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在光伏逆变器中运用SiC BJT实现更低的系统成本

  • 最近,碳化硅(SiC)的使用为BJT赋予了新的生命,生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的...
  • 关键字: 光伏逆变器  SiC  BJT  

通过基片薄型化降低导通电阻渐成趋势

  •   通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于,越是低耐压产品,基片上层积的漂移层就越薄,因此在SiC二极管的导通电阻中,基片的电阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm为主流,超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度,许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。   比如,罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm,并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
  • 关键字: 三菱电机  SiC  

SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻

  •   通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于,越是低耐压产品,基片上层积的漂移层就越薄,因此在SiC二极管的导通电阻中,基片的电阻成分所占比例就越大。   目前,SiC基片的厚度以350μm为主流,超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度,许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。   比如,罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm,并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管
  • 关键字: SiC  二极管  

新日本无线新推出粗铜线丝焊类型的音频SiC-SBD

  • 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗铜线有利于降低损耗提高效率,SiC-SBD专长于高速开关动作,再加上注重最佳音质的制造工艺技术,能够实现高音质音响效果。
  • 关键字: 新日本无线  SiC-SBD  MUSES  

美高森美全新650V碳化硅肖特基解决方案提升大功率系统性能

  • 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列,推出全新的650V解决方案产品系列,新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。
  • 关键字: 美高森美  SiC  

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞(二)

  • GaN和SiC将区分使用  2015年,市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且,届时GaN类功率元件 ...
  • 关键字: 功率  半导体  SiC  GaN  

山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务

  •   在SiC及GaN等新一代功率半导体领域,以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块,零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日~10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫崎县PhoenixSeagaiaResort)上,最近开始扩大SiC晶圆业务的亚洲企业纷纷出展。   山东天岳先进材料科技有限公司(SICC)展出了将从2014年4月开始对外销售的直径2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圆。该公司当前的目标
  • 关键字: SiC  晶圆  

PV逆变器应用升温,推动SiC功率元件发展

  • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太阳能(PV)逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性,不仅可较传...
  • 关键字: PV  逆变器  SiC  功率元件  

SiC和GaN是“下一代”还是“当代”?

  •   SiC企业不断增多,成本不断下降”一文中,作者根津在开篇写道:“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为,随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布,在学会和展会的舞台上,这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。   那么,在使用功率半导体的制造现场,情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段,仍属于“下一代”,但在功率半导体使用者的心目中,此类产品已逐渐由
  • 关键字: SiC  GaN  

GT推出碳化硅炉新产品线

  • GT Advanced Technologies(纳斯达克:GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段,SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
  • 关键字: GT  SiC  晶体  

未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增

  •   在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。   据有关报告称,至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测,未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。   SiC肖特基二极管已存在十多年,SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
  • 关键字: GaN  半导体  SiC  

未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增

  •   在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。   据有关报告称,至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测,未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。   SiC肖特基二极管已存在十多年,SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
  • 关键字: GaN  半导体  SiC  

SiC集成技术在生物电信号采集设计

  • SiC集成技术在生物电信号采集设计, 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了,但如何将他们的体
  • 关键字: SiC  集成技术  生物电信号采集    

Microsemi公司推出工业级碳化硅功率模块系列产品

  •   致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)日前宣布,推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新产品非常适用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该功率模块系列还扩展了温度范围,以满足下一代功率转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。   SiC技术比硅材料提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性
  • 关键字: Microsemi  SiC  

第三代半导体材料双雄并立 难分高下

  •   进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。   SiC早在1842年就被发现了,但直到1955年,才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年,商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后,SiC的商业应用才算全面铺开。相对于Si,SiC的优点很多:有10倍的电场强度,高3倍的热导率,宽3倍禁带宽度,高一倍的饱和漂
  • 关键字: ROHM  SiC  半导体  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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