全球知名半导体制造商ROHM于2018年3月14日--16日参加了在上海新国际展览中心举办的"2018慕尼黑上海电子展(electronica China 2018)"。 “慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会之一。ROHM在此次展会上以“汽车电子”和“工业设备”为轴，为大家呈现包括“汽车电子”、 “模拟”、“电源”、“传感器”以及“移动设备”在内的5大解决方案展区，囊括了业界领先的强大产品阵容。另外，为此
Analog Devices, Inc. (ADI)与Microsemi Corporation近日联合推出市场首款用于半桥SiC功率模块的高功率评估板，在200kHz开关频率时该板提供最高1200V电压和50A电流。隔离板的设计旨在提高设计可靠性，同时减少创建额外原型的需求，为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时间。ADI公司和Microsemi将在2018年3月4日至8日于美国得克萨斯州圣安东尼奥举行的APEC 2018展会上展示该评估
推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。 安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培(A)到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [ 查看详细 ]
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