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三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

作者:时间:2009-07-22来源:赛迪网收藏

  7月21日电子宣布已经开始量产2Gb DDR3 。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/96453.htm

  据悉,继2008年9月电子在业内首次量产50纳米DDR3 之后,该公司又于2009年1月首次开发出2Gb DDR3 并于本月首次投入量产。电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间,极大地提高了生产效率和成本竞争力。

  三星电子表示,新一代量产的产品拥有更高的科技水平和环保型解决方案从而将获得比50纳米产品更高的市场评价。同时为了进一步扩展DDR3内存的市场,三星电子今后将针对区域服务器(16G或8G内存)、小型服务器及个人台式机(4G内存)、笔记本电脑(4G内存)等提供更高效的内存产品。

  半导体市场调查机构I supply提供的数据表明DDR3产品将从目前占整体Dram市场的20%增长到2012年的82%。2G DDR3产品将从目前占整体DDR3市场的5%发展到2012年82%。而作为以生产Dram产品著称的全球第二大半导体厂商,三星电子正是依靠在业内不断率先开发新一代更高容量和性能的Dram产品,确保了其在内存市场的主导地位。



关键词: 三星 40纳米 Dram

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