台积电杀进3纳米 决战三星

台积电在7纳米、5纳米制程完封三星后，目前更加快3纳米研发，以延续领先地位，不让对手三星有先缝插针抢单的机会，据电子时报报导，台积电3纳米传出提前启动，位于南科30公顷用地，可望提前4个月、预计于今年底即可完成交地，摆明就是冲着三星而来。

报导指出，相较于三星陷入7纳米EUV制程良率困境，台积电7纳米以下制程持续推进，几乎吃下所有芯片大厂订单，而5纳米预计明年第2季量产，目前传出苹果、华为和高通将抢下首波产能。

三星7月底曾宣布将在3纳米制程推出全新“环绕栅极”（Gate-All-Around，GAA）技术，号称超前台积电1年，更赢过英特尔2~3年。

三星推出全新GAA技术的3纳米制程跟当前7纳米相较，可使耗能降低50%，芯片面积缩减45%，效能提高35%，预计2021年正式量产；而台积电也持续加快3纳米技术研发，预计2021年进行试产、2022年量产，至于3纳米技术细节并未披露。