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东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

  •   东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。  SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调查)。  SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行,即便是在高电压
  • 关键字: 东芝  SBD  SiC  

美国阿肯色大学设计工作温度超过350°C的SiC基集成电路

  • 美国设计出可在温度高于350°C 时工作的集成电路,该产品可以用于高温甚至极温下运行的航空航天设备......
  • 关键字: SiC  集成电路  

东芝电子携多款功率器件产品参加PCIM 2014

  •   日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕,东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。  展示产品简介:  1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)  东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE:Inject
  • 关键字: 东芝  IEGT  SiC  

美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列 继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位

  •   致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。  美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件,据市场研究机构Yole Développement预计,从201
  • 关键字: 美高森美  MOSFET  SiC  

耐高温半导体解决方案日益受到市场欢迎

  •   日前,CISSOID 公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售 CISSOID 产品的经销协议,后者将会帮助CISSOID公司的高温半导体产品在中国市场大范围推广。  诺卫卡公司将其在碳化硅方面的专业技术与 CISSOID 的技术及其产品组合完美结合在一起,形成独一无二的竞争力。例如:SiC 电源开关专用的隔离式栅极驱动器HADES 技术;高温 SiC MOSFET;及 SiC 传感元件的高温信号调节器。  CISSOID公司营销拓展副总裁Jean-Christophe Doucet先生表示,为保
  • 关键字: CISSOID  诺卫卡  SiC  

电容器

  •   2014年慕尼黑上海电子展产品亮点  TDK公司为变频器提供一款采用了爱普科斯(EPCOS) CeraLink™技术的全新直流链路电容器。CeraLink™技术是以PLZT陶瓷材料为基础(铅镧锆钛酸),使用的容值范围为1 微法 至100 微法,额定直流电压为400 伏。另一款电容器的额定直流电压为800伏,容值为5 微法。  CeraLink™新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势-特别与传统电容器技术相比:由于该款新电容
  • 关键字: TDK  电容器  CeraLink  SiC  

新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

  •   与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。   SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一,因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后,采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
  • 关键字: SiC  GaN  

在光伏逆变器中运用SiC BJT实现更低的系统成本

  • 最近,碳化硅(SiC)的使用为BJT赋予了新的生命,生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的...
  • 关键字: 光伏逆变器  SiC  BJT  

通过基片薄型化降低导通电阻渐成趋势

  •   通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于,越是低耐压产品,基片上层积的漂移层就越薄,因此在SiC二极管的导通电阻中,基片的电阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm为主流,超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度,许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。   比如,罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm,并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
  • 关键字: 三菱电机  SiC  

SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻

  •   通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于,越是低耐压产品,基片上层积的漂移层就越薄,因此在SiC二极管的导通电阻中,基片的电阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm为主流,超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度,许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。   比如,罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm,并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
  • 关键字: SiC  二极管  

新日本无线新推出粗铜线丝焊类型的音频SiC-SBD

  • 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗铜线有利于降低损耗提高效率,SiC-SBD专长于高速开关动作,再加上注重最佳音质的制造工艺技术,能够实现高音质音响效果。
  • 关键字: 新日本无线  SiC-SBD  MUSES  

美高森美全新650V碳化硅肖特基解决方案提升大功率系统性能

  • 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列,推出全新的650V解决方案产品系列,新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
  • 关键字: 美高森美  SiC  

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞(二)

  • GaN和SiC将区分使用  2015年,市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且,届时GaN类功率元件 ...
  • 关键字: 功率  半导体  SiC  GaN  

山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务

  •   在SiC及GaN等新一代功率半导体领域,以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块,零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日~10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫崎县PhoenixSeagaiaResort)上,最近开始扩大SiC晶圆业务的亚洲企业纷纷出展。   山东天岳先进材料科技有限公司(SICC)展出了将从2014年4月开始对外销售的直径2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圆。该公司当前的目标
  • 关键字: SiC  晶圆  

PV逆变器应用升温,推动SiC功率元件发展

  • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太阳能(PV)逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性,不仅可较传...
  • 关键字: PV  逆变器  SiC  功率元件  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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