自然也是大家关注的焦点，尤其该机将重新回归双处理器版本的组合。现在有最新消息，近日有数码博主发现疑似超大杯的三星Galaxy S24 Ultra已现身Geekbench 6跑分平台。据数码博主最新发布的信息显示，近日一款型号为SM-S928B的机型现身跑分平台GeekBench，结合此前相关爆料，该机基本可以确定就是已经有很多曝光的三星Galaxy
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10 月 15 日消息，作为当前第二大晶圆代工商的三星电子，明年的产能利用率可能并不乐观，TrendForce 集邦咨询预计他们 8 英寸晶圆厂的产能利用率，在明年将只有 50% 左右。TrendForce 表示，受需求下滑影响，三星电子 8 英寸晶圆厂，自今年下半年开始就已有产能利用率下滑的迹象。外媒在报道中披露，三星电子目前在京畿道器兴运营有一座 8 英寸的晶圆厂，月产能 20 万片晶圆，主要生产驱动集成电路、图像传感器、智能手机电源管理芯片等。在报道中外媒也提到，由于客户削减订单，三星电子
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IT之家 10 月 13 日消息，据华尔街见闻报道，供应链上下游龙头公司透露称，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。报道称，相较此前低位，国内有存储器下游龙头闪存采购成本已上涨近 20%，内存采购成本上涨约 30%。随之而来的影响，即从今年四季度开始，存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端，笔记本电脑、手机等终端产品可能面临涨价局面。同样在今天上午，@数码闲聊站 也发文称“上游搞了个骚操作”，并直言内存和存储“白菜价的时代要过去
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作为当前全球最先进的制程工艺，台积电和三星的3nm制程工艺均已在去年量产，其中三星电子是在6月30日开始量产，台积电则是在12月29日开始商业化生产。从外媒最新的报道来看，这两大厂商3nm制程工艺的良品率，目前均还在60%以下，在将良品率提升到60%以上都遇到了挑战。此前预计三星的良品率在今年将超过60%，台积电的良品率在8月份时就已在70%-80%，高于三星电子。虽然三星电子3nm制程工艺为一家客户代工的芯片，良品率达到了60%，但由于并不包括逻辑芯片的SRAM，不被认为是完整的3nm制程工艺产品。3n
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