三星全力投入10nm存储器制程 拉大竞争差距

　　三星电子(SamsungElectronics)半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部旗下半导体总括兼系统LSI事业部长金奇南，将以10奈米级记忆体晶片量产一决胜负。DS事业部的技术研发和投资焦点，也从设计技术转移到制程技术。

　　自1993年起，三星在记忆体市场上维持超过20年的霸主地位，秘诀就在于提升制程技术，拉大与竞争对手的差距。

　　据南韩经济日报报导，金奇南在2014年2月接任记忆体事业部长职务后曾指示，将全力投注在平面记忆体晶片电路精细化。截至2013年，三星记忆体事业部仍致力于研发系统晶片控制器和40奈米级NAND垂直堆叠3D技术，但进入2014年后依照金奇南的指示，将转换重心到平面记忆体微细制程。

　　三星内部人员透露，美国等海外半导体厂进行技术投资，加强研发电路微细化制程和材料技术，并致力推动四重微影(QPT)等制程技术商用化。三星仍持续研发3D技术，但目前将把重心放在平面NANDFlash制程微细化上。

　　记忆体晶片可分为DRAM和NANDFlash两大类。主要DRAM厂三星、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)等都以20奈米级制程生产。NAND方面，三星和东芝(Toshiba)的制程发展到19奈米后，转往3D技术，SK海力士则准备以16奈米级制程生产。

　　电路线幅越缩减，可使电子更容易移动，耗电量越小，驱动速度更快。一片晶圆可制造的半导体数量增加，价格也越低。问题在于微细制程在进入20奈米级后，自2012年起陷入电路微细化的瓶颈。

　　南韩业界认为，想要制造电路线幅在20奈米以下的记忆体晶片，形成电路图样的曝光机需改用极紫外线(EUV)设备。荷兰业者ASML自主研发的EUV设备，每台价格超过1,000亿韩元(约9,885万美元)，价格昂贵。

　　三星、英特尔(Intel)等半导体大厂2012年对ASML投资64亿美元，也是期望ASML能持续研发EUV曝光设备。然经过2年后，EUV设备的性能并没有大幅改善，这也是三星改以3D或研发控制器技术取代微细化制成的背景因素。

　　尽管如此，金奇南接手记忆体事业部后，仍致力于电路微细化的研发作业，改变了原本的事业方向。三星内部人员透露，三星的目标在不使用EUV设备的前提下，确保可生产15奈米以下DRAM和NANDFlash产品的技术。

　　NAND控制器或3D技术是相对容易被竞争对手赶上的技术，但若实现10奈米级以下微细制程，将可与竞争对手拉开更大的差距