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DRAM现货市场持续走弱 合约市场交易冷清

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作者:时间:2007-10-22来源:慧聪网收藏

  现货市场价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。512MbeTT跌至1美元左右的新低价之后,暂时止跌并微幅反弹,在1.02至1.05美元震荡,以1.03美元做收,跌幅为5.5%;512Mb667MHz则滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市场方面,由于现货市场供给数量仍旧不足,上周也曾出现缺货状况,价格持续小幅上扬,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上涨5.6%。

  十月份合约市场相当清淡,OEM拿货意愿低落,部分厂商甚至认为,倘若预期十一月价格没有反弹行情,下旬就没有太大的拿货意愿。十月截至目前为止,部分OEM甚至完全没有任何采购的动作,整体市况较九月上、下旬都还要冷清。

  需求不振、供给过剩,近期市场依然疲弱

  根据集邦科技(eXchange)最新观察报告指出,纵使中国市场结束十一长假,市场参与者皆已回笼,然而现货市场成交量并无显著的放大。整体而言,十月需求在今年并未出现,加上目前大模块厂应备的库存水位已足够,小模块厂则是抱着“货好卖才买”的心态,使得现货市场缓冲区机制消失,价格变得更为敏感。纵使量缩价格敏感,近期DDR2512MbeTT价格在跌至1美元附近后的反弹力道并不强,可见市场卖压仍沉重。当今不论在现货市场或合约市场,DDR2交投都相当冷清,买方意愿薄弱,近期就算有任何的利多,也未对市场产生太大的加温迹象。

  十月上旬Flash合约价下跌0-10%;短期内可望相对持稳

  十月上旬Flash合约价平均跌幅在0-10%左右,其中MLC颗粒跌幅较大,主要是反应供货商新制程所开出的MLC产出量将在今年第四季有明显增加;至于低容量的SLC颗粒,则因为供给量逐渐减少的关系,价格呈现止稳小涨的情况。自九月以来Flash价格已经大幅向下修正过,然而下游客户以降价来刺激买气,反应NANDFlash成本下降的动作,通常会比较延滞一段时间。市场预期来自降价效应的买气将在十月下旬至十一月才会逐渐浮现,因此集邦科技(DRAMeXchange)预期在短期内NANDFlash合约价格有机会相对持稳。



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