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ROHM(罗姆)亮相第十七届高交会电子展

  •   2016年11月16日-21日,全球知名半导体制造商ROHM亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(ELEXCON 2015)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多,并且融入了最尖端技术的产品。ROHM所带来的高新领先技术、强势多元化的产品、以及多种解决方案,受到来场参观者的广泛好评。  ROHM模拟电源“领衔”业内标准  近年来,全世
  • 关键字: ROHM  SiC  

试看新能源汽车的“加油站”如何撬动千亿级市场?

  •   2015年3月份,一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈,没错,这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换电站数量要达到1.2万个,充电桩达到450万个,这意味着一个千亿级市场将在国内的充电行业产生。   充电桩通常被誉为新能源汽车的“加油站”,可以固定在墙壁或地面,根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。如图1所示,目前的充电桩可以提
  • 关键字: Cree  SiC   

性价比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

  •   Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。   SiC与Si性能对比   简单来说,SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
  • 关键字: SiC  MOSFET  

氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电力电子未来选择

  •   当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带(WBG)半导体材料时,都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中最先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出,电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙,可以进一步提高功率器件性能。        n型碳化硅SiC晶片到2020年将以21%的CAGR成长至1.1亿美元   由碳化硅电力设备市场驱动,n型碳化硅基
  • 关键字: GaN  SiC  

业界首款全SiC功率模块问世:开关效率提升10倍

  •   集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块的诞生更加确立了CREE公司在碳化硅功率模块技术领域的领导地位。该模块不但能在高频下工作还具有极低的功耗,非常适用于高功率电机驱动开关和并网逆变器等应用。目前世强已获授权代理SiC系列产品。   图:CAS300M17BM2模块外观图   世强代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模块采用行业标准
  • 关键字: CREE  SiC  

性价比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

  •   Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。   SiC与Si性能对比   简单来说,SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
  • 关键字: 世强  SiC  

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

  •   SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术,扩大了终端系统的功率范围,在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),大大减小了热管理系统的尺寸,很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比, 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间,方便
  • 关键字: Cree  SiC  

SiC功率模块关键在价格,核心在技术

  •   日前,碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。   世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm,封装则采用Half-Bridge Module,具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面,连续通电时
  • 关键字: SiC  SiC  

EV/HEV市场可期 SiC/GaN功率器件步入快车道

  •   根据Yole Development预测,功率晶体管将从硅晶彻底转移至碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)基板,以期能在更小的空间中实现更高功率。   在最新出版的“GaN与SiC器件驱动电力电子应用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)报告中,Yole Development指出,促进这一转型的巨大驱动力量之一来自电动车(EV)与混合动力车(HEV)产业。Yole预期EV/HEV产业将持续大力推动Si
  • 关键字: SiC  GaN  

矢野经济研究所:SiC功率半导体将在2016年形成市场

  •   矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。        全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处:矢野经济研究所) (点击放大)   2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%,为143.13亿美元。虽然2012年为负增长,但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。   预计2014年仍将继续增长,2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究
  • 关键字: SiC  功率半导体  

ROHM发布2015年度第一季度(4~6月)财务报告

  •   ROHM Co., Ltd.(总部:日本 京都,社长 泽村谕,下称"ROHM")发布了2015年度第一季度(4~6月)的业绩。   第一季度销售额为949亿2千万日元(去年同比增长7.4%),营业利润为115亿6千7百万日元(去年同比增长24.7%)。   纵观电子行业,在IT相关市场方面,虽然智能手机和可穿戴设备等市场的行情仍然在持续走高,然而一直以来都保持持续增长的平板电脑的普及率的上升势头大幅下降,个人电脑市场呈现低迷态势。在AV相关市场方面,虽然4K电视(※1)等高附加
  • 关键字: ROHM  SiC  

专利设计发功 ROHM量产沟槽式SiC-MOSFET

  •   SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET,并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%导通电阻,大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。   罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示,新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利,目前已开始量产。   罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示,相对于Si-IGBT,SiC
  • 关键字: ROHM  SiC-MOSFET  

高精度的功率转换效率测量

  •   目前,电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统,其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器,其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。   各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量,利用它们的差和比
  • 关键字: SiC  GaN  电流传感器  

一款专为SiC Mosfet设计的DC-DC模块电源

  •   SiC Mosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质,极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率,拉长新能源汽车的可跑里程,应用在高频转换器上,为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。。。。。。。据调查公司Yole developmet统计,SiC Mosfet现有市场容量为9000万美元,估计在2013-2020年SiC Mosfet市场将每年增长39%。由此可预见,SiC即将成为半导体行业的新宠!   SiC Mosfet对比Si IGBT主要有以下优势:   i. 低导通电阻RDS
  • 关键字: SiC Mosfet  DC-DC  

世界首家!ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

  •   全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。   另外,此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品,目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),后期工序的生产基地为
  • 关键字: ROHM  SiC-MOSFET  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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