新思科技携手台积公司简化多裸晶系统复杂性,推出面向台积公司N3E工艺的“从架构探索到签核” 统一设计平台和经验证的UCIe IP

摘要：

●   新思科技3DIC Compiler集成了3Dblox 2.0标准，可用于异构集成和完整的“从架构探索到签核”完整解决方案。

●   新思科技 UCIe PHY IP在台积公司N3E工艺上实现了首次通过硅片的成功（first-pass silicon success），可提供低延迟、低功耗和高带宽的芯片间连接。

●   UCIe PHY IP与3DIC Compiler的结合将有效优化多裸晶系统设计，能够以更低的集成风险实现更高的结果质量。

图 新思科技UCIe PHY IP在台积公司N3E工艺上首次通过硅片的成功，展示了出充足的链路裕量

新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布进一步扩大与台积公司的合作，双方携手通过可支持最新3Dblox 2.0标准和台积公司3DFabric™技术的全面解决方案不断优化多裸晶系统（Multi-Die）设计。新思科技多裸晶系统解决方案包括 “从架构探索到签核”统一设计平台3DIC Compiler，可提供行业领先的设计效率，来实现芯片的容量和性能要求。此外，新思科技 UCIe IP也已在台积公司领先的N3E先进工艺上取得了首次通过硅片的成功，实现die-to-die高速无缝互连。

台积公司设计基础设施管理部负责人Dan Kochpatcharin表示：“台积公司长期与新思科紧密合作，为芯片开发者提供差异化的解决方案，帮助他们解决从早期架构到制造过程中面临的高度复杂挑战。我们与新思科技的长期合作，让我们的共同客户能够采针对性能和功耗效率优化的解决方案，以应对高性能计算、数据中心和汽车应用领域的多裸晶系统设计要求。”

新思科技EDA事业部战略与产品管理副总裁Sanjay Bali表示：“我们与台积公司强强联合，为多裸晶系统提供了全面、可扩展的解决方案，实现了前所未有的芯片性能和设计效率。采用3Dblox 2.0等通用标准在统一设计平台上进行多裸晶系统设计的架构探索、分析和签核，并结合在台积公司N3E工艺上已实现首次通过硅片成功的新思科技 UCIe PHY IP，客户能够进一步加速从早期架构探索到制造的系统设计全流程。”

新思科技3DIC Compiler设计平台已通过台积公司认证，可在统一的裸片/封装探索、协同设计和分析平台上使用3Dblox 2.0标准和3DFabric技术进行全栈设计。新思科技集成系统分析功能可与3Dblox 2.0系统原型设计相结合，协同优化热和电源完整性，有助于确保设计可行性。新思科技和Ansys持续合作，将新思科技 3DIC Compiler和Ansys多物理分析技术相集成，提供系统级效果的签核准确性。新思科技3DIC Compiler还可与新思科技测试产品互操作，以确保批量测试和质量。

新思科技UCIe PHY IP已在台积公司 N3E工艺上实现首次通过硅片的成功，并获多家全球领先企业采用，能够帮助开发者高效地将die-to-die互联的业界标准集成到他们的多裸晶系统中。结果显示，该IP在16Gbps时可实现行业领先的功耗效率和性能，并可扩展至24Gbps，同时具有强大的链路裕量。新思科技的完整UCIe Compiler、PHY和验证IP解决方案目前已支持标准和先进封装，提供了测试、修复和监测功能，即使在以确保多裸晶系统在现场操作中的可靠性。此外，新思科技还提供了面向HBM3技术的完整IP解决方案，以满足Multi-Die系统的高内存带宽需求。新思科技IP产品与新思科技3DIC Compiler的组合通过自动化布局布线、中介层研究和信号完整性分析，支持3Dblox 2.0 die-to-die可行性研究，从而提高生产力并降低IP集成风险。

上市情况

●   新思科技面向台积公司N3E工艺的UCIe PHY IP和3DIC Compiler现已上市。

●   新思科技面向台积公司先进工艺的 HBM3 IP现已上市。