新闻中心

EEPW首页 > 业界动态 > 三星、美光计划扩大HBM产能

三星、美光计划扩大HBM产能

作者:时间:2023-11-08来源:收藏

在消费级存储市场低迷的背景下,高带宽存储器()技术已成为新的驱动力,最新报告指出两家公司正积极筹备扩张 DRAM 。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202311/452651.htm

耗资105亿韩元,收购了显示位于韩国天安市的某些工厂和设备,以扩大产能。三星还计划再投资7000亿至1万亿韩元,用于新建新的封装线。

此前报道,三星副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人Hwang Sang-jun先生透露,三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E,并计划开始向客户提供样品。同时,三星还正在开发HBM4的各种技术,包括针对高温热特性和混合键合(HCB)优化的非导电胶膜(NCF)组装技术等,目标是到2025年推出。

也在积极筹备HBM生产,于11月6日在台中开设了新工厂。表示,这个新设施将集成先进的测试和封装功能,并将致力大规模生产HBM3E以及其他产品,旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用日益增长的需求。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露,计划在2024年初开始大量出货HBM3E,目前正在接受NVIDIA的认证。最初的HBM3E产品将采用8-Hi堆栈设计,容量为24GB,带宽超过1.2TB/s。

此外,美光还计划在2024年推出更大容量的36GB的12-Hi堆栈HBM3E。在早些时候的一份声明中,美光预计到2024年,新的HBM技术将贡献“数亿美元”的收入。



关键词: 三星 美光 HBM

评论


相关推荐

技术专区

关闭