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ROHM(罗姆)举办“2015 ROHM科技展” 将于全国5个城市巡回展出

  •   全球知名半导体制造商ROHM于今年夏季将分别在成都(06/12)、长沙(06/26)、苏州(07/10)、青岛(07/ 24)、哈尔滨(08/07)等5个城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活动。在展示ROHM最新产品和技术的同时,还包括了由半导体业界专家和ROHM工程师带来的主题演讲,获得了众多工程师的盛情参与。   “2015 ROHM科技展”以“罗姆对智能生活的贡献”为主题,从应用层面出发,介绍功率电子、传感器网络
  • 关键字: ROHM  SiC  

SiC功率器件的技术市场走势

  •   摘要:探讨了SiC的技术特点及其市场与应用。   近期,全球知名半导体制造商ROHM在清华大学内举办了以“SiC功率元器件技术动向和ROHM的SiC功率元器件产品”为主题的交流学习会。此次交流学习会上,ROHM在对比各种功率器件的基础上,对SiC元器件的市场采用情况和发展趋势做了分析,并对ROHM的SiC产品阵容、开发以及市场情况做了详尽的介绍。   各种功率器件的比较   功率元器件主要用于转换电源,包括四大类:逆变器、转换器(整流器)、直流斩波器DC/DC转换器、矩阵
  • 关键字: SiC  功率器件  ROHM  IGBT  201503  

LED衬底第三代半导体SiC技术的崛起

  •   第一代半导体材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。        目前全球40%能量作为电能被消耗,而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件已日趋其发展的材料极限,难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型
  • 关键字: LED  SiC  MOSFET  

ROHM:国际半导体巨头的“小”追求和“低”要求

  •   近年来,随着柔性屏幕、触控技术和全息技术在消费电子领域的应用日益广泛,智能手机、平板电脑等智能终端功能越来越多样化。加上可穿戴设备的兴起、汽车电子的发展、通信设备的微型化,设备内部印制电路板所需搭载的半导体器件数大幅提升,而在性能不断提升的同时,质量和厚度却要求轻便、超薄。有限的物理空间加上大量的器件需求,对电子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求,各个领域元器件小型化的需求日益高涨。小型化不仅是过去几年的发展方向,也是将来的趋势。   谈到元器件的小型化,我们就不得不提为此作
  • 关键字: ROHM  半导体  SiC  

SiC功率半导体将在2016年形成市场 成为新一轮趋势

  •   矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。   全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处:矢野经济研究所)   2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%,为143.13亿美元。虽然2012年为负增长,但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。   预计2014年仍将继续增长,2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究所预测,2020年全球功率半导体市场规
  • 关键字: SiC  功率半导体  

SiC对医疗设备电源为最佳选择,三菱电机展示高频功率模块

  •   三菱电机开发出了支持50kHz左右高频开关动作的工业设备用混合SiC功率半导体模块,并在7月23~25日举办的“日本尖端技术展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。该模块组合了高频用Si-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC-SBD(肖特基势垒二极管),从2014年5月开始样品供货。   据介绍,新产品可用于光伏发电用逆变器等多种工业设备,尤其适合经常采用高开关频率的医疗设备用电源。新产品有6种,耐压均为1200V,额定电流为100A~600A不等。通过采
  • 关键字: SiC  医疗设备  

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

  •   东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。  SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调查)。  SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行,即便是在高电压
  • 关键字: 东芝  SBD  SiC  

美国阿肯色大学设计工作温度超过350°C的SiC基集成电路

  •   美国阿肯色大学研究人员已经设计出可在温度高于350°C (大约660°F)时工作的集成电路。该研究由美国国家科学基金(NSF)提供资助,研究成果可以提高用于电力电子设备、汽车和航空航天设备领域的处理器、驱动器、控制器和其他模拟与数字电路的功能,因为所有这些应用场合的电子设备都必须在高温甚至经常在极限温度下运行。   阿肯色大学电子工程学院特聘教授Alan Mantooth说,“坚固性允许这些电路被放置在标准硅基电路部件无法工作的地方。我们设计了性能优越的信号处理电路模
  • 关键字: SiC  集成电路  

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

  •   东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。  SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调查)。  SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行,即便是在高电压
  • 关键字: 东芝  SBD  SiC  

美国阿肯色大学设计工作温度超过350°C的SiC基集成电路

  • 美国设计出可在温度高于350°C 时工作的集成电路,该产品可以用于高温甚至极温下运行的航空航天设备......
  • 关键字: SiC  集成电路  

东芝电子携多款功率器件产品参加PCIM 2014

  •   日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕,东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。  展示产品简介:  1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)  东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE:Inject
  • 关键字: 东芝  IEGT  SiC  

美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列 继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位

  •   致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。  美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件,据市场研究机构Yole Développement预计,从201
  • 关键字: 美高森美  MOSFET  SiC  

耐高温半导体解决方案日益受到市场欢迎

  •   日前,CISSOID 公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售 CISSOID 产品的经销协议,后者将会帮助CISSOID公司的高温半导体产品在中国市场大范围推广。  诺卫卡公司将其在碳化硅方面的专业技术与 CISSOID 的技术及其产品组合完美结合在一起,形成独一无二的竞争力。例如:SiC 电源开关专用的隔离式栅极驱动器HADES 技术;高温 SiC MOSFET;及 SiC 传感元件的高温信号调节器。  CISSOID公司营销拓展副总裁Jean-Christophe Doucet先生表示,为保
  • 关键字: CISSOID  诺卫卡  SiC  

电容器

  •   2014年慕尼黑上海电子展产品亮点  TDK公司为变频器提供一款采用了爱普科斯(EPCOS) CeraLink™技术的全新直流链路电容器。CeraLink™技术是以PLZT陶瓷材料为基础(铅镧锆钛酸),使用的容值范围为1 微法 至100 微法,额定直流电压为400 伏。另一款电容器的额定直流电压为800伏,容值为5 微法。  CeraLink™新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势-特别与传统电容器技术相比:由于该款新电容
  • 关键字: TDK  电容器  CeraLink  SiC  

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

  •   与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。   SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一,因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后,采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
  • 关键字: SiC  GaN  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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