图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须竭力满足许多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他们通常需要进行权衡取舍，一个好例子是既要求达到服务器电源的“钛”标准等能效目标，又要用功率因素校正（PFC）将线路谐波发射保持在低水平，以帮助电网可靠高效地运行。在大部分情况下，会通过升压转换器部分实施PFC，升压转换器会将整流后
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SiC FET PFC
近些年，随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增，因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下，SiC的争夺战正一触即发。碳化硅材料之殇SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底贵，目前，衬底成本大约是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圆生产环节20%，封装测试环节5%。SiC衬底不止贵，生产工艺还复杂，与硅相比，碳化硅很难处理、研磨和锯切，挑战非常大。所以大多数企业都是从Cree、Rohm等供应商购买衬底。SiC器件广泛用于光伏逆变器、工
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SiC 功率半导体
意法半导体(STMicroelectronics) 以“意法半导体，科技始之于你”为主题亮相2021年慕尼黑上海电子展，展示其行业领先的智能出行、电源和能源管理、物联网和5G产品及解决方案。 作为意法半导体重要的业务领域之一，此次展台的焦点是一辆智能电动轿跑小鹏P7，这款先进的新能源智能汽车的车辆控制单元(VCU)中采用意法半导体的先进的多功能芯片L9788，这是首个集成CAN FD收发器的U-chip解决方案，符合最高的功能性安全标准，产品竞争优势包括节省物料清单(BOM)成本、减少印刷电路板(PCB)
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意法半导体 SiC BMS
1 电动汽车BMS的技术趋势对恩智浦而言，我们所观察到的电动汽车制造商在规划整个车型电气化过程中正在面对如下挑战，这也代表了现在技术发展的趋势。1) 电池成本的持续降低是电动车普及以及车厂盈利的重要决胜点。除电芯降本外，还需要不断优化电子电气以及机械架构，并制作支持自动化组装的生产线，这样才能提高生产效率。2) 延长里程需要提高比能量，缩短充电时间则要增加比功率，在逐渐挑战比能量和比功率极限的过程中，电池管理功能安全的等级、诊断的精度
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BMS SiC
1 中国新能源汽车市场的需求特点首先，中国的电动化发展速度很快，中国企业的创新力旺盛，而且直接从传统汽车向新能源汽车过渡，没有美国或欧洲企业所面临的复杂的“技术遗产”问题。相比欧美，新兴的中国车企更期待新能源汽车。在中国，功率转换系统在汽车中的应用非常广泛，这就是为什么ST专注于与中国客户合作开发电源管理系统。ST汽车和分立器件产品部大众市场业务拓展负责人公司战略办公室成员Giovanni Luca SARICA2 SiC在成本上有优势吗SiC解决方案的成本
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新能源汽车 SiC
GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
随着电动汽车（EV）数量的增加，对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长，如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比，新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量，因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80％，行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准， 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天，我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商 UnitedSiC 近日宣布与益登科技签署代理协议，益登科技是总部位于台湾的半导体产品主要分销商和解决方案供应商。益登科技将与UnitedSiC合作，助其将产品推向亚洲市场，为包括电动汽车、电池充电、IT基础设施、可再生能源和电路保护等高增长应用领域的客户提供产品方案。UnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin BulutUnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin Bulut 表示：“亚洲市场正在迅速崛起，急需采用能够实现新产品差异化的新技术。益登的
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SiC 电动汽车
目前，碳化硅市场正处于快速增长中，根据各大咨询机构统计，碳化硅在电源的功率因数校正（PFC）、太阳能逆变器、光伏逆变器、不间断电源、5G、通信电源、高频开关电源等领域都拥有非常广阔的市场。与传统硅材料相比，新一代的宽禁带半导体材料碳化硅可提供高场强、高能隙，以及高电子移动速度和热导率，让下一代半导体器件的性能得到革命性提升。
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安森美 SiC 碳化硅
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，推出一款适用于 太阳能逆变器应用 的 全SiC功率模块 ，该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。 NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速
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MOSFET SiC PIM 光伏逆变器
宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。与IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有传导损耗、开关损耗*2小、耐温度变化等优势，作为能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车车载充电器以及DC/DC转换器等方面的应用日益广泛。自2017年合作以来，臻驱科技和罗姆就采
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MOSEFT SiC
我国正在大力进行新基建，工业物联网、汽车充电桩、5G手机等对电力与电源提出了更高的能效要求。与此同时，SiC、GaN等第三代半导体材料风生水起，奠定了坚实的发展基础。充电桩、工业物联网、手机需要哪些新电力与电源器件？近日，ST（意法半导体）亚太区功率分立器件和模拟产品部区域营销及应用副总裁Francesco MUGGERI接受了电子产品世界记者的采访，分享了对工业市场的预测，并介绍了ST的新产品。ST亚太区 功率分立器件和模拟产品部 区域营销及应用副总裁 Francesco MUGGERI1 工业电源市场
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电源 SiC IGBT GaN
汽车电动化领域的领先供应商——纬湃科技(以下简称“Vitesco”)近日宣布选择SiC功率元器件的领军企业——罗姆(以下简称“ROHM”)作为其SiC技术的首选供应商,并就电动汽车领域电力电子技术签署了开发合作协议(2020年6月起生效)。通过使用SiC功率元器件,大陆集团旗下的Vitesco将能够进一步提高电动汽车用电力电子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用电动汽车电池的电能。这将非常有助于延长电动汽车的续航里程并削减电池体积。Vitesco电气化技术事业部执行副总裁
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SiC 电气
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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