三星位居龙头 闪存芯片厂商营收排行

　　受到4Q07 NAND Flash价格剧跌的影响，品牌NAND Flash厂商3Q07整体营收表现微幅下跌成为US.8bn，比3Q07营收QoQ小幅减少了2.7%，由于3Q07末次级房贷所引发的金融市场风暴延烧到4Q07，造成传统欧美年终采购旺季需求不如预期，再加上主要NAND Flash供货商新的5Xnm制程产品在4Q07的产出量也较3Q07运转更顺畅，使得4Q07 NAND Flash整体产出比特QoQ成长约45%，因此也造成NAND Flash市场由3Q07的供货吃紧转为4Q07的小幅供过于求，同时市场对1Q08全球经济成长趋缓的预期心理，更加剧了NAND Flash价格的急跌现象，4Q07 NAND Flash平均价格QoQ下跌约33%。

　　就4Q07营收排行而言，Samsung仍然居于龙头地位，Toshiba & Hynix分居二、三名，但两者的市占率随着Micron & Intel的市占率提升而呈小幅下滑，4Q07 Top 4 NAND Flash阵营Samsung、Toshiba、Hynix/STMicro & IM Flash的营收，合计约占整体品牌NAND Flash市场的98.7%，未来将形成四强争锋的新局面。总计2007年NAND Flash整体品牌厂商营收达到US$ 13.3bn，同时2007年NAND Flash市占率Top 5厂商排名也与4Q07顺位相同。

　　Samsung 4Q07 NAND Flash营收市占率为41.2%，比3Q07稍微提高，再度居于NAND Flash厂商龙头地位，在新的51nm制程产品逐渐增加下，4Q07位出货量QoQ成长了44%，但受到NAND Flash价格大幅下跌的影响，4Q07营收QoQ仅呈现持平状况，4Q07营收为US$ 1.581bn。

　　Toshiba 4Q07 NAND Flash营收市占率为22.4%，比3Q07小幅下滑，仍居于NAND Flash厂营收亚军的地位，虽然Toshiba新的56nm制程产出量在4Q07已明显增加，但NAND Flash的价格大幅下跌，仍使营收呈现QoQ下跌11.4%的状况，4Q07营收为US$ 858m。

　　Hynix 4Q07 NAND Flash营收市占率为20.9%，比3Q07小幅下滑，仍居于NAND Flash厂营收季军地位，虽然Hynix已在4Q07将200mm厂的制程技术由60nm再升级到57nm，使得4Q07比特出货量QoQ成长了43%，但同时ASP QoQ也下跌了34%，因此4Q07仍呈现QoQ下跌7.9%的状况，4Q07营收为US$ 802m。

　　Intel与Micron在4Q07随着50 nm制程的量产，与新的300mm Fab Lehi正式量产下，4Q07比特出货QoQ成长达65%，能够抵销部份价格下跌的影响，使得4Q07营收QoQ仍然持续的成长约15%以上，因此Micron & Intel 4Q07营收分别达到US$ 307m及US$ 146m，同时Micron & Intel的4Q07市占率也分别较3Q07提高到8%及3.8%。

　　STMicro 4Q07虽然有手机相关NAND Flash应用的需求，及Hynix产能支持下比特出货量持续成长，但NAND Flash价格的大幅下跌，使得4Q07营收QoQ呈现持平状况，4Q07市占率成为2.4%，另外Renesas 4Q07持续减少AG-AND Flash的生产量，虽然合作伙伴PSC 4Q07已经开始投入70nm MLC NAND Flash的生产，但是价格的大幅下跌仍使Renesas/PSC阵营4Q07营收QoQ下跌了33.3%，市占率成为1.3%。