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UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列。
  • 关键字： UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  场效应管  

Power Integrations推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV，为巴士、卡车以及建筑和农用电动汽车提供强大动力

  • 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块，其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车）以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证，可实现AS
  • 关键字： Power Integrations  IGBT  SiC  模块驱动器  SCALE EV  PI  

英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效

  • 英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大，从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行
  • 关键字： SiC  太阳能  MOSFET  

克服疫情，大湾区首台全自动化SiC动态测试系统在北理汽车研究院交付

  • _____日前，泰克携手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大学深圳汽车研究院交付了一台全自动化SiC功率模块动态测试系统，此为今年度向客户交付的第五台SiC功率模块动态测试系统，亦是大湾区的首台全自动化SiC功率模块动态测试系统。此系统集成了来自泰克的专门针对第三代半导体测试的硬件设备，从而解决了“测不准”、“测不全”、“不可靠”这三个难题的挑战。忱芯作为泰克科技的解决方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半导体及应用研讨会”上结成了全范围的战略合作联盟，进行深度整合资源，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的
  • 关键字： Tektroni  SiC  动态测试系统  

ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制

  • 半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说，GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低，因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题，RO
  • 关键字： SiC  GaN  ROHM   

罗姆SiC评估板测评：快充测试

  • 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板，空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1）空载测试驱动空载输出12V，gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2）加载  24转55V  2A dcdc驱动信号波形如下：带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度，3uS左右总结由于轻负载，温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品，以后有对应设备
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

罗姆SiC评估板测评：射频热凝控制仪测试

  • 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

罗姆SiC评估板测评：基于碲化镉弱光发电玻璃的高效功率变换技术研究

  • 感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实，评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm；高压区域也有明显的标识。
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

SiC MOSFET的桥式结构解析

  • 本文将对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍。
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  

碳化硅MOSFET晶体管的特征

  • 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
  • 关键字： SiC  碳化硅  MOSFET  

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

  • 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
  • 关键字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

  • 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
  • 关键字： SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基势垒二极管的特征，及与Si二极管的比较

  • 继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
  • 关键字： 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二极管  

SiC功率元器件的开发背景和优点

  • SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
  • 关键字： SiC  碳化硅  

什么是碳化硅？SiC的特性和特征

  • 碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
  • 关键字： SiC  碳化硅  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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