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SiC功率半导体接合部的自我修复现象,有望改善产品寿命

  •   大阪大学和电装2016年3月28日宣布,在日本新能源及产业技术综合开发机构(NEDO)的项目下,发现了有望提高碳化硅(SiC)功率半导体长期可靠性的接合材料自我修复现象。研究人员发现,在高温的设备工作环境下,用作接合材料的银烧结材料自行修复了龟裂,这大大提高了SiC半导体在汽车等领域的应用可能性。   此次的SiC接合使用银膏烧结粘接法,该方法使用微米级和亚微米级的混合银颗粒膏,以250℃低温在空气环境实施30分钟接合工艺,获得了裸片粘接构造。与常见的使用纳米颗粒施加高压的接合方法相比有很多优点,包
  • 关键字: SiC  功率半导体  

电源的六大酷领域及动向

  • 节能环保离不开高能效、高密度的功率器件、模块,以及各种高精度、低能耗的控制和模拟芯片等。在此,本文选取了六大热门领域:电力电子器件、汽车电源、USB Type-C供受电、无线充电、能量收集、数据中心电源,邀请部分领军企业介绍了技术市场动向及新产品。
  • 关键字: SiC  IGBT  汽车  电池  USB Type-C  无线充电  能量收集  数据中心  201604  

ROHM亮相"2016慕尼黑上海电子展" 丰富产品与技术吸引观众驻足

  •   全球知名半导体制造商ROHM现身在上海新国际博览中心举办的“2016慕尼黑上海电子展(electronica China 2016)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多,并且融入了最尖端技术的产品。这些高新领先的技术、强势多元化的产品、多种热门应用解决方案,吸引了众多业内外人士驻足及交流。    
  • 关键字: ROHM  SiC  

“助攻”电源设计:900V SiC MOSFET导通电阻创新低!

  •   全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET:C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案,能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统,并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术,是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器,以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。   世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围,
  • 关键字: 世强  SiC  

Bulk Si技术近极限,功率半导体大厂加速投入GaN、SiC开发

  •   DIGITIMES Research观察,传统以块体矽(Bulk Si)材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现,业界逐渐改以新材料寻求突破,其中氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)材料技术最受瞩目,氮化镓具有更高的切换频率,碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压,而原有的矽材仍有成本优势,预计未来功率半导体市场将三分天下。   更高的耐受温度、电压,或更高的切换频率、运作频率,分别适用在不同的应用,对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压,对于新一代的行动通讯基地台,或资料中心机房设备而言
  • 关键字: GaN  SiC  

ROHM(罗姆)亮相第十七届高交会电子展

  •   2016年11月16日-21日,全球知名半导体制造商ROHM亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(ELEXCON 2015)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多,并且融入了最尖端技术的产品。ROHM所带来的高新领先技术、强势多元化的产品、以及多种解决方案,受到来场参观者的广泛好评。  ROHM模拟电源“领衔”业内标准  近年来,全世
  • 关键字: ROHM  SiC  

试看新能源汽车的“加油站”如何撬动千亿级市场?

  •   2015年3月份,一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈,没错,这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换电站数量要达到1.2万个,充电桩达到450万个,这意味着一个千亿级市场将在国内的充电行业产生。   充电桩通常被誉为新能源汽车的“加油站”,可以固定在墙壁或地面,根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。如图1所示,目前的充电桩可以提
  • 关键字: Cree  SiC   

性价比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

  •   Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。   SiC与Si性能对比   简单来说,SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
  • 关键字: SiC  MOSFET  

氮化镓GaN、碳化硅SiC等宽禁带材料将成为电力电子未来选择

  •   当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带(WBG)半导体材料时,都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中最先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出,电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙,可以进一步提高功率器件性能。        n型碳化硅SiC晶片到2020年将以21%的CAGR成长至1.1亿美元   由碳化硅电力设备市场驱动,n型碳化硅基
  • 关键字: GaN  SiC  

业界首款全SiC功率模块问世:开关效率提升10倍

  •   集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块的诞生更加确立了CREE公司在碳化硅功率模块技术领域的领导地位。该模块不但能在高频下工作还具有极低的功耗,非常适用于高功率电机驱动开关和并网逆变器等应用。目前世强已获授权代理SiC系列产品。   图:CAS300M17BM2模块外观图   世强代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模块采用行业标准
  • 关键字: CREE  SiC  

性价比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

  •   Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。   SiC与Si性能对比   简单来说,SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
  • 关键字: 世强  SiC  

业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

  •   SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术,扩大了终端系统的功率范围,在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),大大减小了热管理系统的尺寸,很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比, 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间,方便
  • 关键字: Cree  SiC  

SiC功率模块关键在价格,核心在技术

  •   日前,碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。   世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm,封装则采用Half-Bridge Module,具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面,连续通电时
  • 关键字: SiC  SiC  

EV/HEV市场可期 SiC/GaN功率器件步入快车道

  •   根据Yole Development预测,功率晶体管将从硅晶彻底转移至碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)基板,以期能在更小的空间中实现更高功率。   在最新出版的“GaN与SiC器件驱动电力电子应用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)报告中,Yole Development指出,促进这一转型的巨大驱动力量之一来自电动车(EV)与混合动力车(HEV)产业。Yole预期EV/HEV产业将持续大力推动Si
  • 关键字: SiC  GaN  

矢野经济研究所:SiC功率半导体将在2016年形成市场

  •   矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。        全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处:矢野经济研究所) (点击放大)   2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%,为143.13亿美元。虽然2012年为负增长,但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。   预计2014年仍将继续增长,2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究
  • 关键字: SiC  功率半导体  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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