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未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增

  •   在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。   据有关报告称,至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测,未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。   SiC肖特基二极管已存在十多年,SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
  • 关键字: GaN  半导体  SiC  

未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增

  •   在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。   据有关报告称,至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测,未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。   SiC肖特基二极管已存在十多年,SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
  • 关键字: GaN  半导体  SiC  

SiC集成技术在生物电信号采集设计

  • SiC集成技术在生物电信号采集设计, 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了,但如何将他们的体
  • 关键字: SiC  集成技术  生物电信号采集    

Microsemi公司推出工业级碳化硅功率模块系列产品

  •   致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)日前宣布,推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新产品非常适用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该功率模块系列还扩展了温度范围,以满足下一代功率转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。   SiC技术比硅材料提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性
  • 关键字: Microsemi  SiC  

第三代半导体材料双雄并立 难分高下

  •   进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。   SiC早在1842年就被发现了,但直到1955年,才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年,商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后,SiC的商业应用才算全面铺开。相对于Si,SiC的优点很多:有10倍的电场强度,高3倍的热导率,宽3倍禁带宽度,高一倍的饱和漂
  • 关键字: ROHM  SiC  半导体  

飞兆发布碳化硅(SiC)技术解决方案

  • 为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求,工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。 然而,在可再生能源、工业电机驱动器、高密度电源、汽车以及井下作业等领域,要想增强这些关键设计性能,设计的复杂程度就会提高,同时还会导致总体系统成本提高。
  • 关键字: 飞兆  SiC  晶体管  

罗姆在“功率元器件”的发展与“电源IC技术”的变革

  • 为了防止地球温室化,减少CO2排放量已成为人类的课题。为了减少CO2排放量,节电与提高电压的转换效率是当务之急。在这种背景下,罗姆通过用于LED照明的技术贡献于节电,通过功率元器件提升转换效率。
  • 关键字: 罗姆  变压器  SiC  

开关电源转换器高性能碳化硅(SiC)功率半导体器件

  • 进入21世纪,开关电源技术将会有更大的发展,这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努...
  • 关键字: 开关电源  转换器  碳化硅(SiC)  

英飞凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列,立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
  • 关键字: 英飞凌  SiC  JFET  

超过20kV:半导体元件的世界最高耐压

  •   日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒暢等人的研究小组,试制出了耐压高达21.7kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件,但超过20kV的尚为首次,“是半导体元件中的世界最高值”(木本)。   该二极管的设想用途为置换变电站使用的硅制GTO。比如,日本的电网电压为6.6kV,因此要求耐压达到20kV。据称目前是使用3~4个数kV的GTO来确保耐压的。如果使用耐压超过20kV的SiC制PiN二极管,一个即可满足要求。由此,转换器及冷却器等便可实现
  • 关键字: SIC  二极管  半导体  

罗姆清华探索校企合作新模式

  •         TRIFIA 2012年清华-罗姆国际产学连携论坛于4月28日在清华罗姆电子馆召开,来自清华的教授跟与会者分享了与罗姆合作以来在某些领域取得的成果以及一些教学科研经验。会后,罗姆株式会社常务董事高须秀视先生和清华电子工程系系主任王希勤教授接受了采访,我们了解到了更多罗姆和清华在产学研方面的相关合作。 以“罗姆”命名清华楼,并无排他性      
  • 关键字: 罗姆  SiC  

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率

  • 与SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员,以论
  • 关键字: SiC  讲座  功率元件  氧化镓    

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件(二)

  • 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
  • 关键字: 氧化镓  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件(一)

  • 与SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源...
  • 关键字: SiC  功率元件  GaN  导通电阻  

采用IMEC的SiC技术完成生物电信号采集

  • 采用IMEC的SiC技术完成生物电信号采集,人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了,但如何将他们的体积
  • 关键字: IMEC  SiC  生物电信号采集    
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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