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ROHM发布2015年度第一季度(4~6月)财务报告

  •   ROHM Co., Ltd.(总部:日本 京都,社长 泽村谕,下称"ROHM")发布了2015年度第一季度(4~6月)的业绩。   第一季度销售额为949亿2千万日元(去年同比增长7.4%),营业利润为115亿6千7百万日元(去年同比增长24.7%)。   纵观电子行业,在IT相关市场方面,虽然智能手机和可穿戴设备等市场的行情仍然在持续走高,然而一直以来都保持持续增长的平板电脑的普及率的上升势头大幅下降,个人电脑市场呈现低迷态势。在AV相关市场方面,虽然4K电视(※1)等高附加
  • 关键字: ROHM  SiC  

专利设计发功 ROHM量产沟槽式SiC-MOSFET

  •   SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET,并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%导通电阻,大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。   罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示,新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利,目前已开始量产。   罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示,相对于Si-IGBT,SiC
  • 关键字: ROHM  SiC-MOSFET  

高精度的功率转换效率测量

  •   目前,电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统,其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器,其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。   各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量,利用它们的差和比
  • 关键字: SiC  GaN  电流传感器  

一款专为SiC Mosfet设计的DC-DC模块电源

  •   SiC Mosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质,极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率,拉长新能源汽车的可跑里程,应用在高频转换器上,为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。。。。。。。据调查公司Yole developmet统计,SiC Mosfet现有市场容量为9000万美元,估计在2013-2020年SiC Mosfet市场将每年增长39%。由此可预见,SiC即将成为半导体行业的新宠!   SiC Mosfet对比Si IGBT主要有以下优势:   i. 低导通电阻RDS
  • 关键字: SiC Mosfet  DC-DC  

世界首家!ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

  •   全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。   另外,此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品,目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),后期工序的生产基地为
  • 关键字: ROHM  SiC-MOSFET  

ROHM(罗姆)举办“2015 ROHM科技展” 将于全国5个城市巡回展出

  •   全球知名半导体制造商ROHM于今年夏季将分别在成都(06/12)、长沙(06/26)、苏州(07/10)、青岛(07/ 24)、哈尔滨(08/07)等5个城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活动。在展示ROHM最新产品和技术的同时,还包括了由半导体业界专家和ROHM工程师带来的主题演讲,获得了众多工程师的盛情参与。   “2015 ROHM科技展”以“罗姆对智能生活的贡献”为主题,从应用层面出发,介绍功率电子、传感器网络
  • 关键字: ROHM  SiC  

SiC功率器件的技术市场走势

  •   摘要:探讨了SiC的技术特点及其市场与应用。   近期,全球知名半导体制造商ROHM在清华大学内举办了以“SiC功率元器件技术动向和ROHM的SiC功率元器件产品”为主题的交流学习会。此次交流学习会上,ROHM在对比各种功率器件的基础上,对SiC元器件的市场采用情况和发展趋势做了分析,并对ROHM的SiC产品阵容、开发以及市场情况做了详尽的介绍。   各种功率器件的比较   功率元器件主要用于转换电源,包括四大类:逆变器、转换器(整流器)、直流斩波器DC/DC转换器、矩阵
  • 关键字: SiC  功率器件  ROHM  IGBT  201503  

LED衬底第三代半导体SiC技术的崛起

  •   第一代半导体材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。        目前全球40%能量作为电能被消耗,而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件已日趋其发展的材料极限,难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型
  • 关键字: LED  SiC  MOSFET  

ROHM:国际半导体巨头的“小”追求和“低”要求

  •   近年来,随着柔性屏幕、触控技术和全息技术在消费电子领域的应用日益广泛,智能手机、平板电脑等智能终端功能越来越多样化。加上可穿戴设备的兴起、汽车电子的发展、通信设备的微型化,设备内部印制电路板所需搭载的半导体器件数大幅提升,而在性能不断提升的同时,质量和厚度却要求轻便、超薄。有限的物理空间加上大量的器件需求,对电子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求,各个领域元器件小型化的需求日益高涨。小型化不仅是过去几年的发展方向,也是将来的趋势。   谈到元器件的小型化,我们就不得不提为此作
  • 关键字: ROHM  半导体  SiC  

SiC功率半导体将在2016年形成市场 成为新一轮趋势

  •   矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。   全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处:矢野经济研究所)   2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%,为143.13亿美元。虽然2012年为负增长,但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。   预计2014年仍将继续增长,2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究所预测,2020年全球功率半导体市场规
  • 关键字: SiC  功率半导体  

SiC对医疗设备电源为最佳选择,三菱电机展示高频功率模块

  •   三菱电机开发出了支持50kHz左右高频开关动作的工业设备用混合SiC功率半导体模块,并在7月23~25日举办的“日本尖端技术展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。该模块组合了高频用Si-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC-SBD(肖特基势垒二极管),从2014年5月开始样品供货。   据介绍,新产品可用于光伏发电用逆变器等多种工业设备,尤其适合经常采用高开关频率的医疗设备用电源。新产品有6种,耐压均为1200V,额定电流为100A~600A不等。通过采
  • 关键字: SiC  医疗设备  

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

  •   东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。  SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调查)。  SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行,即便是在高电压
  • 关键字: 东芝  SBD  SiC  

美国阿肯色大学设计工作温度超过350°C的SiC基集成电路

  •   美国阿肯色大学研究人员已经设计出可在温度高于350°C (大约660°F)时工作的集成电路。该研究由美国国家科学基金(NSF)提供资助,研究成果可以提高用于电力电子设备、汽车和航空航天设备领域的处理器、驱动器、控制器和其他模拟与数字电路的功能,因为所有这些应用场合的电子设备都必须在高温甚至经常在极限温度下运行。   阿肯色大学电子工程学院特聘教授Alan Mantooth说,“坚固性允许这些电路被放置在标准硅基电路部件无法工作的地方。我们设计了性能优越的信号处理电路模
  • 关键字: SiC  集成电路  

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

  •   东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。  SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调查)。  SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行,即便是在高电压
  • 关键字: 东芝  SBD  SiC  

美国阿肯色大学设计工作温度超过350°C的SiC基集成电路

  • 美国设计出可在温度高于350°C 时工作的集成电路,该产品可以用于高温甚至极温下运行的航空航天设备......
  • 关键字: SiC  集成电路  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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