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据海外媒体报道，DRAM 发展快到尽头，磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM 和三星电子最近宣称，“自旋传输磁性存储器(STT-MRAM)”的研究出现突破，......
在IBM Research大会发布的创新成果当中，我们赫然发现传说中已经拥有二十年开发历史的非易失"通用型"磁性随机访问存储器(简称MRAM)正在进行升级。IBM方面日前(7月7日)表示，通过与代......
Rambus公司宣布已签署一份最终协议，以9000万美元现金收购Inphi公司的记忆体互联业务。此次收购包括Inphi记忆体互联业务的所有资产， 包括：产品库存、客户合约、供应链协议和智慧财产权。并购后的业务将进一步......
由于记忆体原厂端供货吃紧，一线PC-OEM客户于六月提前与DRAM厂洽谈第三季合约价格，集邦科技旗下DRAMeXchange预估第三季DRAM合约价上涨趋势确立，涨幅约4～8%。 DRAMeXchange 研究......
外媒传武汉新芯将与紫光集团携手合作，不只获得飞索半导体(Spansion)在3D NAND Flash的技术授权，更有望获得美光(Micron)的支持。中国存储器芯片有望复制面板产业的成功，在技术更新交替的阶段，弯道......
韩媒NEWSIS报导，韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术，在这之前业界采用的是水平结构，3D垂直堆叠技术成为克......
DRAM产业因长期需求不振，合约价格已历经连续19个月的跌幅趋势。今年五月底DDR4合约均价为1.31美元，而DDR3仅1.25美元，各厂都面临庞大的成本压力。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeX......
据韩国时报报导，三星电子于15日宣称“2017年底前斥资25兆韩元扩充3D NAND型快闪存储器产能”的投资内容尚未敲定，但有分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。 barron`s.c......
28日武汉新芯科技主导的12英寸晶圆厂正式动工，建成后将成为中国最大、最先进的存储芯片基地，而且直接切入3D NAND闪存领域，起点不低。再之前中国紫光集团宣布斥资300亿美元打造全球前三的半导体公司，一时间中国半导......
针对VGA(视频图形阵列)接口显示器的检测需求，设计了一种基于Altera FPGA的VGA显示系统。详细介绍了VGA显示的原理，采用硬件描述语言Verilog完成了VGA显示所需的驱动时序和图像存储相关模块的设计，并对......
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陈启武 白天蕊 2016-03-09
