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2016年Flash原厂加速向3D NAND切换，除了研发成本增加，切换过程中也很容易出现产能损失，同时还需要更新旧设备，增加新设备，以及扩大生产空间，从而导致Flash原厂NAND Flash产出减少，以及投资成本增加......
闪存、内存市场这一年来遇到了好时机，来自中国厂商的需求使得存储芯片市场从降价变成了缺货涨价，直到今年Q1季度都会持续上涨。闪存涨价也让三星、SK Hynix、美光等公司过了好日子，三星去年Q3季度在Note 7上的损......
随着华亚科在2016年正式被美光收购，也标志着台湾地区自主存储器产业没落，虽然还有相关产业存在，但已不是台湾地区公司和资本主导。......
全球顶级研究人员汇聚三藩市，参加IEEE国际电子元件会议(IEDM)。斯坦福大学团队在会议上发表的一篇论文，正是这种洞察细节精神的体现。 由IBM电子工程师出身的黄汉森教授(H.S.PhilipWong)指导该......
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，由于DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象，因此延续2016下半年的价格涨势，2017年第一季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局，DDR3 4GB模组的合约......
在2015、2016连续两年下跌后，DRAM和NAND Flash存储器平均销售价格(ASP)正稳健走扬，研究机构IC Insights认为，此将有助推升2017年存储器市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高......
众所周知，美光在韩国双雄三星和SK海力士的攻击下，DRAM和Flash业务发展都不如预期，于是从早几年开始，这个美国存储的仅存硕果之一就和Intel一起开发3D Xpoint技术。这种新型的存储技术将会在未来给Int......
引起全球集成电路产业重大关注的国家存储器基地项目，2016年12月30日正式开工。立志打造中国集成电路产业航母的紫光集团入股长江存储，执掌项目建设，亦引人注目。 2016年12月30日，紫光集团董事长兼长江存储......
倾大陆国家之力的中国长江存储存储器基地正式于2016年12月30日开工，而此项目前身为武汉新芯存储器基地，在历经中国紫光与武汉新芯合体后，重新找地建新厂，强调要打造全球单座洁净室面积最大的3DNANDFlash新厂。......
中国紫光集团宣布，投入快闪记忆体战场，在武汉兴建全球规模最大厂房，总投资金额超过240亿美元，引发产业界震撼。 紫光集团董事长赵伟国：“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂，已经正式动工，昨天我刚......
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